Забродский, Андрей Георгиевич | это... Что такое Забродский, Андрей Георгиевич? (original) (raw)

Андрей Георгиевич Забродский
Дата рождения: 26 июня 1946(1946-06-26) (66 лет)
Место рождения: Херсон, СССР
Страна: Flag of the Soviet Union.svg СССР Flag of Russia.svg Россия
Научная сфера: физика
Место работы: ФТИ им. Иоффе
Учёная степень: доктор физико-математических наук
Учёное звание: профессор
Альма-матер: ЛПИ
Награды и премии Нагрудный знак «Изобретатель СССР» Премия Совета Министров СССР

Андрей Георгиевич Забродский (род. 26 июня 1946, Херсон, СССР) — советский и российский физик. Доктор физико-математических наук, профессор. Член-корреспондент РАН (2008). Директор ФТИ им. Иоффе.

Содержание

Биография

Родился 26 июня 1946 года в Херсоне. В 1970 году с отличием окончил факультет радиоэлектроники ЛПИ по специальности «Радиофизика и электроника» (специализация «Квантовая электроника»). Дипломную работу, посвященную исследованию пространственного излучения гетеролазеров написал в руководимом Ж. И. Алфёровым секторе ФТИ им. Иоффе. После учёбы был призван на службу в ряды Советской Армии в должности инженер-лейтенанта (1970—1972). С 1972 года - в ФТИ им. Иоффе. После обучения в аспирантуре работал инженером (1975—1978), м.н.с. (1978—1983), с.н.с. (1983—1989). С 1989 года - зав. лабораторией «Неравновесные процессы в полупроводниках». В 1975 году защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидата, в 1987 году - доктора физико-математических наук.

Научная деятельность

С 1970-х годов работал в области физики неупорядоченных систем, в которой занимался изучением их низкотемпературных свойств — проблемой эффекта переключения, затем — прыжковой проводимости и перехода металл-изолятор. В его работах была установлена, в частности, природа электронного эффекта переключения в компенсированных полупроводниках, доказано существование кулоновской щели в изоляторном состоянии вещества и то, что переход изолятор-металл в компенсированных полупроводниках носит характер фазового перехода II рода и сопровождается схлопыванием кулоновской щели.

В 1980-х годах участвовал (совместно с ГОИ) в разработке первых отечественных глубокоохлаждаемых болометров, развивает направление диагностики сверхпроводящих материалов на основе исследования эффектов магнитозависимого субмиллиметрового поглощения.

В 1980-1990-е годы предложил и развил метод спектроскопии электронных состояний в германии на основе исследования кинетики его нейтронного легирования, обусловленной реакцией захвата орбитального электрона 71Ge-71Ga, который затем был использован как в полупроводниковой, так и в ядерно-физической областях.

В 2004 году организовал в ФТИ и возглавил направление, связанное с разработкой микро- и нанотехнологий для водородной энергетики.

Автор и соавтор более 180 научных трудов.

Педагогическая и организационная деятельность

С 1989 года заведует Лабораторией неравновесных процессов в полупроводниках ФТИ РАН и руководит научной школой. С 1993 года - профессор Кафедры экспериментальной физики СПбГПУ. Читает общий курс физики, организовал учебный семинар по этому курсу. С 2003 года - директор ФТИ. В 2005 году основал и возглавил Кафедру физики и современных технологий твердотельной электроники в СПбГЭТУ.

Член диссертационного совета при СПбГПУ. Подготовил 3 кандидатов наук. Член Президиума СПбНЦ РАН.

Награды и премии

Награжден знаком «Изобретатель СССР» (1986). Удостоен премии Совета Министров СССР в составе авторского коллектива за разработку и внедрение преобразователей криогенных температур (1988).

Основные научные труды

Литература

Ссылки