Si Microwave Switches Research and Design (original) (raw)

ELECTROPHYSICAL PROPERTIES OF THE Si-SALT MELT INTERFACE

ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МЕЖФАЗНОЙ ГРАНИЦЫ Si-СОЛЕВОЙ РАСПЛАВ Санкт-Петербургский государственный университет, 199034, Санкт-Петербург, Российская Федерация Необходимые измерения для сплошного контроля кремниевых пластин при производ-стве солнечных элементов можно осуществить методом эффекта поля с использованием жидкостного полевого электрода. Однако зарядовые состояния, локализованные на интер-фейсе, обусловливают наличие фундаментального ограничения на точность определения параметров поверхности полупроводника. Плотность и распределение поверхностных со-стояний можно варьировать, выбрав жидкостной полевой электрод, что даёт возможность оптимизации техники измерений. Нами выбраны жидкостные электроды, которые имеют одинаковый химический состав и отличаются тем, что в растворе ионы находятся в соль-ватированом состоянии, а в расплаве сохранён кристаллический ближний порядок вплоть до поверхности. Изучение интерфейсов n-Si (n Si = 6,5 · 10 14 см −3) с раствором и низко-температурн...

Силициум Карбид (Silicon Carbide SiC)

2021

Силициум карбид (познат и како Карборундум) е важна безоксидна керамика со разновидна индустриска примена. Поседува извонредни особини како висока јакост и тврдост, хемиска и температурна стабилност, висока точка на топење, отпорност на оксидација и ерозија итн. Сите овие карактеристики го прават силициум карбидот погоден за електронски уреди со голема моќност и висока температура, како и за абразивна примена и сечење, и токму тој семикондуктер кој се избира за примена во сурови средини (изложеност на висока радијација, на високи температури и во корозивни услови).

A room temperature Si3N4/SiO2membrane-type electrical substitution radiometer using thin film platinum thermometers

Measurement Science and Technology, 2006

Работа посвящена дискуссионным вопросам принятия нового Уголовно-процессуального кодекса Украины, рассматриваются проблемы презумпции невиновности, положения потерпевшего, такие меры пресечения, как содержание под стражей и подписка о невыезде, вносятся предложения о дополнении и усовершенствовании действующего Уголовно-процессуального кодекса. The article devoted to the controversial issue of today being on the adoption of new Criminal Procedural Code of Ukraine, the problems of the presumption of innocence, position of the victim, such precautionary measures as detention and sign ban, and proposals to complement and improve ment the current Criminal Procedure Code are regarded. Постановка проблеми. Досліджуються питання презумпції невинуватості, положення потерпілого у кримінальному процесі України, питання застосування запобіжного заходу підписки про невиїзд, вносяться пропозиції про доповнення заходів процесуального примусу новим запобіжним заходом "відстрочка взяття під варту" Дослідженням розглянутих проблем займалися такі вчені, як Ю.

Electric Tunable Structures Based on BaZrxTi1–x O3 and BaSnxTi1–xO3 Solid Solutions for Microwave Applications

Journal of the Russian Universities. Radioelectronics

Introduction. An experimental study of the structural and electrophysical properties of multicomponent films of solid solutions of barium titanate-zirconate and barium titanate-stannate on sapphire substrates has been carried out. These materials are an alternative to the more studied barium-strontium titanate for use in microwave technology, due to the relatively high controllability. In this paper, it is shown that when using post-post high-temperature annealing, films with a component composition close to the composition of the sprayed targets are formed on the substrate. Optimal deposition temperatures of thin films of barium titanate-zirconate and barium titanate-stannate have been determined to obtain the best electrophysical parameters.Aim. Investigation of structural and microwave properties of BaZrxTi1-xO3 (BZT) and BaSnxTi1–xO3 (BSnT) films on dielectric substrates. These ferroelectric materials are promising in terms of losses and nonlinearity, and the formation of planar...

