Análise de modelos de defeitos dipolares no espinélio Mg Al2 O4 através da técnica de simulação computacional estática (original) (raw)
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Simulação e análise de defeitos em nanoaneis de ferro
2019
Nos últimos anos, houve grandes avanços no estudo de propriedades magnéticas de nanoestruturas magnéticas e este tópico ainda continua sendo alvo de pesquisa no campo da física nos dias de hoje. Do ponto de vista teórico, há interesse na análise das propriedades magnéticas em nanoelementos magnéticos por causa da grande possibilidade de aplicações tecnológicas, como sensores e memórias magnéticas. Dentre esses nanoelementos magnéticos, nanoaneis têm sido investigados devido à atratividade de suas propriedades físicas e à potencialidade de sua aplicação em dispositivos funcionais. Nanoaneis magnéticos podem constituir células de memória de alta performance, que podem eficientemente armazenar, gravar e ler informações. No entanto, nanoaneis defeituosos são inevitáveis no caso de produção em massa. Os defeitos presentes nessas nanoestruturas podem afetar as propriedades magnéticas de todo o sistema, além disso, a inserção de defeitos propositais pode resultar em maior controle das fases que surgirão ou de outros parâmetros de interesse. Diante dessas possibilidades, estuda-se nanoaneis isolados de ferro com a presença de defeitos na forma de assimetria. Os nanoaneis são estudados em função da variação dos parâmetros geométricos da espessura do anel e do tamanho da assimetria. O objetivo é investigar as propriedades magnéticas, focando no comportamento do campo coercivo e da magnetização remanescente, e o processo de reversão de magnetização através da histerese magnética e pela configuração dos momentos magnéticos em remanência. Utilizou-se simulação micromagnética, que se baseia na minimização do torque realizado pelo campo magnético efetivo local sobre o dipolo magnético de cada célula de simulação. Os resultados obtidos mostram aumento do campo coercivo com aumento da assimetria; comportamento variado da magnetização remanescente, conforme a configuração, porém com queda abrupta para anéis simétricos; e aumento do campo necessário para saturar, conforme diminui-se o defeito.
Síntese do espinélio MgAl2O4 via "sol-gel
Cerâmica, 2005
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SITEFA - Simpósio de Tecnologia da Fatec Sertãozinho, 2022
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2017
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2018
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