Hybrid memory cell for induced by spin-polarized electron current switching and write / read process that uses such memory cell (original) (raw)

2005

Abstract

Magnetoresistive Hybrid-Speicherzelle mit: einer ersten Stapelstruktur (9) mit einem magnetischen Tunnelubergang einschlieslich erster und zweiter magnetischer Gebiete (10, 11), die in paralleler, ubereinanderliegender Weise gestapelt und von einer Schicht (12) nichtmagnetischen Materials getrennt sind, wobei das erste magnetische Gebiet (10) einen fixierten ersten magnetischen Momentvektor (17) und das zweite magnetische Gebiet (11) einen freien zweiten magnetischen Momentvektor (18) aufweist, wobei der freie zweite magnetische Momentvektor (18) zwischen einer selben und entgegengesetzten Richtung bezuglich des fixierten ersten magnetischen Momentvektors (17) des ersten magnetischen Gebiets (10) umschaltbar ist; einer zweiten Stapelstruktur (23), die wenigstens teilweise lateral zur ersten Stapelstruktur (9) angeordnet ist und ein drittes magnetisches Gebiet (20) mit einem fixierten dritten magnetischen Momentvektor (21) sowie das zweite magnetische Gebiet (11) aufweist, wobei der ...

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