Novas tecnologias para detecção infravermelha de alto desempenho (original) (raw)

14 2.3 Caracterização de fotodetectores 16 2.3.1 Criogenia 16 2.3.2 Responsividade 18 2.3.3 Ruído 20 2.3.4 Detectividade e detectividade especifica 21 2.3.5 Corrente de escuro e resistência diferencial 22 propriedades de heteroestruturas semicondutoras do grupo iii-v 25 3.1 GaAs, AlAs, InAs e ligas 25 3.1.1 Bandas 25 3.2 Heteroestruturas semicondutoras 26 3.3 Aproximação da função envelope e massa efetiva 28 3.4 Método da matriz de transferência em uma dimensão 29 3.5 Cálculo de funções de onda e energia em heteroestruturas tridimensionais 32 3.5.1 Implementação 33 3.5.2 Cálculo de estados ligados 36 3.6 Espalhamento eletrônico nas subbandas 37 3.6.1 Absorção e fotocorrente: Fotoespalhamento 37 3.6.2 Nível de Fermi-E F e E F (n) 38 3.6.3 Espalhamento por fônons 39 pontos quânticos de inalas de alta densidade 41 pontos quânticos de submonocamadasml-qd 51 5.1 Crescimento e propriedades óticas 52 5.2 Dispositivos fotodetectores 58 detectores de cascata quânticaqcd 65 xi xii sumário 6.1 QCD para janela atmosférica de 3-5um 72 6.2 QCD de ultra-alta-resistência 7 circuitos integrados de leituraroic 79 7.1 Arquiteturas de circuitos de leitura 79 7.2 Nova arquitetura de circuito de leitura 82 7.2.1 Amplificador operacional e referência de corrente 85 7.2.2 Circuito de entrada amplificada 7.2.3 Circuito oscilador e comparador 91 7.2.4 Contador 93 7.3 Amplificador de transimpedância capacitiva-CTIA 94 7.4 Projeto do protótipo 95 7.5 Resultados 100 8 conclusão 107 8.1 Congressos 108 8.2 Artigos Publicados 108 8.3 Artigos em preparação 108 referências bibliográficas 109 xiii xiv Lista de Figuras 40 Å Al 0,44 Ga 0,56 As 98 Å GaAs 8, 9 × 10 17 cm −3 56 Å Al 0,44 Ga 0,56 As 21 Å Al 0,14 Ga 0,86 As 39,6 Å Al 0,44 Ga 0,56 As 30x 30 Å Al 0,14 Ga 0,86 As 31 Å Al 0,44 Ga 0,56 As 43 Å Al 0,14 Ga 0,86 As 31 Å Al 0,44 Ga 0,56 As 62 Å Al 0,14 Ga 0,86 As 25 Å Al 0,44 Ga 0,56 As 31 Å GaAs 22,6 Å Al 0,44 Ga 0,56 As 10.000 Å GaAs 1 × 10 18 cm −3