Отримання та дослідження властивостей нанотрубок ZnO на поверхні поруватого ZnSe (original) (raw)
Related papers
СУБСТРУКТУРА ТОНКИХ ПЛІВОК ZnTe
The substructural characteristics of ZnTe thin films obtained by close-spaced vacuum sublimation technique under different condensation conditions were investigated. The size of coherent scattering regions (CSR), the level of microstrain, fault defect concentration in condensate, the average dislocations density on the subgrain boundaries and their volume were estimated with X-ray diffraction line broadening using Holl method and the method of threefold convolution. It is shown that the mechanism of CSR size increase and the microdeformation level reduction are of the activation nature.
Оптические и электрические свойства пленок ZnSe, полученных методом гидрохимического осаждения
Неорганические материалы, 2015
Методом гидрохимического осаждения получены пленки селенида цинка при взаимодействии ок сида цинка с селеном в присутствии гидразина и сульфита натрия в щелочной среде. При всех ис пользованных условиях осаждения формируется сфалеритная модификация ZnSe, для которой зна чения ширины запрещенной зоны находятся в пределах 2.6-2.7 эВ. С ростом концентрации суль фита натрия в растворе средний размер частиц увеличивается до 0.75 мкм (при соотношении Zn 2+ : = 1 : 10).
В роботі визначені оптичні та рекомбінаційні втрати в допоміжних та поглинаючих шарах сонячних елементів на основі гетеропереходів n-ZnS / p-CdTe та n-CdS / p-CdTe із струмознімальними фронтальними контактами ITO та ZnO. В результаті розраховані спектральні залежності коефіцієнту пропускання (Т) світла фотоперетворювачами при врахуванні його відбиття від меж контактуючих матеріалів та у випадку його поглинання в допоміжних шарах сонячних елементів. Досліджено вплив оптичних та рекомбінаційних втрат в сонячних елементах зі структурою ITO(ZnO) / CdS(ZnS) / CdTe на струм короткого замикання (Jкз) та ефективність фотоперетворювачів при різній товщині віконних шарів CdS(ZnS) (50-300 нм) та постійній струмознімальних шарів (200 нм). Встановлено, що найбільші значення ефективності (15,9-16,1 %) мають сонячні елементи зі структурою ZnO / ZnS / CdTe при концентрації нескомпенсованих акцепторів в поглинаючому шарі Na – Nd = 1015-1017 см-3 та товщині віконного шару 50 нм.
ВЛИЯНИЕ СОСТАВА КЕРАМИЧЕСКИХ МИШЕНЕЙ НА СТРУКТУРУ И ПРОВОДИМОСТЬ СЛОЕВ ZnO, ЛЕГИРОВАННЫХ ГАЛЛИЕМ
Исследованы характеристики прозрачных проводящих слоев на основе оксида цинка, синтезированных методом dc магнетронного распыления керамических мишеней ZnO с содержанием легирующей примеси Ga от 3 до 6 ат.%. Изучена взаимосвязь содержания галлия, толщины слоев, температуры синтеза и структурного совершен-ства. При температурах синтеза около 50°С максимальная проводимость и кристаллическое совершенство сло-ев достигаются при содержании в мишени галлия около 6 ат. %, а при температурах около 280°С – 3 ат.%. The GZO layers were synthesized by the dc magnetron sputtering the ceramic targets with gallium content of 3 to 6 atomic percentage; conductivity and crystalline perfection of the layers were studied in relation with the Ga content and the synthesis temperature. It was found that maximum conductivity of the layers is achieved at lower concentrations of gallium: ~6 atomic percentage of Ga at 500C and 3 at % – at 280C. Ключевые слова: оксид цинка; легирование; стехиометрия; прозрачный электрод.
Методами ИК-спектроскопии и диэлектрической спектроскопии исследованы высокоомные кристаллы селенида цинка с фоновыми примесями. В спектрах ИК-поглощения обнаружена полоса, которая идентифицирована с присутствием в образцах фоновой примеси железа. Исследование диэлектрических характеристик кристаллов ZnSe позволило сделать вывод о матричном характере кристаллов, обусловленном неоднородным распределением фоновых примесей.
2018
Особливості фізичних властивостей, отриманих нових наноструктурованих матеріалів, у порівнянні із їх об’ємними структурами. Розробка матеріалознавчих основ нанесення плівок напівпровідників (ZnO, Cu2ZnSn(S,Se)4) та металів (Ag, Cu) шляхом їх друку на 3D-принтері за допомогою композитів наночастинок у високомолекулярних поліефірних чи інших матрицях, а також методів керування оптичними, фотолюмінесцентними та електрофізичними характеристиками тонких шарів з метою їх отримання із заданими фізичними властивостями