Switched Reluctance Motor Drive with Pic Microcontroller

DergiPark (Istanbul University), 2003

Anahtarlamalı relüktans motorlar (ARM)'ın üretim maliyeti düşük, bakımları ucuz ve verimleri yüksektir. Bu motorlar yük altında kalkınmaya ve değişken hızlı sürücüler için uygun karakteristiğe sahip olmalarına rağmen çalışmalarında denetleyici, sürme devresi ve konum bilgisine ihtiyaç duyarlar. Bu çalışmada, gerilim denetimli bir konvertör tasarımı ve uygulaması gerçekleştirilerek ARM hız denetimi sağlanmıştır. Denetimde bir PIC16F877 mikrodenetleyicisi kullanılmıştır.

Technical Implementation and Research of the Switched Reluctance Starter-Generator Experimental Sample

Praci Institutu elektrodinamiki Nacionalanoi akademii nauk Ukraini, 2020

Розглянуто вентильно-індукторну машину як альтернативу стартер-генераторам на основі асинхронних машин та машин постійного струму. Представлено структурну схему експериментального зразка вентильноіндукторного стартер-генератора. Проведено експериментальні дослідження стартер-генератора в режимі двигуна при пусках за наявності регулювання рівня фазного струму. Досліджено роботу вентильно-індукторного стартер-генератора в генераторному режимі, проаналізовано квазісталі та перехідні процеси, викликані зміною навантаження. Водночас визначено динамічні та статичні показники якості енергії в разі накидання та скидання навантаження: тривалість перехідних процесів, перехідне та стале відхилення напруги постійного струму, її коефіцієнт пульсацій та гармонічний склад. Показано, що генерована електроенергія за якістю відповідає стандартам. Дані експериментальних досліджень підтверджують можливість використання вентильно-індукторної машини як стартер-генератора за умови його виконання відповідно до описаного в статті технічного рішення. Бібл. 10, рис. 5, таблиця. Ключові слова: вентильно-індукторна машина, вентильний перетворювач, стартер-генератор, система керування, акумуляторна батарея, перехідний процес, гармонічний склад. Вступ. Для запуску двигунів енергоблоків і транспортних засобів як електричних стартерів доцільно використовувати стартер-генератор. Під час пуску він працює як двигун, а після запуску-як генератор. Застосування стартер-генератора дає значну економію за масою пускових пристроїв, оскільки в одній машині поєднано двигун і генератор. У конструктивному відношенні стосовно безпосередньо електричних машин стартергенератори як на основі машини постійного струму, так і асинхронної машини, практично не відрізняються від класичних машин цих типів. Однак стартер-генератор на основі машини постійного струму (наприклад, типу ГСР-СТ) має паралельну і послідовну обмотки збудження: у режимі двигуна працюють або обидві обмотки, або тільки послідовна; у режимі генератора збудження здійснює паралельна обмотка [1]. Асинхронний стартер-генератор укомплектований напівпровідниковим перетворювачем, виконаним за схемою автономного інвертора напруги. У генераторному режимі перетворювач виконує функції системи збудження і забезпечує асинхронний генератор реактивною потужністю. У режимі двигуна за його допомогою здійснюється запуск первинних двигунів відповідно до заданих умов [2, 3]. Перспективне використання вентильно-індукторних машин (ВІМ) як стартер-генераторів описано в [4]. Водночас питання розробки і створення їх фізичних моделей та дослідження режимів у технічній літературі розглянуто недостатньо [5-7]. Метою статті є проілюструвати одне із можливих технічних рішень, яке використано при розробці та створенні експериментального зразка вентильно-індукторного стартер-генератора (ВІСтГ) та результати дослідження його стартерного і генераторного режимів. Експериментальний зразок ВІСтГ. Зразок складається з ВІМ, комутатора фаз (вентильний перетворювач), блоку накопичувальних конденсаторів та системи керування. Вентильно-індукторну машину (рис. 1 а) виконано за схемою: шість полюсів статора (рис. 2 а) і чотири полюси ротора (рис. 2 б). Комутатор створено на основі MOSFET транзисторів та зворотних діодів, закріплених на теплопровідному радіаторі та сполучених з блоком конденсаторів (БК) та з фазними обмотками ВІМ (рис. 1 б). Стартер-генератор має такі номінальні дані: потужність-3 кВт; напруга постійного струму-28 В; частота обертання  3000 об/хв.

