BiCMOS (original) (raw)
BiCMOS (contracció de Bipolar-CMOS) és una tecnologia de fabricació de circuits integrats que combina els avantatges de les tecnologies bipolar i CMOS integrant-les juntes en una mateixa oblia. S'usa en analògica per a la fabricació d'amplificadors i en digital per a alguns components discrets.
Property | Value |
---|---|
dbo:abstract | BiCMOS (contracció de Bipolar-CMOS) és una tecnologia de fabricació de circuits integrats que combina els avantatges de les tecnologies bipolar i CMOS integrant-les juntes en una mateixa oblia. S'usa en analògica per a la fabricació d'amplificadors i en digital per a alguns components discrets. (ca) سيموس ثنائي القطب هي تقنية شبه موصلة تدمج تقنيتين منفصلتين سابقًا لأشباه الموصلات، تلك الخاصة ببوابة ترانزستور ثنائي القطب وبوابة سيموس (موسفت تكميلية)، في جهاز واحد متكامل.توفر ترانزستورات الوصلة ثنائية القطب الكهربائية سرعة عالية ومكاسب عالية مقاومة وموصلية كهربائية، وهي خصائص ممتازة لتناظرية عالية التردد ومضخم إلكتروني، بينما توفر تقنية CMOS مقاومة عالية للإدخال وممتازة لبناء بوابة منطقية كهربائية بسيطة منخفضة القدرة. طالما أن النوعين من الترانزستورات موجودان في الإنتاج، فقد أدرك مصممو الدوائر الذين يستخدمون مكونات منفصلة مزايا دمج التقنيتين؛ ومع ذلك، وبسبب نقص التنفيذ في الدوائر المتكاملة، اقتصر تطبيق هذا التصميم الحر على دوائر بسيطة إلى حد ما. تتوسع الدوائر المنفصلة المكونة من مئات أو آلاف الترانزستورات بسرعة لتحتل مئات أو آلاف السنتيمترات المربعة من مساحة لوحة الدائرة، وبالنسبة للدوائر عالية السرعة مثل تلك المستخدمة في أجهزة الكمبيوتر الرقمية الحديثة، فإن المسافة بين الترانزستورات (والحد الأدنى للسعة كهربية من الروابط بينهما) تجعل السرعات المرغوبة غير قابلة للتحقيق بشكل صارخ، بحيث إذا تعذر بناء هذه التصميمات كدوائر متكاملة، فلا يمكن بناؤها ببساطة. (ar) Bipolar CMOS (BiCMOS) is a semiconductor technology that integrates two semiconductor technologies, those of the bipolar junction transistor and the CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor) logic gate, into a single integrated circuit. In more recent times the bipolar processes have been extended to include high mobility devices using silicon–germanium junctions. Bipolar transistors offer high speed, high gain, and low output impedance with relatively high power consumption per device, which are excellent properties for high-frequency analog amplifiers including low noise radio frequency (RF) amplifiers that only use a few active devices, while CMOS technology offers high input impedance and is excellent for constructing large numbers of low-power logic gates. In a BiCMOS process the doping profile and other process features may be tilted to favour either the CMOS or the bipolar devices. For example GlobalFoundries offer a basic 180 nm BiCMOS7WL process and several other BiCMOS processes optimized in various ways. These processes also include steps for the deposition of precision resistors, and high Q RF inductors and capacitors on-chip, which are not needed in a "pure" CMOS logic design. BiCMOS is aimed at mixed-signal ICs, such as ADCs and complete software radio systems on a chip that need amplifiers, analog power management circuits, and logic gates on chip. BiCMOS has some advantages in providing digital interfaces. BiCMOS circuits use the characteristics of each type of transistor most appropriately. Generally this means that high current circuits such as on chip power regulators use metal–oxide–semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) for efficient control, and 'sea of logic' use conventional CMOS