Optical properties of metal nanoparticles embedded in amorphous silicon analysed using discrete dipole approximation (original) (raw)

Optical parameters of nano-composite porous films based on silicon or germanium quantum dots embedded in alumina matrix

The waveguide-type nanostructures based on porous aluminium-oxide nanocomposite film containing silicon or germanium nanoparticles formed on gold film are investigated. Porous nanocomposite films with the thickness profile close to the wedge are obtained by pulse-laser deposition in an argonatmosphere on a substrate located within the plane of the target. The angular dependence of the intensity of internal reflection, R(θ), in the Krechman geometry at a wavelength λ=650 nm is measured. The approximation of experimental dependences of R(θ) by the optical model allows determining the effective values of the refractive indexes, neff, and absorption coefficients, keff, of the films. As determined, the values of neff are in the range 1.38—1.65, and keff =0.003—0.04

Optical Properties of Metal Nanoparticles

Encyclopedia of Nanotechnology, 2012

Аннотация. Работа посвящена обсуждению основных методов расчета оптических свойств золотых и серебряных наночастиц. Обсуждаются диэлектрические функции наноразмерных металлических образцов. С использованием простейшего дипольного приближения показаны основные принципы спектральной настройки плазмонного резонанса сферических частиц, наностержней и нанооболочек. Дан краткий обзор методов математического моделирования спектров поглощения и рассеяния наночастиц.

Optical properties of lithium nanoparticles

Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 2013

ОПтИЧЕСКИЕ СВОйСтВА НАНОЧАСтИц ЛИтИЯ В. Н. Н а з а р е н к о Кандидат технических наук, доцент Кафедра сопротивления материалов и строительной механики* О. В. Н е с т е р е н к о Кандидат технических наук, доцент Кафедра рудничной аэрологии и охраны труда* И. С. Р а д ч е н к о Кандидат физико-математических наук, доцент** И. Б. С т е п а н к и н а

Structural and optical properties of porous silicon at different porosities

Journal of Applied Physics, 1994

In this article we report on the Si atomic environment, investigated by near edge x-ray absorption fine structure (NEXAFS) measurements, and on the optical properties of porous silicon samples having different porosity values (30%, 60%, 80%), the sample with the lowest porosity not being luminescent. On the high porosity samples, time resolved photoluminescence measurements have been performed as a function

Effect of Small Doses of Gamma Radiation on the Optical Properties of Nanostructured Silicon Obtained by Metal-Stimulated Chemical Etching in situ

2020

Background and Objectives: Porous silicon nanowires (SiNP) obtained by the method of metal stimulated chemical etching (EE method) are of great interest. The physical properties of this material depend significantly on the morphology of the nanostructures and their sizes. Given in the literature data on the effect of small doses of ionizing radiation on metals and alloys and the effect of irradiation on the properties of porous silicon and SiNP, makes sense to modify not only the substrate, but also the SiNP layer during its formation by irradiation. A change in the morphology of the formed layers with increasing in situ irradiation within small doses can affect the properties of SiNP. In the literature known to us, this issue is not considered. This work presents studies of the total reflection, Raman scattering, and photoluminescence of SiNP upon irradiation with γ-rays directly in the production process (in situ). Materials and Methods: The formation of nanoporous silicon structu...

Improved optical properties of Dy3+ doped phosphors by spherical SiO2 particles

Ceramics International

Розроблено теоретичні і практичні рекомендації щодо застосування інструментів управління виробничим потенціалом із метою підвищення результативності діяльності підприємства на основі зростання його виробничої активності з врахуванням зовнішніх та внутрішніх факторів розвитку. Система управління виробничим потенціалом підприємства виконує такі функції, як планування, організація, аналіз, регулювання, облік і контроль. Їхнє виконання здійснюється завдяки прийняттю управлінських рішень, які повинні бути своєчасними й обґрунтованими. Запропоновані рекомендації щодо вдосконалення управління виробничим потенціалом підприємства мають універсальний характер і можуть застосовуватися як на різних часових рівнях управління, так і в управлінні різними аспектами економічної діяльності підприємства.

The di‐interstitial in silicon: Electronic properties and interactions with oxygen and carbon impurity atoms

physica status solidi (a), 2017

ИНЖЕКЦИОННЫЙ ОТЖИГ КОМПЛЕКСА СОБСТВЕННОЕ ДИМЕЖДОУЗЛИЕ-КИСЛОРОД В КРЕМНИИ p-ТИПА Аннотация. Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) с использованием n +-p-структур исследовано влияние инжекции неосновных носителей заряда (электронов) на отжиг комплекса собственное димеждоузлие-кислород (I 2 O) в кремнии, облученном альфа-частицами. Показано, что в легированном бором кремнии, имеющем удельное сопротивление 10 Ом•см, инжекционно-стимулированный отжиг этого комплекса при комнатной температуре начинается при плотности прямого тока ~1,5 А/см 2. При этом суммарная концентрация радиационных дефектов не превышала 15 % от начальной концентрации бора. В результате инжекционно-стимулированного отжига I 2 O образуется двухвалентная дырочная ловушка с уровнями E v + 0,43 эВ и E v + 0,54 эВ. Установлено, что в кремнии р-типа проводимости эта ловушка соответствует эмиссии дырок метастабильной конфигурацией бистабильного дефекта (BH-конфигурация). В основной конфигурации (ME-конфигурация) этот бистабильный дефект проявляет себя как электронная ловушка с уровнем E c-0,35 эВ. На основании данных об отношении амплитуд сигнала DLTS бистабильного дефекта в различных конфигурациях сделан вывод, что в ME-конфигурации он ведет себя как центр с отрицательной корреляционной энергией. Показано, что наличие инжекционно-стимулированных процессов существенно затрудняет получение достоверных данных о кинетике образования бистабильного дефекта в BH-конфигурации при исследовании термического отжига комплекса собственное димеждоузлие-кислород. Ключевые слова: кремний, радиационные дефекты, междоузельные атомы, рекомбинационно-ускоренные реакции Для цитирования. Инжекционный отжиг комплекса собственное димеждоузлие-кислород в кремнии p-типа / Л. Ф. Макаренко [и др.] // Вес. Нац. акад. навук Беларусi.