DDR2 SDRAM | это... Что такое DDR2 SDRAM? (original) (raw)
У этого термина существуют и другие значения, см. DDR.
типы DRAM памяти |
---|
FPM RAM EDO RAM Burst EDO RAM SDRAM DDR SDRAM DDR2 SDRAM DDR3 SDRAM DDR4 SDRAM Rambus RAM QDR SDRAM VRAM WRAM SGRAM GDDR2 GDDR3 GDDR4 GDDR5 |
DDR2 SDRAM (англ. double-data-rate two synchronous dynamic random access memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных, второе поколение) — это тип оперативной памяти, используемой в вычислительной технике в качестве оперативной и видеопамяти. Пришла на смену памяти DDR SDRAM.
Содержание
Описание
Как и DDR SDRAM, DDR2 SDRAM использует передачу данных по обоим срезам тактового сигнала, за счёт чего при такой же частоте шины памяти, как и в обычной SDRAM, можно фактически удвоить скорость передачи данных (например, при работе DDR2 на частоте 100 МГц эквивалентная эффективная частота для SDRAM получается 200 МГц). Основное отличие DDR2 от DDR — вдвое большая частота работы шины, по которой данные передаются в буфер микросхемы памяти. При этом, чтобы обеспечить необходимый поток данных, передача на шину осуществляется из четырёх мест одновременно. Итоговые задержки оказываются выше, чем для DDR.
Внешнее отличие модулей памяти DDR2 от DDR — 240 контактов (по 120 с каждой стороны)
Микросхемы памяти DDR2 производятся в новом корпусе типа BGA (FBGA).
Напряжение питания микросхем: 1,8 В
Потребляемая мощность: 247 мВт
Интерфейс ввода-вывода: SSTL_18
Burst Length: 4/8
Prefetch Size: 4-bit
Новые функции: ODT, OCD Calibration, Posted CAS, AL (Additive Latency)
Совместимость
DDR2 не является обратно совместимой с DDR, поэтому ключ на модулях DDR2 расположен в другом месте по сравнению с DDR и вставить модуль DDR2 в разъём DDR, не повредив последний (или первый), невозможно.
Существуют переходники для установки модулей DDR2 в слоты DDR[1], но их можно рассматривать скорее как технологический курьез. Дело в том, что для функционирования такого переходника необходим контроллер памяти, обладающий способностью работать как с памятью типа DDR, так и DDR2 — например, Intel 915 Express.
Технические стандарты
Микросхемы
Тип чипа | Частота памяти | Частота шины | Эффективная частота |
---|---|---|---|
DDR2-400 | 100 МГц | 200 МГц | 400 МГц |
DDR2-533 | 133 МГц | 266 МГц | 533 МГц |
DDR2-667 | 166 МГц | 333 МГц | 667 МГц |
DDR2-800 | 200 МГц | 400 МГц | 800 МГц |
DDR2-1066 | 266 МГц | 533 МГц | 1066 МГц |
Модули
Для использования в ПК, DDR2 RAM поставляется в модулях DIMM с 240 контактами и одним ключом (прорезью в полосе контактов). DIMM’ы различаются по максимальной скорости передачи данных (часто называемой пропускной способностью)
Название модуля | Частота шины | Тип | Пиковая скорость передачи данных |
---|---|---|---|
PC2-3200 | 200 МГц | DDR2-400 | 3200 МБ/с или 3,2 ГБ/с |
PC2-4200 | 266 МГц | DDR2-533 | 4200 МБ/с или 4,2 ГБ/с |
PC2-5300 | 333 МГц | DDR2-667 | 5300 МБ/с или 5,3 ГБ/с1 |
PC2-5400 | 337 МГц | DDR2-675 | 5400 МБ/с или 5,4 ГБ/с |
PC2-5600 | 350 МГц | DDR2-700 | 5600 МБ/с или 5,6 ГБ/с |
PC2-5700 | 355 МГц | DDR2-711 | 5700 МБ/с или 5,7 ГБ/с |
PC2-6000 | 375 МГц | DDR2-750 | 6000 МБ/с или 6,0 ГБ/с |
PC2-6400 | 400 МГц | DDR2-800 | 6400 МБ/с или 6,4 ГБ/с |
PC2-7100 | 444 МГц | DDR2-888 | 7100 МБ/с или 7,1 ГБ/с |
PC2-7200 | 450 МГц | DDR2-900 | 7200 МБ/с или 7,2 ГБ/с |
PC2-8000 | 500 МГц | DDR2-1000 | 8000 МБ/с или 8,0 ГБ/с |
PC2-8500 | 533 МГц | DDR2-1066 | 8500 МБ/с или 8,5 ГБ/с |
PC2-9200 | 575 МГц | DDR2-1150 | 9200 МБ/с или 9,2 ГБ/с |
PC2-9600 | 600 МГц | DDR2-1200 | 9600 МБ/с или 9.6 ГБ/с |
Быстрейшей серийно выпускаемой памятью DDR2 является Team Xtreem PC2-10400, которая, однако, имеет большие задержки — 6-6-6-х и повышенное напряжение питания — 2.35-2.45 В. Для таймингов 5-5-5-х, по-видимому, быстрейшими серийными модулями являются PC2-9600, а для 4-4-4-х — PC2-8888 производства Corsair и Geil Ultra Plus PC2-9280. Существуют также модули с наименьшими задержками, CL3, со значительно меньшей скоростью работы. Самыми быстрыми из них являются PC2-6400[2].