Investigation of the Influence of Silicon Nanowire Synthesis Parameters on the Characteristics of Photosensitive Sensors

2023

Проблематика. Фоточутливі сенсори широко застосовуються як у повсякденному житті в кліматсистемах, так і в засобах зв'язку та освітленості вулиць. Для покращення робочих параметрів фоточутливих сенсорів запропоновано використовувати кремнієві нанонитки (КНН). Велику кількість досліджень присвячено впливу технологічних параметрів синтезу на розміри КНН. Однак для ефективного використання КНН у складі сенсорів бракує дослідження впливу поверхневої морфології масиву КНН на електричні та фоточутливі параметри сенсорів на їх основі. Мета роботи. Метою даної роботи є синтез кремнієвих нанониток методом метало-стимульованого хімічного травлення (МАСЕ), дослідження їх поверхневої морфології та виготовлення фотодіодів на їх основі для встановлення впливу параметрів синтезу КНН на характеристики фоточутливих сенсорів з огляду на особливості їх будови. Результати досліджень. Синтезовано та досліджено фоточутливі сенсори діодного типу на основі КНН. Показано вплив наступних технологічних параметрів синтезу КНН на їх латеральну і вертикальну морфологію та робочі характеристики діодних сенсорів на їх основі: часу першого та другого етапу МАСЕ, вмісту нітриду срібла та перекису водню в розчинах першого та другого етапу МАСЕ, а також текстурування поверхні та обробки в ізотропному та анізотропному травниках. Максимальні робочі параметри одержаних фоточутливих сенсорів на основі масиву КНН були наступними: коєфіцієнт випрямлення 1320 та коєфіцієнт фоточутливості 3,1 мА/лмВ. Висновки. Одержані результати свідчать про те, що технологічні параметри першої та другої стадії МАСЕ та пре-і пост-хімічна обробка мають значний вплив на збільшення шорсткості поверхні, висоти і пористості КНН, що в свою чергу впливає на електричні та фоточутливі параметри сенсорів. Встановлено оптимальні параметри синтезу КНН для одержання максимальної фоточутливості. Ключові слова: метало-стимульоване хімічне травлення; фоточутливі сенсори; фотодіоди; кремнієві нанонитки. Problem. Photosensitive sensors are widely used both in everyday life in climate systems and in communication devices and street lighting. In order to improve the performance parameters of photosensitive sensors, the use of silicon nanowires (SiNWs) has been proposed. A large number of articles are dedicated to the influence of synthesis parameters on the dimensions of SiNWs. However, there is a lack of research on the impact of the surface morphology of SiNW arrays on the electrical and photosensitive parameters of sensors based on them. The purpose of the work The aim of this work is to synthesize silicon nanowires using the metal-assisted chemical etching method, investigate their surface morphology, and fabricate photodiodes based on them to examine the influence of SiNW synthesis parameters on the characteristics of photosensitive sensors, considering the peculiarities of their structure. Research results. Photosensitive sensors of diode type based on SiNWs were synthesized and investigated. The influence of the following synthesis parameters of SiNWs on their lateral and vertical morphology as well as on characteristics of diode sensors based on them was demonstrated: the duration of the first and second stages of metal-assisted chemical etching (MACE), the content of silver nitride and hydrogen peroxide in the solutions of the first and second stages of MACE, as well as surface texturing and processing in isotropic and anisotropic etchants. The maximum operational parameters of the obtained photosensitivity sensors based on the SiNW array were as follows: rectification coefficient of 1320 and photosensitivity coefficient of 3.1 mA/lmV. Conclusions. The obtained results indicate that the technological parameters of the first and second stages of MACE, as well as pre-and post-chemical treatments, have a significant influence on increasing of the surface roughness, height, and porosity of SiNWs, which in turn affect the electric and photosensitive parameters of the sensors. Optimal SiNWs synthesis parameters for achieving of maximum photosensitivity have been established.