CMOS (original) (raw)

About DBpedia

CMOS(complementary metal–oxide–semiconductor, 시모스) 또는 COS-MOS(complementary-symmetry metal-oxide-semiconductor)는 집적 회로의 한 종류로, 마이크로프로세서나 SRAM 등의 디지털 회로를 구성하는 데에 이용된다. 상보성 금속 산화막 반도체(相補性 金屬 酸化膜 半導體)라는 용어도 통용된다.

thumbnail

Property Value
dbo:abstract أشباه الموصّلات ذات الأكاسيد المعدنية المُتتامة (بالإنجليزية: Complementary Metal Oxide Semiconductor اختصاراً CMOS)‏ وتقرأ سيموس، هي تقنية مستخدمة في بناء الدوائر الإلكترونية المتكاملة. تحتوي شريحة CMOS على معالج دقيق ( معالج دقيق) ومتحكم دقيق ( متحكم دقيق)وذاكرة عشوائية ساكنة ( ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة) بالإضافة إلى أنواع أخرى من دوائر المنطق الرقمي.يستخدم ال CMOS العديد من الدوائر التناظرية مثل أجهزة استشعار الصور ومحولات البيانات وأجهزة الإرسال والاستقبال لعدد من الانواع المختلفة من انظمة الاتصالات. يشار ال CMOS أيضا ب complementary-symmetry metal–oxide–semiconductor أي ب ال شبه الموصل المتكامل التناظري.و ذلك بسبب حقيقة ان التصميم يستخدم ازواج متماثلة ومتناظرة من ال شبه موصل مشوب and شبه موصل مشوب من خلال (MOSFETs) (موسفت) أهم مميزات اجهزة ال CMOS هي ممانعة الضوضاء والتقليل من استهلاك الطاقة كما ان طاقته لا تستهلك بالحرارة. (ar) CMOS, també conegut com a Metall Òxid Semiconductor Complementari (de l'anglès: Complementary Metall Oxide Semiconductor, CMOS) és una tecnologia per a la construcció de circuits integrats. La tecnologia CMOS es fa servir en microprocessadors, microcontroladors, SRAM i en circuits de lògica digital, i també en circuits analògics com sensors d'imatge, i transceptors integrats per a diferents tipus de comunicació. La tecnologia CMOS va ser patentada per el 1967 (US patent 3,356,858). La tecnologia CMOS també és anomenada complementary-symmetry metal–oxide–semiconductor (o COS-MOS) Les dues característiques més importants de la tecnologia CMOS són l'alta immunitat al soroll i el baix consum energètic en repòs. Aquesta última característica es deu a la utilització conjunta de transistors PMOS i NMOS de tal manera que només hi ha consum energètic quan hi ha un canvi de sortida i, en repòs, als corrents paràsits. D'aquesta manera, els dispositius construïts amb tecnologia CMOS tenen un baix escalfament, no com altres tecnologies digitals com la tecnologia TTL (transistor-transistor lògic) o lògica NMOS, que utilitzen dispositius amb lògica de . La tecnologia CMOS permet una gran miniaturització, de manera que és possible la integració d'una alta densitat de funcions lògiques en un sol integrat. Aquest va ser el motiu principal per qual la tecnologia CMOS va convertir-se en la dècada dels anys vuitanta la tecnologia més utilitzada per implementar circuits integrats a molt gran escala. La frase «Metall-Òxid-Semiconductor» fa referència a l'estructura física amb la qual certs transistors d'efecte de camps són construïts. Aquests transistors tenen una porta de metall situada a sobre d'un aïllant d'òxid, que es troba a sobre d'un material semiconductor. Al principi es feia servir l'alumini, però va ser substituït per la . (ca) CMOS (anglicky Complementary Metal–Oxide–Semiconductor) je způsob vytváření logických členů vynalezený v 60. letech 20. století a zároveň technologie, kterou se po roce 1985 vyrábí naprostá většina logických integrovaných obvodů, včetně mikroprocesorů, jednočipových počítačů a elektronických pamětí, ale také analogových obvodů, jako jsou snímače obrazu, datové konvertory, zesilovače a transceivery používané v telekomunikacích. Nejdůležitějšími vlastnostmi obvodů CMOS je nízká spotřeba a vysoká odolnost proti šumu. Z každého páru tranzistorů MOSFET, z nichž je složeno hradlo, je vždy jeden v nevodivém stavu, proto mají obvody CMOS ve statickém stavu mnohem nižší spotřebu energie než obvody NMOS nebo TTL a produkují mnohem méně odpadního tepla; více energie se spotřebovává pouze při přepínání mezi zapnutým a vypnutým stavem tranzistorů. Velmi jednoduchá struktura logických členů a absence rezistorů umožňuje dosažení vysoké hustoty prvků na čipu. Hlavní nevýhodu – nízkou rychlost prvních řad obvodů CMOS – se podařilo odstranit díky miniaturizaci a vylepšené technologii výroby. Výraz komplementární (complementary nebo někdy complementary-symetric) vyjadřuje, že logické členy jsou vytvářeny dvojicemi doplňujících se tranzistorů MOSFET typu n a p. Zbytek zkratky „metal-oxid-semiconductor“ odkazuje na způsob realizace tvořené u prvních obvodů hliníkem odizolovaném tenkou vrstvou oxidu křemičitého od vodivého kanálu z polovodiče. Zkratky MOS a CMOS se používaly, i když se dlouhou dobu – až do technologie – používal na řídicí elektrody jiný materiál, polykrystalický křemík. Po roce 2010 od technologie se podle oznámení firem IBM a Intel kovové elektrody s dielektriky opět používají. (cs) Complementary metal-oxide-semiconductor (engl.; „komplementärer / sich ergänzender Metall-Oxid-Halbleiter“), Abk. CMOS, ist eine Bezeichnung für Halbleiterbauelemente, bei denen sowohl p-Kanal- als auch n-Kanal-MOSFETs auf einem gemeinsamen Substrat verwendet werden. Unter CMOS-Technik versteht man * sowohl den verwendeten Halbleiterprozess, der zur Realisierung von integrierten digitalen wie analogen Schaltungen (ICs) verwendet wird, * als auch eine Logikfamilie, die 4000er-Serie. Auch viele nachfolgende Logikfamilien basieren auf der CMOS-Technik. Die Technik wurde 1963 von Frank Wanlass beim Halbleiterhersteller Fairchild Semiconductor entwickelt und auch patentiert. CMOS-Prozesse sind heutzutage die meistgenutzten für die Herstellung von Logikfamilien-Bausteinen. (de) Complementary metal–oxide–semiconductor (CMOS, pronounced "sea-moss", /siːmɑːs/, /-ɒs/) is a type of metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET) fabrication process that uses complementary and symmetrical pairs of p-type and n-type MOSFETs for logic functions. CMOS technology is used for constructing integrated circuit (IC) chips, including microprocessors, microcontrollers, memory chips (including CMOS BIOS), and other digital logic circuits. CMOS technology is also used for analog circuits