Щелевая линия на основе нанокомпозитных сегнетоэлектрических пленок (original) (raw)
Related papers
Структурные и электрические свойства стеклокерамических сегнетоэлектрических композитных материалов
2022
Материалы, обладающие одновременно высокой диэлектрической проницаемостью и высокой электрической прочностью, актуальны для использования в современной ВЧ электротехнике в составе конденсаторов высокой энергетической плотности, систем преобразования энергии, мощных передающих антенн. Наиболее перспективными материалами для применения в вышеупомянутых устройствах являются сегнетоэлектрики, обладающие высокой диэлектрической проницаемостью и электрической нелинейностью. Для увеличения электрической прочности сегнетоэлектрических материалов сегодня разрабатываются композитные структуры на основе смешения сегнетоэлектриков с линейными диэлектриками – материалами, обладающими малой диэлектрической проницаемостью, но высокой электрической прочностью. Преимуществом такого подхода является возможность создания новых многокомпонентных материалов с недостижимыми ранее свойствами и возможность регулировать компонентный состав, размеры включений и электрические свойства композитов в широких пре...
Углеродные наноструктуры на полупроводниковой подложке
Журнал технической физики, 2019
The analytical expressions for the density of states and the occupation numbers are obtained for simple models of carbon nanostructures (graphene–boron nitride lateral heterostructure, decorated zigzag edges of semi-infinity graphene and graphene nanoribbons, and decorated carbyne). The main attention is placed to the strong-coupling regime of the nanostructures with a semiconducting substrate. The numerical estimations are given for the SiC substrate.
ZnO – это кристаллический ма-териал [1 – 2], являющийся прямозонным по-лупроводником n-типа, входящий в группу соединений А 2 В 6. Его ширина запрещенной зоны при 300 К составляет ~3,3 эВ [2, 3, 4]. Данный материал обладает уникальными электрофизическими свойствами, и, в связи с этим, имеет большой потенциал примене-ния при создании оптико-электронных уст-ройств – солнечных батарей и жидкокристал-лических дисплеев, фотодиодов и других электронных устройств, в связи с высокой проводимостью и прозрачностью в видимой области спектра [2]. Цвет ZnO в зависимости от отклонения от стехиометрии и наличия различных примесей меняется от белого до желто-зеленого. Плотность оксида цинка сос-тавляет (5,6 ± 0,1) кг/см 3 [5]. Одним из перспективных материалов по-крытий является нитрид алюминия, так как обладает диэлектрическими свойствами с низким значением тангенса угла диэлектри-ческих потерь, коэффициентом теплового рас-ширения, соответствующим кремнию [6], что делает возможным его применение д...