Etude du champ lointain de la double hétérostructure laser GaInAsSb/GaAlAsSb (original) (raw)

Analyse des transistors à effet de champ Mesfet GaAs

2010

Je remercie ALLAH le Tout-puissant de m'avoir donner le courage, la volonté et la patience de mener à terme ce travail. Cette mémoire a été effectuée au département d'électronique, faculté des sciences de l'ingénieur, sous la direction de : Mme Cherifa AZIZI, Professeur à l'Université de Oum El Bouaghi. Je lui exprime particulièrement toute ma reconnaissance pour m'avoir fait bénéficier de ces compétences scientifiques, ses qualités humaines et sa constante disponibilité. J'exprime mes sincères remerciements à Madame M. Marir, Professeur à l'université de Constantine, d'avoir accepter de présider le Jury de cette mémoire. Je remercie aussi sincèrement Madame Thouraya BOUCHMAT, Professeur à l'université de Constantine, d'avoir accepter de faire partie du Jury. Je remercie Madame Frida MANSOUR, Professeur à l'université de Constantine, d'avoir accepter de faire partie du Jury. Je remercie tous les enseignants qui est contribué à mon travail,

Dislocations d'interface et défauts de volume dans l'hétérostructure GaSb/GaAs

Revue de Physique Appliquée, 1990

2014 Du GaSb a été déposé sur du GaAs par épitaxie par jets moléculaires à 470 °C. A cette température la croissance est tridimensionnelle dans les premiers stades de l'épitaxie. Après coalescence des îlots de GaSb, la croissance devient bidimensionnelle. Les dislocations liées au désaccord paramétrique de 8 % sont toutes de type Lomer. Elles sont organisées en réseau périodique à deux dimensions. La très faible densité de défauts expérimentalement observée est liée au nombre réduit d'imperfections qui existent au niveau du système de dislocations d'interface. Abstract. 2014 GaSb on GaAs has been grown by Molecular Beam Epitaxy at 470 °C. At this temperature a 3dimensional growth mode occurs at the first stage of the epitaxy. After GaSb island coalescence the growth As et Sb. Elle est équipée d'un dispositif de diffrac

Photodétecteurs infrarouges non redroidis à superréseaux InAs/GaSb: modélisation et caractérisation optique

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Optique binaire pour la mise en forme spatiale de faisceaux laser IR, visible et UV

Journal de Physique IV (Proceedings), 2006

Nous montrons les possibilités de mises en forme d'amplitude et de polarisation des faisceaux laser qu'offrent quelques Eléments Optiques Diffractifs binaires simples. E.O.D Diffraction inverse Optique Diffractive ∆φ(x,y) Laser Figure 1. L'optique diffractive au service de la mise en forme spatiale.