such as image sensors (CMOS sensors), data converters, RF circuits (RF CMOS), and highly integrated transceivers for many types of communication. The CMOS process was originally conceived by Frank Wanlass at Fairchild Semiconductor and presented by Wanlass and Chih-Tang Sah at the International Solid-State Circuits Conference in 1963. Wanlass later filed US patent 3,356,858 for CMOS circuitry and it was granted in 1967. RCA commercialized the technology with the trademark "COS-MOS" in the late 1960s, forcing other manufacturers to find another name, leading to "CMOS" becoming the standard name for the technology by the early 1970s. CMOS overtook NMOS as the dominant MOSFET fabrication process for very large-scale integration (VLSI) chips in the 1980s, also replacing earlier transistor–transistor logic (TTL) technology. CMOS has since remained the standard fabrication process for MOSFET semiconductor devices in VLSI chips. As of 2011, 99% of IC chips, including most digital, analog and mixed-signal ICs, were fabricated using CMOS technology. Two important characteristics of CMOS devices are high noise immunity and low static power consumption.Since one transistor of the MOSFET pair is always off, the series combination draws significant power only momentarily during switching between on and off states. Consequently, CMOS devices do not produce as much waste heat as other forms of logic, like NMOS logic or transistor–transistor logic (TTL), which normally have some standing current even when not changing state. These characteristics allow CMOS to integrate a high density of logic functions on a chip. It was primarily for this reason that CMOS became the most widely used technology to be implemented in VLSI chips. The phrase "metal–oxide–semiconductor" is a reference to the physical structure of MOS field-effect transistors, having a metal gate electrode placed on top of an oxide insulator, which in turn is on top of a semiconductor material. Aluminium was once used but now the material is polysilicon. Other metal gates have made a comeback with the advent of high-κ dielectric materials in the CMOS process, as announced by IBM and Intel for the 45 nanometer node and smaller sizes. (en) CMOS edo MOS osagarria zirkuitu integratuak egiteko erabiltzen den bat da. CMOS ingelerazko Complementary metal–oxide–semiconductor hitzetatik dator (Metal Oxido Erdieroale Osagarria euskaraz). CMOS teknlogia mikroprozesadoreetan, mikrokontrolagailuetan, eta beste zirkuitu digital askotan erabiltzen dira. Horrez gain, hainbat erabiliak dira, besteak beste: irudi-sentsoreetan, datu-bihurgailuetan eta integrazio-maila altuko . Frank Wanlassek patentatu zuen CMOS teknologia 1967an (US Patent 3,356,858). CMOSek batzuetan COS-MOS izena jasotzen zuen, ingelerazko complementary-symmetry metal–oxide–semiconductor hitzetatik (Metal Oxido Erdieroale Osagarri Simetrikoa euskaraz). "Osagarri simetriko" hitzek CMOS teknologiaren diseinu-digital ohikoena aipatzen dute, inplementatzeko eta MOSFET transistoreak bikoteka erabiltzen baitira. CMOS gailuek bi ezaugarri garrantzitsu dituzte. Lehena aurrean duten immunitatea da eta bestea estatikoa txikia da. Hala ere, kommutazioetako nabarmena da. Kontsumo horrek dinamikoa izena du. Ondorioz, CMOS teknologiaren TTLrena edo baino txikiagoa da. CMOS teknologiarekin -dentsitate altua dituzten txipak garatu daitezke. "Metal Oxido Erdieroale" hitzek ("metal–oxide–semiconductor" edo MOS) motako MOSFET transistoreen egiturari aipu egiten diote. transistorearen ate izeneko terminalaren metalezko elektrodoa oxidozko isolagailu baten gainean dago, eta oxidozko isolagailua, berriz, erdieroalearen gainean dago. (eu) El semiconductor complementario de óxido metálico o complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) es una de las familias lógicas empleadas en la fabricación de circuitos integrados. Su principal característica consiste en la utilización conjunta de transistores de tipo pMOS y tipo nMOS configurados de forma tal que, en estado de reposo, el consumo de energía es únicamente el debido a las corrientes parásitas, colocado en la placa base. En la actualidad, la mayoría de los circuitos integrados que se fabrican usan la tecnología CMOS. Esto incluye microprocesadores, memorias, procesadores digitales de señales y muchos otros tipos de circuitos integrados digitales de consumo considerablemente bajo. Drenador (D) conectada a tierra (Vss), con valor 0; el valor 0 no se propaga al surtidor (S) y por lo tanto a la salida de la puerta lógica. El transistor pMOS, por el contrario, está en estado de conducción y es el que propaga valor 1 (Vdd) a la salida. Otra característica importante de los circuitos CMOS es que son “regenerativos”: una señal degradada que acometa una puerta lógica CMOS se verá restaurada a su valor lógico inicial 0 o 1, siempre que aún esté dentro de los márgenes de ruido que el circuito pueda tolerar.​ (es) Complementary metal–oxide–semiconductor (CMOS) atau semikonduktor–oksida–logam komplementer, adalah sebuah jenis utama dari rangkaian terintegrasi. Teknologi CMOS digunakan di mikroprosesor, pengontrol mikro, RAM statis, dan sirkuit logika digital lainnya. Teknologi CMOS juga digunakan dalam banyak sirkuit analog, seperti sensor gambar, pengubah data, dan trimancar terintegrasi untuk berbagai jenis komunikasi. berhasil mematenkan CMOS pada tahun 1967 (US Patent 3,356,858). CMOS juga sering disebut complementary-symmetry metal–oxide–semiconductor or COSMOS (semikonduktor–logam–oksida komplementer-simetris).Kata komplementer-simetris merujuk pada kenyataan bahwa biasanya desain digital berbasis CMOS menggunakan pasangan komplementer dan simetris dari MOSFET semikonduktor tipe-p dan semikonduktor tipe-n untuk fungsi logika. Dua karakter penting dari CMOS adalah kekebalan desahnya yang tinggi dan penggunaan daya statis yang rendah. Daya hanya diambil saat transistor dalam CMOS berpindah di antara kondisi hidup dan mati. Akibatnya, peranti CMOS tidak menimbulkan bahang sebanyak