structures, while those portions of specialized very high performance circuits such as ECL dividers and LNAs use bipolar devices. Examples include RF oscillators, bandgap-based references and low-noise circuits. The Pentium, Pentium Pro, and SuperSPARC microprocessors also use BiCMOS. (en) Die Bipolar-CMOS-Technik (BiCMOS-Technik) ist eine Fertigungsmethode der Halbleitertechnik, die zwei ursprünglich getrennte Schaltungstechniken, nämlich den Schaltungen aus Bipolartransistoren (BJT) und CMOS-Logikgattern (komplementäre Metall-Oxid-Halbleiter) basierend auf Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs), in einer einzigen integrierten Schaltung vereint. In jüngerer Zeit wurden die bipolaren Prozesse auf Verbindungshalbleiter mit hoher Elektronenbeweglichkeit wie Siliciumgermanium ausgeweitet. (de) BiCMOS (contracción de Bipolar-CMOS) es el nombre de una tecnología de fabricación de circuitos integrados que combina las ventajas de las tecnologías bipolar y CMOS integrándolas juntas en un mismo wafer. Se usa en analógica para la fabricación de amplificadores y en digital para algunos componentes discretos. (es) BiCMOS (contraction de Bipolar-CMOS) est le nom d'une technique de circuit intégré alliant les avantages du CMOS et du bipolaire en un seul circuit intégré. Plus récemment, les processus bipolaires ont été étendus pour inclure des dispositifs à haute mobilité utilisant des jonctions silicium-germanium. Les transistors bipolaires offrent une grande vitesse, un gain élevé et une faible impédance de sortie avec une consommation d'énergie relativement élevée par composant. Se sont d'excellentes propriétés pour les amplificateurs analogiques haute fréquence, notamment les amplificateurs RF à faible bruit qui n'utilisent que quelques composants actifs, tandis que la technologie CMOS offre une résistance d'entrée élevée et est excellente pour construire un grand nombre de portes logiques à faible puissance. Dans un procédé BiCMOS, le profil de dopage et d'autres caractéristiques du procédé peuvent être orientés de manière à favoriser les dispositifs CMOS ou bipolaires. Par exemple, Global Foundries (anciennement IBM) propose un procédé BiCMOS7WL de base en 180 nm et plusieurs autres procédés BiCMOS optimisés de diverses manières. Les microprosseceurs Pentium, Pentium Pro, and SuperSPARC utilise BiCMOS. Un type de technologie BiCMOS est la technologie bipolaire-CMOS-DMOS (BCD), qui combine le BiCMOS avec le DMOS (MOS à double diffusion), un type de technologie MOSFET de puissance. La technologie BCD combine trois procédés de fabrication semi-conducteurs sur une puce de circuit intégré de puissance : bipolaire pour les fonctions analogiques précises, CMOS pour la conception numérique et DMOS pour les éléments d'électronique de puissance et de haute tension. Il existe deux types de BCD : les BCD haute tension et les BCD haute densité. Ils ont une large gamme d'applications, comme le BCD silicium sur isolant (SOI) utilisé pour l'électronique médicale, la sécurité automobile et la technologie audio. (fr) La tecnologia BiCMOS è una tecnologia per la produzione di componenti elettronici integrati. L'acronimo sta per Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor ed indica la tecnologia mista che integra CMOS e BJT sullo stesso chip semiconduttore. Il vantaggio di questo procedimento è il fatto che si avvalora dei vantaggi dei dispositivi realizzabili nelle due diverse tecnologie. (it) BiCMOS ou BiMOS (contração de Bipolar-CMOS) é uma técnica