INFLUENCE OF γ - IRRADIATION ON THERMAL SENSOR CHARACTERISTICS BASED ON Si (original) (raw)
Related papers
Электрические свойства Gе и Si, деформированных при низких температурах
Надточий В.А., Нечволод Н.К., 2016
Структурные исследования ковалентных полупроводников, деформированных при низких температурах, показали важную роль вакансий в пластичности приповерхностных слоев. Дислокационные петли, возникающие под действием деформации в области объемного заряда p-n-перехода кремния, значительно снижают время жизни неравновесных носителей заряда, инжектируемых в базу. На вольтамперных характеристиках p-n-перехода с дислокациями обнаруживается резкое возрастание обратного тока.
Measuring Equipment and Metrology
Анотація. Виконано математичне моделювання та експериментальні вимірювання кінетичних та енергетичних характеристик чутливих елементів термоперетворювачів на основі термометричного матеріалу Ti 1-x Mo x CoSb у діапазоні температур 80-400 К. Попередні дослідження електрофізичних, енергетичних та структурних властивостей термометричних матеріалів, отриманих легуванням напівгейслерової фази TiCoSb атомами Ni та V, відповідно, показали, що вони володіють стабільними та відтворюваними характеристиками у температурному діапазоні 4,2-1000 К. Встановлено, що результати моделювання термометричних характеристик чутливих елементів на основі TiCo 1-x Ni x Sb та Ti 1-x V x CoSb не узгоджувалися з результатами експериментальних вимірювань, що унеможливило їхнє використання для виготовлення чутливих елементів термометрів опору та термоелектричних перетворювачів. Моделювання електронної структури термометричних матеріалів Ti 1-x Mo x CoSb методом функцій Гріна (метод Корінги-Кона-Ростокера (KKR)) у наближенні когерентного потенціалу (Coherent Potential Approximation) та локальної густини (Local Density Approximation) з використанням ліцензованого програмного забезпечення AkaiKKR та SPR-KKR для обміннокореляційного потенціалу з параметризацією Moruzzi-Janak-Williams показало, що заміщення атомів Ti на Mo генерує у кристалі структурні дефекти донорної природи (у Mo більше 3d-електронів, ніж у Ti), а в забороненій зоні поблизу зони провідності ε С утворюється домішковий донорний рівень (зона) 2 D ε. Експериментальні вимірювання електрокінетичних характеристик термометричних матеріалів Ti 1-x Mo x CoSb встановили наявність високотемпературних активаційних ділянок на залежностях питомого опору ln(ρ(1/T)), що вказує на розташування рівня Фермі ε F у забороненій зоні напівпровідника, а це можливо за умови генерування акцепторів, які захоплюють вільні електрони, зменшуючи їхню концентрацію, та гальмують рух рівня Фермі ε F до рівня протікання зони провідності ε С. Отже, легування сполуки TiCoSb домішкою Mo призводить до генерування у кристалі структурних дефектів акцепторної та донорної природи. Встановлено механізми електропровідності чутливих елементів термоперетворювачів. Ключові слова: електронна структура, електроопір, коефіцієнт термо-ЕРС.
Журнал технической физики, 2019
The effect of thermal annealing on the photovoltaic properties of a GaP/Si heterostructures obtained by plasma-enhanced atomic layer deposition under different conditions is examined. It is shown that in the structures containing amorphous GaP, annealing at 550°C leads to a sharp decrease in the quantum efficiency and open-circuit voltage, while in the structures with microcrystalline GaP on an epitaxial sublayer, the photovoltaic characteristics are improved. Annealing at a temperature of 750°C improves the photovoltaic characteristics in all the structures due to the diffusion of phosphorus atoms from GaP to Si and leads to the formation of a layer with n -type conductivity in the substrate. As the annealing temperature is increased to 900°C, the carrier lifetime in the silicon substrate decreases. It is shown that the atomic-layer-deposition technique is promising for the formation of a GaP nucleation layer on the surface of silicon before subsequent epitaxial growth.