sirkuit logika lainnya, seperti logika transistor-transistor (TTL) atau logika NMOS, yang hanya menggunakan peranti tipe-n tanpa tipe-p. CMOS juga memungkinkan chip logika dengan kepadatan tinggi dibuat. Kalimat "metal–oxide–semiconductor" atau semikonduktor–logam–oksida adalah sebuah sebutan pada struktur fisik beberapa transistor efek medan, memiliki gerbang elektrode logam yang terletak di atas isolator oksida logam, yang juga berada di atas bahan semikonduktor. Aluminium digunakan pertama kali, tetapi sekarang digunakan bahan polisilikon. Gerbang logam lain dibuat seiring kedatangan material dielektrik permitivitas tinggi di dalam proses pembuatan CMOS, seperti yang diumumkan oleh IBM dan Intel untuk node dan lebih kecil. (in) On appelle CMOS, ou Complementary Metal Oxide Semiconductor, une technologie de fabrication de composants électroniques et, par extension, les composants fabriqués selon cette technologie. Ce sont pour la plupart des circuits logiques (NAND, NOR, etc.) comme ceux de la famille Transistor-Transistor logic (TTL) mais, à la différence de ces derniers, ils peuvent être aussi utilisés comme résistance variable. Dans ces circuits, un étage de sortie est composé d'un couple de transistors MOSFET N et P placés de manière symétrique et réalisant chacun la même fonction. Du fait de leur caractéristique de fonctionnement inversée, un transistor est passant alors que l'autre est bloquant (ils sont donc complémentaires, d'où l'appellation complementary). (fr) CMOS（シーモス、Complementary Metal-Oxide-Semiconductor; 相補型MOS）とは、P型とN型のMOSFETをディジタル回路（論理回路）の論理ゲート等で相補的に利用する回路方式（論理方式）、およびそのような電子回路やICのことである。また、そこから派生し多義的に多くの用例が観られる（『』参照）。 相補型MOS（CMOS）プロセスは、Fairchild Semiconductor社のFrank Wanlassが考案し、翌1963年にWanlassとChih-Tang Sahが学会で発表したのが始まりである。RCA社は1960年代後半に「COS-MOS」という商標で商品化し、他のメーカーに別の名称を探させ、1970年代前半には「CMOS」が標準的な名称となるに至った。CMOSは、1980年代にNMOSを抜いてVLSI用MOSFETの主流となり、TTL（トランジスタ・トランジスタ・ロジック）技術も置き換えた。その後、CMOSはVLSIチップに搭載されるMOSFET半導体デバイスの標準的な製造プロセスであり続けている。2011年現在、ほとんどのデジタル、アナログ、ミックスドシグナルICを含むICチップの99%がCMOS技術で製造されている。 CMOSデバイスの重要な特性は、高い耐ノイズ性と低い静的電力消費である。 MOSFETのペアのうち1つのトランジスタは常にオフであるため、直列の組み合わせはオンとオフを切り替える際に瞬間的に大きな電力を消費するだけである。そのため、やTTL（トランジスタトランジスタロジック）のように、状態変化していないときにも定常電流が流れる論理回路ほど発熱せず、チップ上に高密度に集積できる。CMOSがVLSIチップの実装技術として最も広く使われるようになったのは、主にこのような理由によるものである。 MOSとはMetal（金属）-Oxide（酸化膜）-Semiconductor（半導体）の略で、MOS型電界効果トランジスタの物理的構造のことを指す。酸化膜絶縁体の上に金属ゲート電極を置き、さらにその上に半導体材料を置いたものである。かつてはアルミニウムが使われていたが、現在はシリコンが使われている。その他、IBMやインテルが45ナノメートル・ノード以下のサイズで発表したように、CMOSプロセスにおける高κ誘電体材料の登場により、金属ゲートが復活している。 商用CMOS製品は10から400mm2の長方形のシリコン片に両タイプのトランジスタを数十億個まで集積した回路である。 CMOSは常にすべてのエンハンスメントモードMOSFET（言い換えれば、ゲート-ソース間電圧がゼロの場合、トランジスタがオフになる）を使用する。 (ja) CMOS(complementary metal–oxide–semiconductor, 시모스) 또는 COS-MOS(complementary-symmetry metal-oxide-semiconductor)는 집적 회로의 한 종류로, 마이크로프로세서나 SRAM 등의 디지털 회로를 구성하는 데에 이용된다. 상보성 금속 산화막 반도체(相補性 金屬 酸化膜 半導體)라는 용어도 통용된다. (ko) Il CMOS (acronimo di complementary metal-oxide semiconductor) è un tipo di tecnologia utilizzata in elettronica digitale per la progettazione di circuiti integrati, alla cui base sta l'uso dell'invertitore a transistor MOSFET. (it) CMOS (ang. Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) – technologia wytwarzania układów scalonych, głównie cyfrowych, składających się z tranzystorów MOS o przeciwnym typie przewodnictwa i połączonych w taki sposób, że w ustalonym stanie logicznym przewodzi tylko jeden z nich. Dzięki temu układ statycznie nie pobiera żadnej mocy (pomijając niewielki prąd wyłączenia tranzystora), a prąd ze źródła zasilania płynie tylko w momencie przełączania – gdy przez bardzo krótką chwilę przewodzą jednocześnie oba tranzystory. Tracona w układach CMOS moc wzrasta nieliniowo wraz z częstotliwością przełączania, co wiąże się z przeładowywaniem wszystkich pojemności, szczególnie tych obciążających wyjścia. Układy CMOS są relatywnie proste i tanie w produkcji umożliwiając uzyskanie bardzo dużych gęstości upakowania tranzystorów na jednostce powierzchni płytki krzemu. W nowoczesnych układach powierzchnia zajmowana przez jeden tranzystor jest znacznie mniejsza od 1 µm². (pl) Complementary metal oxide semiconductor of CMOS is een halfgeleidertechniek die gebruikmaakt van metaaloxide-veldeffecttransistoren met zowel n- als p-typegeleiding. Door deze complementaire schakeling zijn circuits ofwel met de negatieve ofwel met de positieve voedingsspanning verbonden, terwijl de tegenoverliggende transistor niet geleidt, waardoor de schakeling vrijwel geen stroom verbruikt als er niet geschakeld wordt. CMOS werd in 1967 gepatenteerd door Frank Wanlass. CMOS-schakelingen worden veel gebruikt als logische poorten in geïntegreerde schakelingen, ook wel IC's genaamd, onder meer vanwege het relatief lage stroomverbruik van deze schakelingen ten opzichte van transistor-transistorlogica (TTL) wat voorheen de heersende standaard was. (nl) CMOS står för Complementary Metal Oxide Semiconductor, komplementär MOS, och är ett sätt att konstruera integrerade kretsar. Här används fälteffekttransistorer av P-kanal- och N-kanaltyp i kombination för att bygga upp logiska grindar som drar obetydlig ström, utom i de ögonblick grinden byter tillstånd. Tekniken är en förutsättning för dagens höga packningstäthet i integrerade kretsar. Kretsar av CMOS-typ används bland annat som bildsensor i digitalkameror. (sv) КМОП (комплементарная структура металл-оксид-полупроводник; англ. CMOS, complementary metal-oxide-semiconductor) — набор полупроводниковых технологий построения интегральных микросхем и соответствующая ей схемотехника микросхем. Подавляющее большинство современных цифровых микросхем — КМОП. В более общем случае название — КМДП (со структурой металл-диэлектрик-полупроводник). В технологии КМОП используются полевые транзисторы с изолированным затвором с каналами разной проводимости. Отличительной особенностью схем КМОП по сравнению с биполярными технологиями (ТТЛ, ЭСЛ и др.) является очень малое энергопотребление в статическом режиме (в большинстве случаев можно считать, что энергия потребляется