de circuito integrado aliando as vantagens do CMOS e do bipolar, o que significa uma forte densidade de integração e uma grande velocidade de tratamento. Esta técnica é utilizada em analógico para criar amplificadores. (pt) BiCMOS (англ. bipolar complementary metal oxide semiconductor, БиКМОП) — технология изготовления интегральных микросхем с использованием биполярных и КМОП-транзисторов на одном кристалле. Технология позволяет создавать уникальные изделия, имеющие в своём составе цифровые и аналоговые схемы, объединяя достоинства различных типов транзисторов. В последнее время технология получила распространение в микросхемах питания, например, в стабилизаторах напряжения. Особым направлением являются микросхемы, у которых логические элементы выполнены по КМОП-технологии, а выходные каскады — на биполярных элементах. Это позволяет избежать существенного недостатка схем на КМОП-элементах — больших сквозных токов в момент переключения из нулевого состояния в единичное. Такие токи приводят к возникновению мощных импульсных помех, что ограничивает применение этих микросхем в радиотехнических устройствах. Применение технологии BiCMOS позволяет объединить преимущества как МОП-, так и ТТЛ-технологий, избежав при этом их недостатков. Примеры: серии 74BCT, 74ABT — логические элементы. (ru) БіКМОН, BiCMOS (англ. bipolar complementary metal oxide semiconductor) — технологія виготовлення інтегральних мікросхем з використанням біполярних і КМОН-транзисторів на одному кристалі. Технологія дозволяє створювати унікальні вироби, що мають у своєму складі цифрові й аналогові схеми, об'єднуючи переваги різних типів транзисторів. Останнім часом технологія набула поширення в мікросхемах живлення, наприклад, в стабілізаторах напруги. Особливим напрямком є мікросхеми, у яких логічні елементи виконані по КМОН-технології, а вихідні каскади — на біполярних елементах. Це дозволяє уникнути істотного недоліку схем на КМОН-елементах — великих наскрізних струмів в момент перемикання з нульового стану в одиничний. Такі струми приводять до виникнення потужних імпульсних перешкод, що обмежує застосування цих мікросхем в радіотехнічних пристроях. Застосування технології BiCMOS дозволяє об'єднати переваги як МОН-, так і ТТЛ-технологій, уникнувши при цьому їх недоліків. Приклади: серії 74 BCT, 74ABT — логічні елементи. (uk) BiCMOS,是一种新型的半导体器件技术,它将以前两种独立的半导体器件类型——双极性晶体管(Bipolar junction transistor)和互补式金属氧化物半导体(CMOS),集成到单一集成电路上。 (zh) |
dbo:wikiPageID | 512528 (xsd:integer) |
dbo:wikiPageLength | 7407 (xsd:nonNegativeInteger) |
dbo:wikiPageRevisionID | 1122747381 (xsd:integer) |
dbo:wikiPageWikiLink | dbr:Capacitor dbr:Metal-oxide-semiconductor dbr:Hitachi dbr:Doping_(semiconductor) dbr:Input_impedance dbr:Integrated_circuit dbr:Pentium_Pro dbr:Medical_electronics dbr:Analog-to-digital_converter dbr:Low-noise_amplifier dbr:Power_MOSFET dbr:Power_management dbr:Electric_power dbr:GlobalFoundries dbr:Amplifiers dbr:Emitter-coupled_logic dbr:Westinghouse_Electric_Corporation dbr:DMOS dbr:Analog_electronics dbc:MOSFETs dbr:Mixed-signal_integrated_circuit dbr:Semiconductor_device_fabrication dbr:Logic_gate dbr:Radio_frequency dbr:Resistor dbc:Integrated_circuits dbr:High-voltage dbr:Hung-Chang_Lin dbr:Large-scale_integration dbr:Bipolar_junction_transistor dbr:Transistor dbr:Automotive_safety dbc:Logic_families dbr:CMOS dbr:Software_radio dbr:Inductor dbr:Metal–oxide–semiconductor_field-effect_transistor dbr:Microprocessor dbr:System_on_a_chip dbr:Semiconductor dbr:Silicon–germanium dbr:Output_impedance dbr:SuperSPARC dbr:Power_electronic dbr:Bandgap dbr:Silicon-on-insulator dbr:ST_Microelectronics dbr:Audio_amplifier dbr:Audio_technology dbr:Intel_P5 dbr:Complementary_MOS dbr:Power_IC |