Помимо разделения по пропускной способности и ёмкости, модули делятся по:
- наличию дополнительного чипа памяти для кода коррекции ошибок. Обозначаются символами ECC, например, так: PC2-6400 ECC;
- наличию специализированной микросхемы адресации — register.
«Обычные» модули обозначаются как «non-registered» или «unbuffered». Регистр в буферированных — «registered» — модулях улучшает качество сигнала командно-адресных линий (ценой дополнительного такта задержки при обращении), что позволяет поднять частоты и использовать до 36 микросхем памяти на модуль, создавая модули повышенной емкости, которые обычно применяются в серверах и рабочих станциях. Практически все выпускающиеся сейчас модули DDR2 Reg также оснащены ECC. - наличию микросхемы AMB (Advanced Memory Buffer). Такие модули называются полностью буферированными (fully buffered), обозначаются буквами F или FB и имеют другое расположение ключа на модуле. Это дальнейшее развитие идеи registered модулей — Advanced Memory Buffer осуществляет буферизацию не только сигналов адреса, но и данных, и использует последовательную шину к контроллеру памяти вместо параллельной. Эти модули нельзя устанавливать в материнские платы, разработанные для других типов памяти, и положение ключа этому препятствует.
Как правило, даже если материнская плата поддерживает registered и unbuffered (обычная память) модули, модули разных типов (registered и unbuffered) не могут работать совместно на одном канале. Несмотря на механическую совместимость разъёмов, Registered память просто не запустится в материнской плате, рассчитанной на применение обычной (небуферизованной) памяти и наоборот. Наличие/отсутствие ECC никоим образом не влияет на ситуацию. Всё это касается как обычной DDR, так и DDR-II.
Категорически невозможно использовать Registered память вместо обычной памяти и наоборот. Без всяких исключений. Единственным исключением в настоящее время являются двухпроцессорные LGA1366 платы, которые работают как с обычной, так и с Registered DDR-III, однако смешивать в одной системе два типа памяти нельзя.
Преимущества по сравнению с DDR
- Более высокая полоса пропускания
- Как правило, меньшее энергопотребление
- Улучшенная конструкция, способствующая охлаждению
Недостатки по сравнению с DDR
- Обычно более высокая CAS-латентность (от 3 до 6)
- Итоговые задержки при одинаковых (или даже более высоких) частотах оказываются выше
DDR2 постепенно вытесняется DDR3.
См. также
Литература
В. Соломенчук, П. Соломенчук Железо ПК. — 2008. — ISBN 978-5-94157-711-8
Примечания
Ссылки
Типы динамической памяти с произвольным доступом (DRAM) | |
---|---|
Асинхронная | FPM RAM · EDO RAM |
Синхронная | SDRAM · DDR SDRAM · Mobile DDR (LPDDR) · DDR2 SDRAM · DDR3 SDRAM · DDR4 SDRAM |
Графическая | VRAM · WRAM · MDRAM · SGRAM · GDDR · GDDR2 · GDDR3 · GDDR4 · GDDR5 |
Rambus | RDRAM · XDR DRAM · XDR2 DRAM |