только во время переключения логических состояний). Отличительной особенностью структуры КМОП по сравнению с другими МОП-структурами (N-МОП, P-МОП) является наличие как n-, так и p-канальных полевых транзисторов, локализованных в одном месте кристалла. Вследствие меньшего расстояния между элементами КМОП-схемы обладают бо́льшим быстродействием и меньшим энергопотреблением, однако при этом характеризуются более сложным технологическим процессом изготовления и меньшей плотностью упаковки на поверхности кристалла. По аналогичной технологии выпускаются дискретные полевые транзисторы с изолированным затвором (MOSFET, metal-oxide-semiconductor field-effect transistor). (ru) КМОН структура або КМОН транзистор (комплементарна структура метал-оксид-напівпровідник; англ. CMOS, Complementary-symmetry/metal-oxide semiconductor) — являє собою вид технічного процесу виготовлення польового МОН — транзистора (англ. MOSFET), що використовує симетричні комплементарні пари МОН транзисторів p-типу та n-типу для реалізації логічних функцій. Технологія КМОН використовується для побудови інтегральних мікросхем (ІС), таких як мікропроцесори, мікроконтролери, мікросхеми пам'яті та інші цифрові логічні схеми. Технологія КМОН використовується також для аналогових схем, таких як датчики зображення, перетворювачі даних, радіочастотні схеми та високо інтегровані приймачі для багатьох типів зв'язку. Основною особливістю схем КМОН в порівнянні з біполярними технологіями є дуже мале енергоспоживання в статичному режимі (здебільшого можна вважати, що енергія споживається тільки під час перемикання станів) у випадку послідовного їх з'єднання (наприклад, у вигляді інвертора, чи якоїсь іншої логічної схеми). Другою особливістю структури КМОН в порівнянні з іншими МОН-структурами (N-МОН або англ. NMOS , P-МОН або англ. PMOS) є наявність як n-, так і p-канальних польових транзисторів на одній напівпровідниковій підкладці; як наслідок, КМОН-схеми мають вищу швидкодію та менше енергоспоживання, проте при цьому характеризуються складнішим технологічним процесом виготовлення і меншою щільністю упаковки. (uk) Complementary metal–oxide–semiconductor, mais conhecido pelo seu nome comercial CMOS, também sendo nomeado como complementary-symmetry metal–oxide–semiconductor (COS-MOS), em português metal-óxido-semicondutor complementar e metal-óxido-semicondutor de simetria complementar. É um tipo de processo de fabricação que utiliza silício para a criação de MOSFET (transistor de efeito de campo de metal-óxido-semicondutor) que foi criado por Frank Wanlass e em 1963, processo este que utiliza complementos e pares simétricos de MOSFETs do tipo p e do tipo n para funções lógicas. A tecnologia CMOS é usada para construir chips de circuito integrado (CI), incluindo microprocessadores, microcontroladores, chips de memória (incluindo BIOS CMOS) e outros circuitos lógicos digitais, onde os chips são associados a uma bateria, pois sua memória é volátil, tal característica permite que se necessário o seu reset pode ser feito com facilidade, eliminando alterações via software que poderiam ser prejudiciais ao sistema e o não fazendo ligar. A tecnologia CMOS também é usada para circuitos analógicos, como sensores de imagem e transceptores altamente integrados para muitos tipos de comunicação. O CMOS é empregado em portas lógicas como inversores, portas NOR e portas NAND. (pt) 互補式金屬氧化物半導體（英語：Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，縮寫作CMOS；簡稱互補式金氧半導體），是一種積體電路的設計製程，可以在矽質晶圓模板上製出NMOS（n-type MOSFET）和PMOS（p-type MOSFET）的基本元件，由於NMOS與PMOS在物理特性上為互補性，因此被稱為CMOS。此一般的製程上，可用來製作電腦電器的靜態隨機存取記憶體、微控制器、微處理器與其他數位邏輯電路系統、以及除此之外，經過一些不同的加工處理後，可以實現比較特別的技術特性，使它可以用於光學儀器上，例如互補式金氧半图像传感裝置在一些高級數位相機中變得很常見，反而使得CMOS現在主要是感光元件的代名詞。 互補式金屬氧化物半導體具有只有在電晶體需要切換啟動與關閉時才需消耗能量的優點，因此非常節省電力且發熱量少，且製程上也是最基礎而最常用的半導體元件。早期的唯讀記憶體主要就是以这种電路制作的，由於當時電腦系統的BIOS程序和参数信息都保存在ROM和SRAM中，以致在很多情况下，當人们提到「CMOS」時，实际上指的是電腦系統之中的BIOS單元，而一般的「CMOS设置」就是意指在设定BIOS的內容。 (zh)
dbo:thumbnail wiki-commons:Special:FilePath/CMOS_inverter.svg?width=300
dbo:wikiPageExternalLink https://archive.org/details/introductiontovl00mead http://CMOSVLSI.com/ http://lasihomesite.com/ https://djena.engineering.cornell.edu/papers/2020/ted20_sam_uwbg_review.pdf http://CMOSedu.com https://web.archive.org/web/20110719014039/http:/tams-www.informatik.uni-hamburg.de/applets/cmos/
dbo:wikiPageID 49420 (xsd:integer)
dbo:wikiPageLength 54594 (xsd:nonNegativeInteger)
dbo:wikiPageRevisionID 1124670634 (xsd:integer)
dbo:wikiPageWikiLink dbr:Calculators dbr:Samsung_Electronics dbr:Electrostatic_discharge dbr:NMOS_logic dbr:Nanosecond dbr:Near-field_communication dbr:Transceiver dbr:20_µm_process dbr:Bell_Labs dbr:Bijan_Davari dbr:Bluetooth dbr:Dawon_Kahng dbr:Application-specific_integrated_circuit dbr:Hitachi dbr:Beyond_CMOS dbr:List_of_MOSFET_applications dbr:Paul_K._Weimer dbr:United_States_Air_Force dbr:VLSI dbr:Voltage dbr:De_Morgan's_laws dbr:Integrated_circuit dbr:Intersil_6100 dbr:JFET dbr:Radar dbr:Transmission_gate dbr:Silicon_Carbide dbr:10_µm_process dbr:180_nanometer dbr:Complement_(set_theory) dbr:Analogue_electronics dbr:Gate_equivalent dbr:Low-power_electronics dbr:NAND_gate dbr:OR_gate dbr:Quantum_tunnelling dbr:Quartz_watch dbr:RF_CMOS dbr:Electric_(software) dbr:Electrical_resistance dbr:Fujitsu dbr:GPS dbr:Galileo_(spacecraft) dbr:George_Clifford_Sziklai dbr:Mitsubishi_Electric dbr:Mobile_phones dbr:Mohamed_M._Atalla dbr:Multiplexers dbr:N-type_semiconductor dbr:NASA dbr:NEC dbr:Broadcast dbr:LVCMOS dbr:Transistor-transistor_logic dbr:Liquid_helium dbr:Logical_NAND dbr:MOSFET dbr:MOS_integrated_circuit dbr:Magic_(software) dbr:Silicon_dioxide dbr:Static_random-access_memory dbr:Clock_signal dbr:Frank_Wanlass dbr:Hamilton_Watch_Company dbr:PMOS_logic dbr:Patent dbr:Performance_per_watt dbr:Phenom_II dbr:Thin-film_transistor dbr:CPUs dbr:Toshiba dbr:Transceivers dbr:UCLA dbr:Data_conversion dbr:Watches dbr:Wi-Fi dbr:Wireless_revolution dbr:GSM dbr:HCMOS dbr:Latch-up dbr:Leakage_(electronics) dbr:Liquid_nitrogen dbr:Logic_family dbr:Logical_effort