Modeling the Influence of Temperature on Electron Landau Levels in Semiconductors (original) (raw)
Related papers
Sensor Electronics and Microsystem Technologies
A dipole layer on the semiconductor’s surface with the equal concentration of oppositely charged adsorbed atoms (e. g., oxygen and metal) Ns(-) = Ns(+) can decrease the electron affinity by up to 3 eV. The analytical part of this paper demonstrates that the asymmetry in the surface concentration of oxygen and metal can impact the affinity in two ways: when Ns(-) > Ns(+), the affinity’s decrease is lower due to upward bending of the bands in the region of the space charge of the semiconductor, while when Ns(-) < Ns(+) the affinity’s decreases greater due to the downward bending of the bands. Such impact is desirable as it facilitates fabrication of surfaces with low work function for modern emission electronic devices.
PhD thesis - 'Electronic Processes at the Interface of Organic Semiconductors
2017
The thesis focuses on study of optical and photovoltaic properties of iso-type and aniso-type heterostructures based on photosensitive layers of organic semiconductors. The primary attention has been paid on determination of optimal conditions for preparation of organic thin-film structures of methyl substituted perylene pigment, hexathiopentacene and SnCl2 phthalocyanine. These structures are perspective for fabrication of photosensitive heterostructures and can be used for development of effective photoconverters of solar energy. The influence of annealing and substrate temperature during thermal deposition of the films on morphology and surface structure, optical and photovoltaic properties of thin films of methyl substituted perylene pigment, hexathiopentacene and SnCl2 phthalocyanine was studied. The surface and bulk parameters of considered films were determined from the results obtained here. The photovoltaic and optical properties of organic iso-type and aniso-type heterostr...
Prikladnaya diskretnaya matematika, 2016
Институт вычислительной математики и математической геофизики Сибирского отделения РАН, г. Новосибирск, Россия Представлены клеточно-автоматные стохастические модели рекомбинации электронов и дырок в неоднородном полупроводнике в двумерном и трёхмерном случаях. Исследована кинетика процесса рекомбинации электронов и дырок в режимах чистой диффузии, диффузии с туннелированием и диффузии частиц при наличии рекомбинационных центров. Изучен характер электронно-дырочных пространственных корреляций, полученных с помощью клеточно-автоматной модели, и связанного с этим формирования сегрегации в 2D-и 3D-полупроводниках. Путём численного моделирования вычислены и исследованы основные характеристики процесса рекомбинации: плотности частиц и интенсивность фотолюминесценции. Кроме того, проанализирована зависимость времени выполнения параллельных программ, реализующих клеточно-автоматные модели рекомбинации в двумерном и трёхмерном случаях, от значений таких модельных параметров, как начальная плотность электронно-дырочных пар и размер моделируемой области.
Vìsnik Hmelʹnicʹkogo nacìonalʹnogo unìversitetu, 2022
Представленим в даній роботі науковим результатом є подальший розвиток застосування теорії Ламе-Гадоліна про взаємодію складених товстостінних циліндрів для оцінки міцності електронних компонентів, що мають форму тіл обертання та оточуючого шару компаунду при довільній формі заливки останнього в умовах термоудару. В межах осесиметричної задачі проведена оцінка напружено-деформованого стану системи електронний компонент-компаунд при перепаді температур, завдяки чому виявлено закономірність виникнення максимальних загальних радіальних, окружних та осьових напружень в залежності від їх радіального розподілу та режиму температурного навантаження. Здійснено розрахунок напружень в резисторі С2-29В герметизованому компаундом марки ЕЗК-25 в складі гермомодуля при сталому перепаді температур. Запропоновано експериментальний спосіб визначення граничних напружень в електронних компонентах герметизованих компаундом. Представлені ефективні технологічні методи захисту електронних компонентів герметизованих компаундом. Ключові слова: герметизований електронний модуль, електронний компонент, компаунд, міцність, напружено-деформований стан
Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 2014
Розроблено модель механізму гетерогенної рекомбінації атомів на ZnS, ZnS, CdS-Ag за участю метастабільних електронних станів, що генеруються іонізуючим випромінюванням. Проведено чисельне та математичне моделювання, знайдено, що електронний канал може бути основним каналом акомодації енергії рекомбінації атомів H на розглянутих зразках. Встановлені області активаційного і релаксаційного каталізу Ключові слова: метод Монте-Карло, математичне моделювання, алгоритм, акомодація, поверхня Разработана модель механизма гетерогенной рекомбинации атомов на ZnS, ZnS,CdS-Ag при участии метастабильных электронных состояний, генерируемых ионизирующим излучением. Проведено численное и математическое моделирование, установлено, что электронный канал может быть основным каналом аккомодации энергии рекомбинации атомов H на рассматриваемых образцах. Установлены области активационного и релаксационного катализа Ключевые слова: метод Монте-Карло, математическое моделирование, алгоритм, аккомодация, поверхность