Floating-gate MOSFET (original) (raw)

About DBpedia

Memori gerbang mengambang adalah perangkat yang dapat menyimpan besaran fisika dalam waktu yang cukup lama. Dalam memori gerbang mengambang, besaran fisika masih dapat dideteksi. Jenis besaran fisika yang disimpan berbentuk bilangan biner 0 dan 1. Besaran fisika ini disimpan sebagai informasi digital. Memori gerbang mengambang digunakan dalam berbagai peralatan elektronik. Bentuk fisiknya antara lain diska lepas USB dan kartu memori. Memori gerbang mengambang memiliki ukuran yang sangat kecil. Kelebihannya adalah dapat menyimpan data dalam jumlah yang sangat besar. Pembuatan memori gerbang mengambang merupakan hasil dari perkembangan teori kuantum. Prinsip kerja dari memori gerbang mengambang didasarkan pada fenomen penerowongan kuantum dan gaya coulomb.

thumbnail

Property Value
dbo:abstract Ein Floating-Gate-Transistor ist ein spezieller Transistor, der in nichtflüchtigen Speichern zur permanenten Informationsspeicherung eingesetzt wird. Er wurde 1967 von Dawon Kahng und Simon Min Sze in den Bell Laboratories entwickelt und stellte bis zum Anfang der 2000er Jahre in integrierten Schaltungen bei den Flash-Speichern, Floating-Gate-PROMs, EPROMs und EEPROMs das elementare Speicherelement dar. Floating-Gate-Transistoren werden in Flashspeichern, insbesondere den NAND-Flash, zunehmend durch Charge-Trap-Flash (CTF) ersetzt. Durch die Vermeidung von Störeffekten, welche primär durch eng benachbarte Floating-Gate-Transistoren verursacht sind, können in CTFs kleinere Strukturgrößen und höhere Speicherdichten pro Chipfläche als mit Floating-Gates realisiert werden. (de) The floating-gate MOSFET (FGMOS), also known as a floating-gate MOS transistor or floating-gate transistor, is a type of metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET) where the gate is electrically isolated, creating a floating node in direct current, and a number of secondary gates or inputs are deposited above the floating gate (FG) and are electrically isolated from it. These inputs are only capacitively connected to the FG. Since the FG is surrounded by highly resistive material, the charge contained in it remains unchanged for long periods of time, nowadays typically longer than 10 years. Usually Fowler-Nordheim tunneling and hot-carrier injection mechanisms are used to modify the amount of charge stored in the FG. The FGMOS is commonly used as a floating-gate memory cell, the digital storage element in EPROM, EEPROM and flash memory technologies. Other uses of the FGMOS include a neuronal computational element in neural networks, analog storage element, digital potentiometers and single-transistor DACs. (en) Memori gerbang mengambang adalah perangkat yang dapat menyimpan besaran fisika dalam waktu yang cukup lama. Dalam memori gerbang mengambang, besaran fisika masih dapat dideteksi. Jenis besaran fisika yang disimpan berbentuk bilangan biner 0 dan 1. Besaran fisika ini disimpan sebagai informasi digital. Memori gerbang mengambang digunakan dalam berbagai peralatan elektronik. Bentuk fisiknya antara lain diska lepas USB dan kartu memori. Memori gerbang mengambang memiliki ukuran yang sangat kecil. Kelebihannya adalah dapat menyimpan data dalam jumlah yang sangat besar. Pembuatan memori gerbang mengambang merupakan hasil dari perkembangan teori kuantum. Prinsip kerja dari memori gerbang mengambang didasarkan pada fenomen penerowongan kuantum dan gaya coulomb. (in) 浮遊ゲートMOSFET(floating-gate MOSFET、FGMOS) とは、通常のMOSFETと似た構造を持つ電界効果トランジスタ。FGMOSではゲートが電気的に絶縁されており、直流での浮遊ノードを作る。多くの第2ゲートやインプットが浮遊ゲート(FG)の上に堆積され、電気的に絶縁されている。インプットは、FGに容量結合しているだけである。FGは電気抵抗の大きな物質に完全に囲まれているため、FGに蓄えられている電荷量は長期間変わらない。FG中の電荷量を変更するために、やホットキャリア注入が通常用いられる。 