dbr:250_nanometer dbr:32_nanometer dbr:350_nanometer dbr:3G dbr:45_nanometer dbr:4G dbr:802.11 dbr:90_nanometer dbr:Academic_paper dbr:Aluminium dbr:Analog_circuit dbr:4000-series_integrated_circuits dbc:Digital_electronics dbc:MOSFETs dbr:Fairchild_Semiconductor dbr:FinFET dbr:Flip-flop_(electronics) dbr:Baseband_processor dbr:P-type_semiconductor dbr:Digital_electronics dbr:Microcontroller dbr:Mixed-signal_integrated_circuit dbr:End-user dbr:Semiconductor_device_fabrication dbr:Logic_gate dbr:Metal_gate dbr:Thin_film dbr:Radio dbr:Radio_frequency dbr:Relay dbc:Integrated_circuits dbr:Active_pixel_sensor dbr:Atomic_layer_deposition dbr:International_Solid-State_Circuits_Conference dbr:J._Torkel_Wallmark dbr:Telecommunication dbr:Coulomb_blockade dbr:Handheld_electronics dbr:Static_logic_(digital_logic) dbr:Asad_Abidi dbr:AND-OR-invert dbr:AND_gate dbr:Access_time dbc:Electronic_design dbr:Chih-Tang_Sah dbr:Jupiter dbr:Kelvin dbr:LED dbr:Large-scale_integration dbr:Bit dbr:TSMC dbr:High-κ_dielectric dbr:Terrestrial_television dbr:Tetrode dbr:Threshold_voltage dbr:Transistor dbr:Wireless dbr:Wireless_LAN dbr:Digital_Enhanced_Cordless_Telecommunications dbr:Automotive_electronics dbc:Logic_families dbr:CMOS_amplifier dbr:Sony dbr:Circuit_diagram dbr:Field-effect_transistor dbr:HMOS dbr:Enhancement-mode dbr:FEOL dbr:IBM dbr:Intel dbr:Micron_Technology dbr:Microprocessor dbr:Microprocessor_chronology dbr:Nanometre dbr:Operational_amplifier dbr:RCA dbr:RCA_1802 dbr:Seiko dbr:Seiko_Epson dbr:Sharp_Corporation dbr:CMOS_sensor dbr:Satellite dbr:Semiconductor dbr:Semiconductor_device dbr:Semiconductor_industry dbr:Silicon dbr:Waste_heat dbr:Wireless_sensor_network dbr:Latchup dbr:Extrinsic_semiconductor dbr:Gurtej_Sandhu dbr:Image_sensor dbr:Kibibit dbr:Digital_logic dbr:Pocket_calculator dbr:Reflections_of_signals_on_conducting_lines dbr:Transistor–transistor_logic dbr:Nanoelectronics dbr:Native_transistor dbr:Multi-threshold_CMOS dbr:Nonvolatile_BIOS_memory dbr:Thermal_oxidation dbr:Μm dbr:Polysilicon dbr:SCMOS dbr:Electronic_noise dbr:Mobile_network dbr:65_nm dbr:90_nm dbr:Mobile_communication dbr:Power_consumption dbr:Semiconductor_node dbr:Atheros dbr:Wireless_networking dbr:Analog_integrated_circuit dbr:Double_patterning dbr:Mixed-signal dbr:Milliamp dbr:Physical_layout dbr:RF_circuit dbr:RF_switches dbr:3_μm_process dbr:45_nm dbr:Very_large-scale_integration dbr:Infineon dbr:Short-circuit_current dbr:1.5_μm_process dbr:10_μm_process dbr:Mobile_computer dbr:Bipolar_transistors dbr:CDP_1801 dbr:Semiconductor_manufacturing_process dbr:Memory_chip dbr:Subthreshold_leakage dbr:Suwa_Seikosha dbr:TTL_logic dbr:20_nanometer dbr:500_nanometer dbr:File:CMOS_Inverter.svg dbr:File:CMOS_NAND.svg dbr:File:CMOS_NAND_Layout.svg dbr:File:CMOS_inverter.svg dbr:File:Cmos_impurity_profile.PNG dbr:S:United_States_patent_3356858 dbr:File:CMOS_fabrication_process.svg
dbp:wikiPageUsesTemplate dbt:As_of dbt:Citation_needed dbt:Cite_book dbt:Cite_journal dbt:Cn dbt:Commons_category dbt:Div_col dbt:Div_col_end dbt:IPA dbt:Main dbt:Nbsp dbt:Other_uses dbt:Reflist dbt:See dbt:See_also dbt:Short_description dbt:Tooltip dbt:Logic_Families dbt:Electronic_components
dct:subject dbc:Digital_electronics dbc:MOSFETs dbc:Integrated_circuits dbc:Electronic_design dbc:Logic_families
gold:hypernym dbr:Technology
rdf:type owl:Thing dbo:Company yago:WikicatLogicFamilies yago:Abstraction100002137 yago:Family108078020 yago:Group100031264 yago:Organization108008335 yago:YagoLegalActor yago:YagoLegalActorGeo yago:YagoPermanentlyLocatedEntity yago:SocialGroup107950920 yago:Unit108189659
rdfs:comment CMOS(complementary metal–oxide–semiconductor, 시모스) 또는 COS-MOS(complementary-symmetry metal-oxide-semiconductor)는 집적 회로의 한 종류로, 마이크로프로세서나 SRAM 등의 디지털 회로를 구성하는 데에 이용된다. 상보성 금속 산화막 반도체(相補性 金屬 酸化膜 半導體)라는 용어도 통용된다. (ko) Il CMOS (acronimo di complementary metal-oxide semiconductor) è un tipo di tecnologia utilizzata in elettronica digitale per la progettazione di circuiti integrati, alla cui base sta l'uso dell'invertitore a transistor MOSFET. (it) CMOS står för Complementary Metal Oxide Semiconductor, komplementär MOS, och är ett sätt att konstruera integrerade kretsar. Här används fälteffekttransistorer av P-kanal- och N-kanaltyp i kombination för att bygga upp logiska grindar som drar obetydlig ström, utom i de ögonblick grinden byter tillstånd. Tekniken är en förutsättning för dagens höga packningstäthet i integrerade kretsar. Kretsar av CMOS-typ används bland annat som bildsensor i digitalkameror. (sv) 互補式金屬氧化物半導體（英語：Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，縮寫作CMOS；簡稱互補式金氧半導體），是一種積體電路的設計製程，可以在矽質晶圓模板上製出NMOS（n-type MOSFET）和PMOS（p-type MOSFET）的基本元件，由於NMOS與PMOS在物理特性上為互補性，因此被稱為CMOS。此一般的製程上，可用來製作電腦電器的靜態隨機存取記憶體、微控制器、微處理器與其他數位邏輯電路系統、以及除此之外，經過一些不同的加工處理後，可以實現比較特別的技術特性，使它可以用於光學儀器上，例如互補式金氧半图像传感裝置在一些高級數位相機中變得很常見，反而使得CMOS現在主要是感光元件的代名詞。 互補式金屬氧化物半導體具有只有在電晶體需要切換啟動與關閉時才需消耗能量的優點，因此非常節省電力且發熱量少，且製程上也是最基礎而最常用的半導體元件。早期的唯讀記憶體主要就是以这种電路制作的，由於當時電腦系統的BIOS程序和参数信息都保存在ROM和SRAM中，以致在很多情况下，當人们提到「CMOS」時，实际上指的是電腦系統之中的BIOS單元，而一般的「CMOS设置」就是意指在设定BIOS的內容。 (zh) أشباه الموصّلات ذات الأكاسيد المعدنية المُتتامة (بالإنجليزية: Complementary Metal Oxide Semiconductor اختصاراً CMOS)‏ وتقرأ سيموس، هي تقنية مستخدمة في بناء الدوائر الإلكترونية المتكاملة. تحتوي شريحة CMOS على معالج دقيق ( معالج دقيق) ومتحكم دقيق ( متحكم دقيق)وذاكرة عشوائية ساكنة ( ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة) بالإضافة إلى أنواع أخرى من دوائر المنطق الرقمي.