Sensor Electronics and Microsystem Technologies, 2020
Анотація. Вперше виготовлені фоточутливі діоди Шотткі графіт/n-Si шляхом рисування тонких плівок графіту на поверхні монокристалічної солі (NaCl) і перенесення їх на монокристалічні пластини n-Si. Виміряно прямі та зворотні вольт-амперні характеристики діодів Шотткі графіт/n-Si при різних температурах, а також при освітленні білим світлом інтенсивністю P opt = 80 мВт/см 2. Визначено домінуючі механізми струмопереносу через гетероперехід: при прямому зміщенні ВАХ добре описуються в рамках тунельно-рекомбінаційної моделі за участі поверхневих станів, а при зворотному зміщенні протікає невеликий струм витоку через шунтуючий опір. Встановлено, що при освітленні білим світлом інтенсивністю P opt = 80 мВт/см 2 , зворотний струм I light зростає в порівнянні з його величиною у темряві I dark більше, ніж на порядок внаслідок розділення фотогенерованих електрон-діркових пар. З вищесказаного можна зробити висновок що виготовлений діод Шотткі можна використовувати як фоточутливий прилад.
Presented work is dedicated to examination of contact fusion in the system aluminium-silicon-aluminium. The influence of electric current on contact fusion kinetics is investigated. The influence of continuance and electric current direction on distribution of elements in joining is determined. Представлена робота присвячена вивченню контактного плавлення в системі алюміній-кремній-алюміній. Досліджується вплив електричного струму на кінетику контактного плавлення. Встановлено вплив тривалості та напрямку протікання постійного електричного струму на розподіл елементів у з’єднанні.
Pengaruh Variasi Temperatur Kalsinasi Pada Struktur Silika
2014
Dalam penelitian ini telah dibuat mikrosilika dan silika amorf yang dikalsinasi dengan variasi temperatur 800 o C, 1000 o C dan 1200 o C. Bahan dasar yang digunakan adalah pasir silika berfasa quartz dari pantai Bancar, Tuban, Jawa Timur yang dimurnikan dengan menggunakan HCl. Tahapan yang dilakukan adalah sintesis, kalsinasi, dan kopresipitasi mikrosilika, serta kalsinasi silika amorf. Karakterisasi SiO 2 menggunakan X-Ray Diffractometer (XRD). Fasa quartz terbentuk dari kalsinasi mikrosilika pada temperatur 800 o C dan 1000 o C, sedangkan fasa quartz dan cristobalite rendah terbentuk pada temperatur 1200 o C. Silika amorf terbentuk dari kopresipitasi mikrosilika terkalsinasi, hal ini menyatakan bahwa proses kalsinasi mikrosilika tidak mempengaruhi fasa yang dihasilkan ketika mikrosilika terkalsinasi dikopresipitasi. Fasa tridymite dan critobalite terbentuk dari kalsinasi silika amorf pada temperatur 1000 o C dan 1200 o C, sedangkan pada temperatur 800 o C terbentuk silika amorf ...
Ukrainian Chemistry Journal, 2020
The existence of the AgFeS2 and Ag2FeS2 compounds in the equilibrium concentration space of the Ag–Fe–S system was established by the EMF method. Investigations were performed in the electrochemical cells (ECCs) of the type (−) С | Ag | SЕ | R(Ag+) | PЕ | С (+), where C is the inert electrode (graphite), Ag is the negative (left) electrode, SE is the solid electrolyte, PE is the positive (right) electrode, R(Ag+) is the region of Ag+ diffusion into PE. Ag2GeS3 glass was used as the solid-state electrolyte with purely Ag+ ionic conductivity. The SnS2–FeS2–Ag2FeS2 (A) phase region of the Ag–Fe–Sn–S system is formed with the participation of three-component compounds. The cross-sections AgFeS2–Ag2FeSnS4, AgFeS2–Ag2FeSn3S8, and AgFeS2–SnS2 carry out the division of (A). Spatial position of the two-phases FeS2–AgFeS2, AgFeS2–Ag2FeS2 and three-phases AgFeS2–Ag2FeSn3S8–SnS2, AgFeS2–Ag2FeSnS4–Ag2FeSn3S8 regions of (A) regarding the point of silver was used to write the equations of the over...
Dislocation Segregation of Si in Cu Si Studied Using Energy Loss Imaging in the Tem
Institute of Physics Conference Series, 1995
невозможно найти указания на обязательность участия защитника в прениях, поэтому ст. 292 УПК РФ «Содержание и порядок прений сторон» нуждается в дальнейшей доработке. *** Тенденции развития науки и образования поэтому особо важным считается вопрос реформирования существующих норм права, в частности норм, определяющих ограниченные вещные права. Ключевые слова: Гражданский кодекс РФ, проект Гражданского кодекса РФ, ограниченные вещные права, реформа Гражданского кодекса.