dbp:wikiPageUsesTemplate | dbt:Citation_needed dbt:More_citations_needed dbt:Redirect-distinguish dbt:Reflist dbt:Short_description dbt:Logic_Families dbt:Electronic_components |
dct:subject | dbc:MOSFETs dbc:Integrated_circuits dbc:Logic_families |
gold:hypernym | dbr:Technology |
rdf:type | owl:Thing dbo:Company yago:WikicatLogicFamilies yago:Abstraction100002137 yago:Family108078020 yago:Group100031264 yago:Organization108008335 yago:YagoLegalActor yago:YagoLegalActorGeo yago:YagoPermanentlyLocatedEntity yago:SocialGroup107950920 yago:Unit108189659 |
rdfs:comment | BiCMOS (contracció de Bipolar-CMOS) és una tecnologia de fabricació de circuits integrats que combina els avantatges de les tecnologies bipolar i CMOS integrant-les juntes en una mateixa oblia. S'usa en analògica per a la fabricació d'amplificadors i en digital per a alguns components discrets. (ca) Die Bipolar-CMOS-Technik (BiCMOS-Technik) ist eine Fertigungsmethode der Halbleitertechnik, die zwei ursprünglich getrennte Schaltungstechniken, nämlich den Schaltungen aus Bipolartransistoren (BJT) und CMOS-Logikgattern (komplementäre Metall-Oxid-Halbleiter) basierend auf Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs), in einer einzigen integrierten Schaltung vereint. In jüngerer Zeit wurden die bipolaren Prozesse auf Verbindungshalbleiter mit hoher Elektronenbeweglichkeit wie Siliciumgermanium ausgeweitet. (de) BiCMOS (contracción de Bipolar-CMOS) es el nombre de una tecnología de fabricación de circuitos integrados que combina las ventajas de las tecnologías bipolar y CMOS integrándolas juntas en un mismo wafer. Se usa en analógica para la fabricación de amplificadores y en digital para algunos componentes discretos. (es) La tecnologia BiCMOS è una tecnologia per la produzione di componenti elettronici integrati. L'acronimo sta per Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor ed indica la tecnologia mista che integra CMOS e BJT sullo stesso chip semiconduttore. Il vantaggio di questo procedimento è il fatto che si avvalora dei vantaggi dei dispositivi realizzabili nelle due diverse tecnologie. (it) BiCMOS ou BiMOS (contração de Bipolar-CMOS) é uma técnica de circuito integrado aliando as vantagens do CMOS e do bipolar, o que significa uma forte densidade de integração e uma grande velocidade de tratamento. Esta técnica é utilizada em analógico para criar amplificadores. (pt) BiCMOS,是一种新型的半导体器件技术,它将以前两种独立的半导体器件类型——双极性晶体管(Bipolar junction transistor)和互补式金属氧化物半导体(CMOS),集成到单一集成电路上。 (zh) سيموس ثنائي القطب هي تقنية شبه موصلة تدمج تقنيتين منفصلتين سابقًا لأشباه الموصلات، تلك الخاصة ببوابة ترانزستور ثنائي القطب وبوابة سيموس (موسفت تكميلية)، في جهاز واحد متكامل.توفر ترانزستورات الوصلة ثنائية القطب الكهربائية سرعة عالية ومكاسب عالية مقاومة وموصلية كهربائية، وهي خصائص ممتازة لتناظرية عالية التردد ومضخم إلكتروني، بينما توفر تقنية CMOS مقاومة عالية للإدخال وممتازة لبناء بوابة منطقية كهربائية بسيطة منخفضة القدرة. طالما أن النوعين من الترانزستورات موجودان في الإنتاج، فقد أدرك مصممو الدوائر الذين يستخدمون مكونات منفصلة مزايا دمج التقنيتين؛ ومع ذلك، وبسبب نقص التنفيذ في الدوائر المتكاملة، اقتصر تطبيق هذا التصميم الحر على دوائر بسيطة إلى حد ما. (ar) Bipolar CMOS (BiCMOS) is a semiconductor technology that integrates two semiconductor technologies, those of the bipolar junction