يستخدم ال CMOS العديد من الدوائر التناظرية مثل أجهزة استشعار الصور ومحولات البيانات وأجهزة الإرسال والاستقبال لعدد من الانواع المختلفة من انظمة الاتصالات. (ar) CMOS, també conegut com a Metall Òxid Semiconductor Complementari (de l'anglès: Complementary Metall Oxide Semiconductor, CMOS) és una tecnologia per a la construcció de circuits integrats. La tecnologia CMOS es fa servir en microprocessadors, microcontroladors, SRAM i en circuits de lògica digital, i també en circuits analògics com sensors d'imatge, i transceptors integrats per a diferents tipus de comunicació. La tecnologia CMOS va ser patentada per el 1967 (US patent 3,356,858). La tecnologia CMOS també és anomenada complementary-symmetry metal–oxide–semiconductor (o COS-MOS) (ca) CMOS (anglicky Complementary Metal–Oxide–Semiconductor) je způsob vytváření logických členů vynalezený v 60. letech 20. století a zároveň technologie, kterou se po roce 1985 vyrábí naprostá většina logických integrovaných obvodů, včetně mikroprocesorů, jednočipových počítačů a elektronických pamětí, ale také analogových obvodů, jako jsou snímače obrazu, datové konvertory, zesilovače a transceivery používané v telekomunikacích. (cs) Complementary metal-oxide-semiconductor (engl.; „komplementärer / sich ergänzender Metall-Oxid-Halbleiter“), Abk. CMOS, ist eine Bezeichnung für Halbleiterbauelemente, bei denen sowohl p-Kanal- als auch n-Kanal-MOSFETs auf einem gemeinsamen Substrat verwendet werden. Unter CMOS-Technik versteht man * sowohl den verwendeten Halbleiterprozess, der zur Realisierung von integrierten digitalen wie analogen Schaltungen (ICs) verwendet wird, * als auch eine Logikfamilie, die 4000er-Serie. (de) Complementary metal–oxide–semiconductor (CMOS, pronounced "sea-moss", /siːmɑːs/, /-ɒs/) is a type of metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET) fabrication process that uses complementary and symmetrical pairs of p-type and n-type MOSFETs for logic functions. CMOS technology is used for constructing integrated circuit (IC) chips, including microprocessors, microcontrollers, memory chips (including CMOS BIOS), and other digital logic circuits. CMOS technology is also used for analog circuits such as image sensors (CMOS sensors), data converters, RF circuits (RF CMOS), and highly integrated transceivers for many types of communication. (en) El semiconductor complementario de óxido metálico o complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) es una de las familias lógicas empleadas en la fabricación de circuitos integrados. Su principal característica consiste en la utilización conjunta de transistores de tipo pMOS y tipo nMOS configurados de forma tal que, en estado de reposo, el consumo de energía es únicamente el debido a las corrientes parásitas, colocado en la placa base. (es) CMOS edo MOS osagarria zirkuitu integratuak egiteko erabiltzen den bat da. CMOS ingelerazko Complementary metal–oxide–semiconductor hitzetatik dator (Metal Oxido Erdieroale Osagarria euskaraz). CMOS teknlogia mikroprozesadoreetan, mikrokontrolagailuetan, eta beste zirkuitu digital askotan erabiltzen dira. Horrez gain, hainbat erabiliak dira, besteak beste: irudi-sentsoreetan, datu-bihurgailuetan eta integrazio-maila altuko . Frank Wanlassek patentatu zuen CMOS teknologia 1967an (US Patent 3,356,858). (eu) On appelle CMOS, ou Complementary Metal Oxide Semiconductor, une technologie de fabrication de composants électroniques et, par extension, les composants fabriqués selon cette technologie. Ce sont pour la plupart des circuits logiques (NAND, NOR, etc.) comme ceux de la famille Transistor-Transistor logic (TTL) mais, à la différence de ces derniers, ils peuvent être aussi utilisés comme résistance variable. (fr) Complementary metal–oxide–semiconductor (CMOS) atau semikonduktor–oksida–logam komplementer, adalah sebuah jenis utama dari rangkaian terintegrasi. Teknologi CMOS digunakan di mikroprosesor, pengontrol mikro, RAM statis, dan sirkuit logika digital lainnya. Teknologi CMOS juga digunakan dalam banyak sirkuit analog, seperti sensor gambar, pengubah data, dan trimancar terintegrasi untuk berbagai jenis komunikasi. berhasil mematenkan CMOS pada tahun 1967 (US Patent 3,356,858). (in) CMOS（シーモス、Complementary Metal-Oxide-Semiconductor; 相補型MOS）とは、P型とN型のMOSFETをディジタル回路（論理回路）の論理ゲート等で相補的に利用する回路方式（論理方式）、およびそのような電子回路やICのことである。また、そこから派生し多義的に多くの用例が観られる（『』参照）。 相補型MOS（CMOS）プロセスは、Fairchild Semiconductor社のFrank Wanlassが考案し、翌1963年にWanlassとChih-Tang Sahが学会で発表したのが始まりである。RCA社は1960年代後半に「COS-MOS」という商標で商品化し、他のメーカーに別の名称を探させ、1970年代前半には「CMOS」が標準的な名称となるに至った。CMOSは、1980年代にNMOSを抜いてVLSI用MOSFETの主流となり、TTL（トランジスタ・トランジスタ・ロジック）技術も置き換えた。その後、CMOSはVLSIチップに搭載されるMOSFET半導体デバイスの標準的な製造プロセスであり続けている。2011年現在、ほとんどのデジタル、アナログ、ミックスドシグナルICを含むICチップの99%がCMOS技術で製造されている。 (ja) Complementary metal oxide semiconductor of CMOS is een halfgeleidertechniek die gebruikmaakt van metaaloxide-veldeffecttransistoren met zowel n- als p-typegeleiding. Door deze complementaire schakeling zijn circuits ofwel met de negatieve ofwel met de positieve voedingsspanning verbonden, terwijl de tegenoverliggende transistor niet geleidt, waardoor de schakeling vrijwel geen stroom verbruikt als er niet geschakeld wordt. CMOS werd in 1967 gepatenteerd door Frank Wanlass. (nl) CMOS (ang. Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) – technologia wytwarzania układów scalonych, głównie cyfrowych, składających się z tranzystorów MOS o przeciwnym typie przewodnictwa i połączonych w taki sposób, że w ustalonym stanie logicznym przewodzi tylko jeden z nich. Dzięki temu układ statycznie nie pobiera żadnej mocy (pomijając niewielki prąd wyłączenia tranzystora), a prąd ze źródła zasilania płynie tylko w momencie przełączania – gdy przez bardzo krótką chwilę przewodzą jednocześnie oba tranzystory. Tracona w układach CMOS moc wzrasta nieliniowo wraz z częstotliwością przełączania, co wiąże się z przeładowywaniem wszystkich pojemności, szczególnie tych obciążających wyjścia. (pl) КМОП (комплементарная структура металл-оксид-полупроводник; англ. CMOS, complementary metal-oxide-semiconductor) — набор полупроводниковых технологий построения интегральных микросхем и соответствующая ей схемотехника микросхем. Подавляющее большинство современных цифровых микросхем — КМОП. По аналогичной технологии выпускаются дискретные полевые транзисторы с изолированным затвором (MOSFET, metal-oxide-semiconductor field-effect transistor). (ru) Complementary metal–oxide–semiconductor, mais conhecido pelo seu nome comercial CMOS, também sendo nomeado como complementary-symmetry metal–oxide–semiconductor (COS-MOS), em português metal-óxido-semicondutor complementar e metal-óxido-semicondutor de simetria complementar. É um tipo de processo de fabricação que utiliza silício para a criação de MOSFET (transistor de efeito de campo de metal-óxido-semicondutor) que foi criado por Frank Wanlass e em 1963, processo este que utiliza complementos e pares simétricos de MOSFETs do tipo p e do tipo n para funções lógicas. A tecnologia CMOS é usada para construir chips de circuito integrado (CI), incluindo microprocessadores, microcontroladores, chips de memória (incluindo BIOS CMOS) e outros circuitos lógicos digitais, onde os chips são associ (pt) КМОН структура або КМОН транзистор (комплементарна структура метал-оксид-напівпровідник; англ. CMOS, Complementary-symmetry/metal-oxide semiconductor) — являє собою вид технічного процесу виготовлення польового МОН — транзистора (англ. MOSFET), що використовує симетричні комплементарні пари МОН транзисторів p-типу та n-типу для реалізації логічних функцій. Технологія КМОН використовується для побудови інтегральних мікросхем (ІС), таких як мікропроцесори, мікроконтролери, мікросхеми пам'яті та інші цифрові логічні схеми. Технологія КМОН використовується також для аналогових схем, таких як датчики зображення, перетворювачі даних, радіочастотні схеми та високо інтегровані приймачі для багатьох типів зв'язку. (uk)
rdfs:label CMOS (en) سيموس (ar) CMOS (ca) CMOS (cs) Complementary metal-oxide-semiconductor (de) Semiconductor complementario de óxido metálico (es) CMOS (eu) CMOS (in) CMOS (it) Complementary metal oxide semi-conductor (fr) CMOS (ja) CMOS (ko) CMOS (nl) CMOS (pl) CMOS (pt) КМОП (ru) CMOS (sv) КМОН (uk) 互補式金屬氧化物半導體 (zh)
rdfs:seeAlso dbr:4000-series_integrated_circuits dbr:IC_power-supply_pin
owl:sameAs freebase:CMOS wikidata:CMOS dbpedia-ar:CMOS dbpedia-az:CMOS dbpedia-be:CMOS dbpedia-bg:CMOS http://bn.dbpedia.org/resource/সিমস dbpedia-ca:CMOS dbpedia-cs:CMOS dbpedia-de:CMOS dbpedia-es:CMOS dbpedia-et:CMOS dbpedia-eu:CMOS dbpedia-fa:CMOS dbpedia-fi:CMOS dbpedia-fr:CMOS dbpedia-he:CMOS http://hi.dbpedia.org/resource/सीमॉस_(CMOS) dbpedia-hr:CMOS dbpedia-hu:CMOS dbpedia-id:CMOS dbpedia-it:CMOS dbpedia-ja:CMOS http://kn.dbpedia.org/resource/ಸಿ_ಎಮ್_ಒ_ಎಸ್ dbpedia-ko:CMOS http://ml.dbpedia.org/resource/സി.എം.ഓ.എസ്._(കമ്പ്യൂട്ടർ_ഹാർഡ്_വെയർ) dbpedia-nl:CMOS dbpedia-nn:CMOS dbpedia-no:CMOS dbpedia-pl:CMOS dbpedia-pt:CMOS dbpedia-ro:CMOS dbpedia-ru:CMOS dbpedia-sh:CMOS dbpedia-sk:CMOS dbpedia-sr:CMOS dbpedia-sv:CMOS http://ta.dbpedia.org/resource/துணை_உலோக_ஆக்சைடு_குறைகடத்தி dbpedia-tr:CMOS dbpedia-uk:CMOS http://ur.dbpedia.org/resource/تکمیلی_فلزی_اکسید_نیم_موصل_(تفانم) dbpedia-vi:CMOS dbpedia-zh:CMOS https://global.dbpedia.org/id/hTBu yago-res:CMOS
prov:wasDerivedFrom wikipedia-en:CMOS?oldid=1124670634&ns=0
foaf:depiction wiki-commons:Special:FilePath/CMOS_Inverter.svg wiki-commons:Special:FilePath/CMOS_NAND.svg wiki-commons:Special:FilePath/CMOS_NAND_Layout.svg wiki-commons:Special:FilePath/CMOS_fabrication_process.svg wiki-commons:Special:FilePath/CMOS_inverter.svg wiki-commons:Special:FilePath/Cmos_impurity_profile.png
foaf:isPrimaryTopicOf wikipedia-en:CMOS
is dbo:cpu of dbr:Data_General/One dbr:Casio_PB-1000__Casio_PB-1000__1
is dbo:knownFor of dbr:Andreas_Hierlemann dbr:Kamran_Eshraghian dbr:Boris_Murmann dbr:Thomas_H._Lee_(electronic_engineer)__Thomas_H._Lee__1
is dbo:wikiPageDisambiguates of dbr:CMOS_(disambiguation)
is dbo:wikiPageRedirects of dbr:C-MOS dbr:Cmos dbr:COS/MOS dbr:Complementary_Metal-Oxide-Semiconductor dbr:Complementary_Metal–Oxide–Semiconductor dbr:Complementary_Symmetry_Metal-Oxide_Semiconductor dbr:Complementary_metal–oxide–semiconductor dbr:Complementary-symmetry dbr:Complementary-symmetry_circuit dbr:Complementary_MOS dbr:Complementary_Metal_Oxide_Semiconductor dbr:Complementary_metal-oxide-semiconductor dbr:Complementary_metal-oxide_semiconductor dbr:Complementary_metal_oxide_semiconductor dbr:Complementary_metal–oxide_semiconductor dbr:Complementary_symmetry_metal_oxide_semiconductor dbr:Complimentary_Metal_Oxide_Semiconductor dbr:CMOS_based dbr:CMOS_logic dbr:CMOS_transistor
is dbo:wikiPageWikiLink of dbr:Calculator dbr:Cambridge_Z88 dbr:Canon_EOS-1D_X dbr:Canon_EOS-1D_X_Mark_II dbr:Canon_EOS-1D_X_Mark_III dbr:Canon_EOS-1Ds_Mark_II dbr:Canon_EOS-1Ds_Mark_III dbr:Canon_EOS_1000D dbr:Canon_EOS_100D dbr:Canon_EOS_1100D dbr:Canon_EOS_1200D dbr:Canon_EOS_1300D dbr:Canon_EOS_2000D dbr:Canon_EOS_20D dbr:Canon_EOS_250D dbr:Canon_EOS_300D dbr:Canon_EOS_4000D dbr:Canon_EOS_400D dbr:Canon_EOS_450D dbr:Canon_EOS_550D dbr:Canon_EOS_5D dbr:Canon_EOS_5DS dbr:Canon_EOS_5D_Mark_II dbr:Canon_EOS_5D_Mark_III dbr:Canon_EOS_5D_Mark_IV dbr:Canon_EOS_600D dbr:Canon_EOS_60D dbr:Canon_EOS_650D dbr:Canon_EOS_6D dbr:Canon_EOS_6D_Mark_II dbr:Canon_EOS_700D dbr:Canon_EOS_70D dbr:Canon_EOS_750D dbr:Canon_EOS_77D dbr:Canon_EOS_7D_Mark_II dbr:Canon_EOS_800D dbr:Canon_EOS_80D dbr:Canon_EOS_850D dbr:Canon_EOS_90D dbr:Canon_EOS_R5 dbr:Canon_EOS_R6 dbr:Canon_Inc. dbr:Capsule_endoscopy dbr:Carbon_nanotubes_in_interconnects dbr:Carver_Mead dbr:Casio_PB-1000 dbr:Amiga_Hombre_chipset dbr:Bellmac_32 dbr:Programmable_Array_Logic dbr:Psion_Organiser dbr:Push–pull_output dbr:Pyroelectricity dbr:Qualcomm_Atheros dbr:Robert_Tomasulo dbr:Ron_Reedy dbr:Samsung_Electronics dbr:Samsung_NX1000 dbr:Samsung_NX20 dbr:Sapphire dbr:Electron_beam-induced_current dbr:Electronic_Dream_Plant dbr:Electronic_component dbr:Electronic_engineering dbr:Electronics_industry_in_the_Socialist_Republic_of_Romania dbr:Electrostatic-sensitive_device dbr:EnCore_Processor dbr:Ensoniq_ES-5506_OTTO dbr:Ensoniq_Signal_Processor dbr:Ensoniq_Soundscape_OPUS dbr:List_of_Women_in_Technology_International_Hall_of_Fame_inductees dbr:List_of_abbreviations_in_photography dbr:List_of_acronyms:_C dbr:List_of_computing_and_IT_abbreviations dbr:Multi-touch dbr:NMOS_logic dbr:Network_on_a_chip dbr:Read-only_memory dbr:Semiconductor_memory dbr:Voltage_multiplier dbr:MEMS_testing dbr:MOS_Technology_6522 dbr:MOS_Technology_6551 