GaN:ssä sekä AIGaN:ssä esiintyvien hilavirheiden tutkiminen positroniannihilaatiospektroskopialla (original) (raw)

2000

Abstract

Työssä tutkittiin GaN- ja AlGaN-ohutkalvonäytteissä esiintyviä hilavirheitä positroniannihilaatiospektroskopialla. Työssä käytettiin TKK:n Fysiikan laboratorion kahta hitaiden positronien suihkua ja positronien elinaikamittalaitteistoa. Työssä mitattiin positronien keskimääräinen elinaika kahdessa HVPE-kasvatetussa GaN-ohutkalvonäytteessä. Vapaan positronin elinajaksi GaN-hilassa saatiin 156 ps ja galliumvakanssiin loukkuuntuneen positronin elinajaksi 235 ps. Nämä ovat samat kuin aiemmin tutkituissa erilliskiteissä. Näytteiden ei havaittu sisältävän Ga-vakanssien lisäksi muita positroneja loukkuunnuttavia virheitä. Positronin loukkuuntumiskertoimen lämpötilariippuvuus määritettiin elinaikamittausten perusteella. Loukkuuntumiskertoimen havaittiin noudattavan T[1/2]-lämpötilariippuvuutta, mikä osoittaa galliumvakanssin olevan negatiivisesti varautunut. Mitattujen GaN-näytteiden dislokaatio- ja epäpuhtaustiheyden oli mitattu olevan suurempi lähellä substraatin ja ohutkalvon välistä raj...

Jani Kivioja hasn't uploaded this paper.

Let Jani know you want this paper to be uploaded.

Ask for this paper to be uploaded.