transistor and the CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor) logic gate, into a single integrated circuit. In more recent times the bipolar processes have been extended to include high mobility devices using silicon–germanium junctions. The Pentium, Pentium Pro, and SuperSPARC microprocessors also use BiCMOS. (en) BiCMOS (contraction de Bipolar-CMOS) est le nom d'une technique de circuit intégré alliant les avantages du CMOS et du bipolaire en un seul circuit intégré. Plus récemment, les processus bipolaires ont été étendus pour inclure des dispositifs à haute mobilité utilisant des jonctions silicium-germanium. Les microprosseceurs Pentium, Pentium Pro, and SuperSPARC utilise BiCMOS. (fr) BiCMOS (англ. bipolar complementary metal oxide semiconductor, БиКМОП) — технология изготовления интегральных микросхем с использованием биполярных и КМОП-транзисторов на одном кристалле. Технология позволяет создавать уникальные изделия, имеющие в своём составе цифровые и аналоговые схемы, объединяя достоинства различных типов транзисторов. В последнее время технология получила распространение в микросхемах питания, например, в стабилизаторах напряжения. Примеры: серии 74BCT, 74ABT — логические элементы. (ru) БіКМОН, BiCMOS (англ. bipolar complementary metal oxide semiconductor) — технологія виготовлення інтегральних мікросхем з використанням біполярних і КМОН-транзисторів на одному кристалі. Технологія дозволяє створювати унікальні вироби, що мають у своєму складі цифрові й аналогові схеми, об'єднуючи переваги різних типів транзисторів. Останнім часом технологія набула поширення в мікросхемах живлення, наприклад, в стабілізаторах напруги. Приклади: серії 74 BCT, 74ABT — логічні елементи. (uk) |
rdfs:label | سيموس ثنائي القطب (ar) BiCMOS (ca) Bipolar-CMOS-Technik (de) BiCMOS (es) BiCMOS (en) BiCMOS (fr) BiCMOS (it) BiCMOS (ru) BiCMOS (pt) BiCMOS (zh) BiCMOS (uk) |
owl:differentFrom | dbr:Bimo_(disambiguation) dbr:BIMOS |
owl:sameAs | freebase:BiCMOS yago-res:BiCMOS wikidata:BiCMOS dbpedia-ar:BiCMOS dbpedia-ca:BiCMOS dbpedia-de:BiCMOS dbpedia-es:BiCMOS dbpedia-fa:BiCMOS dbpedia-fr:BiCMOS dbpedia-it:BiCMOS dbpedia-pt:BiCMOS dbpedia-ru:BiCMOS dbpedia-uk:BiCMOS dbpedia-zh:BiCMOS https://global.dbpedia.org/id/hWvX |
prov:wasDerivedFrom | wikipedia-en:BiCMOS?oldid=1122747381&ns=0 |
foaf:isPrimaryTopicOf | wikipedia-en:BiCMOS |
is dbo:wikiPageRedirects of | dbr:Bicmos dbr:BiMOS |
is dbo:wikiPageWikiLink of | dbr:BCD dbr:Electronic_component dbr:List_of_University_of_California,_Berkeley_alumni_in_science_and_technology dbr:Bicmos dbr:List_of_University_of_Melbourne_people dbr:Pentium_(original) dbr:Depletion-load_NMOS_logic dbr:List_of_semiconductor_fabrication_plants dbr:List_of_semiconductor_scale_examples dbr:Pentium_Pro dbr:Power_management_integrated_circuit dbr:Chen_Tze-chiang dbr:GreenChip dbr:List_of_7400-series_integrated_circuits dbr:MOSFET dbr:MOSFET_applications dbr:Bickmore dbr:Tower_Semiconductor dbr:Linear_integrated_circuit dbr:Ling_adder dbr:Logic_family dbr:Logic_level dbr:R8000 dbr:7400-series_integrated_circuits dbr:Exponential_Technology dbr:Mixed-signal_integrated_circuit dbr:List_of_Intel_Pentium_Pro_processors dbr:List_of_PowerPC_processors dbr:Logic_gate dbr:Bipolar_junction_transistor dbr:Zener_diode dbr:MicroUnity dbr:RIFA_(manufacturer) dbr:Random-access_memory dbr:BiMOS dbr:Multi-project_wafer_service dbr:IBM_RS64 dbr:Ian_A._Young dbr:UltraSPARC dbr:SuperSPARC dbr:X704 dbr:X-Fab |
is foaf:primaryTopic of | wikipedia-en:BiCMOS |