dbr:MSX-Engine dbr:MVCML dbr:Samsung_NX200 dbr:Sheffer_stroke dbr:X87 dbr:Quantum-confined_Stark_effect dbr:UniPro dbr:Printed_electronics dbr:Professional_video_camera dbr:Programmable_ROM dbr:PrimeSense dbr:Projection_keyboard dbr:C-MOS dbr:Bijan_Davari dbr:Bill_Mensch dbr:Bipolar_Integrated_Technology dbr:Blackmagic_URSA dbr:Ali_Hajimiri dbr:Apollo_VP3 dbr:History_of_artificial_intelligence dbr:History_of_computing_hardware dbr:Hitachi_6309 dbr:Joseph_Weisbecker dbr:Berthold_Leibinger_Innovationspreis dbr:Beyond_CMOS dbr:BiCMOS dbr:List_of_University_of_Southern_California_people dbr:List_of_Yale_University_people dbr:Pathwidth dbr:Paul_K._Weimer dbr:Paul_R._Berger dbr:Peng_Lianmao dbr:Pentagon_(computer) dbr:Pentax_K20D dbr:Phase_One_(company) dbr:Revox_B215 dbr:Richard_F._Lyon dbr:Robert_Berger_(mathematician) dbr:Robert_H._Cushman dbr:Charge-induced_voltage_alteration dbr:Charge-transfer_amplifier dbr:Current-mode_logic dbr:DEC_PRISM dbr:Uranium_dioxide dbr:VAX_9000 dbr:Valencia_Koomson dbr:David_A._Hodges dbr:Deal–Grove_model dbr:Deep_Blue_(chess_computer) dbr:Defective_pixel dbr:Depletion-load_NMOS_logic dbr:Domino_logic dbr:Doping_(semiconductor) dbr:Dynamic_logic_(digital_electronics) dbr:Dynamic_voltage_scaling dbr:E-TEN dbr:ETA10 dbr:Index_of_electronics_articles dbr:Information_Age dbr:Infrared_cut-off_filter dbr:Input/output_Buffer_Information_Specification dbr:Integrated_circuit dbr:Integrated_injection_logic dbr:Integrated_quantum_photonics dbr:Intel_80286 dbr:Intel_8085 dbr:Intel_8086 dbr:Intel_8088 dbr:Intel_8253 dbr:Intel_8255 dbr:Intel_Atom dbr:Interactive_whiteboard dbr:International_Electron_Devices_Meeting dbr:International_Technology_Roadmap_for_Semiconductors dbr:Internet_access dbr:Interposer dbr:Intersil_6100 dbr:Intrapixel_and_Interpixel_processing dbr:Inverter_(logic_gate) dbr:J-SH04 dbr:J._J._Ebers_Award dbr:Motorola_68060 dbr:Nokia_5300 dbr:Level_shifter dbr:List_of_information_technology_initialisms dbr:List_of_photographic_equipment_makers dbr:List_of_semiconductor_fabrication_plants dbr:List_of_semiconductor_scale_examples dbr:Opto-isolator dbr:Teraflops_Research_Chip dbr:Transmission_gate dbr:Observational_astronomy dbr:Payam_Heydari dbr:Pentax_K-7 dbr:Pentium_III dbr:Power–delay_product dbr:Sputter_deposition dbr:Telephony dbr:Sony_Alpha_550 dbr:Supertek_Computers dbr:Timeline_of_United_States_inventions_(after_1991) dbr:Timeline_of_the_telephone dbr:1.5_µm_process dbr:10_nm_process dbr:130_nm_process dbr:14_nm_process dbr:Commodore_LCD dbr:Commodore_PET dbr:Comparison_of_computer_viruses dbr:Control_Data_Corporation dbr:CoolSPICE dbr:Cosmic_ray dbr:Cray dbr:Crossbar_(computer_hardware_manufacturer) dbr:Analog_temperature_controlled_crystal_oscillator dbr:MasPar dbr:Masaaki_Niwa dbr:Massimiliano_Versace dbr:Maxim_Integrated dbr:Mead–Conway_VLSI_chip_design_revolution dbr:Medical_imaging dbr:Meghnad_Saha_Institute_of_Technology dbr:Meiko_Scientific dbr:Memristor dbr:SK_Hynix dbr:SLIMbus dbr:Chen_Tze-chiang dbr:Erwin_Hochmair dbr:Gate_array dbr:Gate_equivalent dbr:Low-power_electronics dbr:Low-κ_dielectric dbr:Low_Power_Flip-Flop_Techniques dbr:NAND_gate dbr:NAND_logic dbr:NOR_gate dbr:OR_gate dbr:Orders_of_magnitude_(voltage) dbr:Wireless_network dbr:Power_MOSFET dbr:UMC_Green_CPU dbr:Nanomorphic_cell dbr:Smart_transducer dbr:Ultrafast_laser_spectroscopy dbr:Pulse-code_modulation dbr:Quantum_cellular_automaton dbr:Quantum_engineering dbr:R10000 dbr:R4200 dbr:R5000 dbr:RCA_CDP1861 dbr:RFIC dbr:RF_CMOS dbr:Radio-frequency_microelectromechanical_system dbr:1801_series_CPU dbr:180_nm_process dbr:Eli_Yablonovitch dbr:Ensoniq dbr:Epitaxy dbr:Fujifilm_X-S1 dbr:Fujifilm_X-T100 dbr:Fujifilm_X-T200 dbr:Fujifilm_X100 dbr:Galileo_(spacecraft) dbr:Gallium_arsenide dbr:GeForce_200_series dbr:GeForce_256 dbr:General_Instrument dbr:George_Gilder dbr:Glossary_of_electrical_and_electronics_engineering dbr:Google_Street_View dbr:Graphics_Core_Next dbr:Brain–computer_interface dbr:Mohamed_M._Atalla dbr:Mosel_Vitelic_Inc dbr:Moto_G_(3rd_generation) dbr:Motorola_68000 dbr:Multi-exposure_HDR_capture dbr:Multiclet dbr:Nakamichi_Dragon dbr:Continuous_memory dbr:Control_unit dbr:Creative_Vado dbr:Crowbar_(circuit) dbr:Cruise_control dbr:Thermography dbr:Eric_Fossum dbr:LG_KS20 dbr:LTE_(telecommunication) dbr:LVCMOS dbr:Lab-on-a-chip dbr:Pull-up_resistor dbr:Orly_Yadid-Pecht dbr:2013_in_science dbr:Andreas_Hierlemann dbr:Applied_Micro_Circuits_Corporation dbr:Aptina dbr:Leica_M10 dbr:Leica_M_(Typ_240) dbr:Leica_M_Monochrom_(Typ_246) dbr:Leica_SL2 dbr:Leica_X-U dbr:List_of_7400-series_integrated_circuits dbr:List_of_AMD_Athlon_64_processors dbr:Luxtera dbr:Lynx_X-ray_Observatory dbr:M._C._Frank_Chang dbr:MOSAID dbr:MOSFET dbr:MOSFET_applications dbr:MOS_Technology dbr:MOS_Technology_6502 dbr:Magneto-Electric_Spin-Orbit dbr:Camcorder dbr:Signetics_2650 dbr:Sinclair_Sovereign dbr:Smartphone dbr:Static_random-access_memory
is dbp:electrical of dbr:I3C_(bus)
is dbp:knownFor of dbr:Kamran_Eshraghian dbr:Thomas_H._Lee_(electronic_engineer)
is dbp:processor of dbr:Casio_FX-702P
is dbp:sensor of dbr:Fujifilm_X100 dbr:Canon_EOS-1D_Mark_II dbr:Canon_EOS_D30
is dbp:sensorType of dbr:Canon_EOS-1D_X dbr:Canon_EOS-1D_X_Mark_II dbr:Canon_EOS-1D_X_Mark_III dbr:Canon_EOS_100D dbr:Canon_EOS_1300D dbr:Canon_EOS_2000D dbr:Canon_EOS_250D dbr:Canon_EOS_4000D dbr:Canon_EOS_5DS dbr:Canon_EOS_5D_Mark_III dbr:Canon_EOS_5D_Mark_IV dbr:Canon_EOS_60D dbr:Canon_EOS_650D dbr:Canon_EOS_6D_Mark_II dbr:Canon_EOS_700D dbr:Canon_EOS_70D dbr:Canon_EOS_750D dbr:Canon_EOS_77D dbr:Canon_EOS_7D_Mark_II dbr:Canon_EOS_800D dbr:Canon_EOS_80D dbr:Canon_EOS_850D dbr:Canon_EOS_90D dbr:Blackmagic_URSA dbr:Fujifilm_X-S1 dbr:Leica_M10 dbr:Nikon_Coolpix_P1000 dbr:Nikon_D4S dbr:Nikon_D5 dbr:Nikon_D6 dbr:Nikon_D600 dbr:Nikon_D750 dbr:Nikon_D780 dbr:Nikon_Z_5 dbr:Panasonic_Lumix_DC-G9 dbr:Panasonic_Lumix_DC-GH5 dbr:Panasonic_Lumix_DC-GH5S dbr:Canon_EOS_200D dbr:Sony_α5100
is owl:differentFrom of dbr:Chondrus_crispus
is foaf:primaryTopic of wikipedia-en:CMOS