FGMOSの応用として、EPROM、EEPROM、フラッシュメモリでのデジタル記憶素子、ニューラルネットワークでのニューラル計算素子、アナログ記憶素子、、シングルトランジスタD/Aコンバータがある、 (ja) In elettronica, il Floating Gate MOSFET, spesso abbreviato con l'acronimo FGMOS, è un transistor ad effetto di campo la cui struttura è simile a quella di un MOSFET. Si tratta di un convenzionale transistore MOS con l'aggiunta di un ulteriore terminale di gate, detto Floating Gate, situato tra il substrato ed il Control Gate e separato da essi dal biossido di silicio SiO2. Questa struttura è un condensatore, ed è capace di contenere carica elettrica per periodi molto lunghi, il che ne ha permesso l'utilizzo come cella memoria in numerose applicazioni elettroniche. Alcune tra le numerose applicazioni del FGMOS sono le memorie EPROM, EEPROM e flash. Nei FGMOS a canale n l'iniezione di carica può avvenire in due modi, per hot carriers injection, come nel caso delle memoria Flash, o per effetto tunnel, come per le EEPROM; mentre nei dispositivi a canale p si usa il fenomeno di breakdown a valanga, utilizzato nella programmazione delle EPROM. (it) Транзи́стор с пла́вающим затво́ром — разновидность полевого МОП-транзистора, используемая в различных устройствах энергонезависимой памяти: флэш-памяти, EEPROM. (ru) МОН-транзи́стор з плавни́м затво́ром (англ. Floating-gate MOSFET, FGMOS) являє собою польовий транзистор, структура якого аналогічна звичайному МДН-транзистору. Затвор транзистора розташований у глибині діелектрика на деякому віддаленні від усіх контактів транзистора, що не дозволяє електронам з маленькою енергією, потрапляти на нього. Поруч з ним розташований керівний затвор. Якщо до нього прикласти високу напругу, то багато електронів набувають настільки високої енергії, що можуть проходити крізь діелектрик і осідати на плавному затворі (інжекція «гарячих» електронів), і його заряд з нейтрального стає негативним.Електрони, що потрапили на плавний затвор, можуть залишатися там протягом десятків років, причому їхня кількість не буде зменшуватися, якщо на транзистор не подається напруга. Якщо ж прикласти до керівного затвору напругу протилежного знака, то електрони починають з нього стікати, тим самим розряджаючи його. Очевидно, що плавний затвор наразі виконує ту ж роль, що і конденсатор в пам'яті DRAM — він зберігає запрограмовану інформацію. Таким чином, ми маємо два стаціонарних стани транзистора: плавний затвор або не має заряду, або заряджений негативно, відповідно, перше відповідає , а друге — одиниці. (uk) 浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管（Floating-gate MOSFET，简称浮栅MOSFET或FGMOS）是一种场效应晶体管，其结构类似传统的金属氧化物场效应晶体管（MOSFET） 。FGMOS的栅极是电绝缘的，从而在直流电中产生浮动节点。在浮栅（floating gate）上方以沉积方式构造多个次级栅极或输入电极，与浮栅绝缘。这些输入与浮栅仅有电容耦合连接。由于浮栅完全被高电阻材料包围，因此其中包含的电荷量会长时间保持不变。通常使用Fowler-Nordheim隧穿和热载流子注入机制来修改存储在浮栅中的电荷量。 FGMOS的应用包括EPROM中的数字存储元件、EEPROM和闪存、模拟存储元件、、单晶体管DAC以及神经网络中的神经元计算元件等。 (zh)
dbo:thumbnail wiki-commons:Special:FilePath/Floating_gate_transistor-en.svg?width=300
dbo:wikiPageExternalLink http://www.cs.washington.edu/homes/diorio/Publications/CoAuthConfPapers/PaulHasler/Floatgate_dev.pdf https://web.archive.org/web/20110105165103/http:/etd.gatech.edu/theses/available/etd-08062006-001021/unrestricted/ozalevli_erhan_200612_phd.pdf https://www.amazon.com/dp/3639134109 https://www.amazon.com/dp/3836441772 http://computer.howstuffworks.com/rom4.htm
dbo:wikiPageID 6241465 (xsd:integer)
dbo:wikiPageLength 11580 (xsd:nonNegativeInteger)
dbo:wikiPageRevisionID 1110403233 (xsd:integer)
dbo:wikiPageWikiLink dbr:Neural_network dbr:Read-only_memory dbr:Semiconductor_memory dbr:Non-volatile_storage dbr:Bell_Labs dbr:Dawon_Kahng dbr:Charge_trap_flash dbr:MOSFET dbr:Computer_memory dbr:Fe_FET dbr:Hot-carrier_injection dbc:MOSFETs dbr:EEPROM dbr:EPROM dbr:Field_electron_emission dbr:Flash_memory dbr:Digital_potentiometer dbr:Direct_current dbr:Artificial_neural_network dbr:Digital-to-analog_converter dbc:Transistor_types dbr:IGBT dbr:Metal–oxide–semiconductor_field-effect_transistor dbr:Capacitive_coupling dbr:Memory_cell_(computing) dbr:SONOS dbr:Ultraviolet dbr:Nonvolatile_memory dbr:Transconductance dbr:Polysilicon dbr:Mohamed_Atalla dbr:Simon_Min_Sze dbr:File:Floating_gate_transistor-en.svg dbr:Adaptive_retina
dbp:date May 2020 (en)
dbp:reason I think that's a MOSFET, specifically, right? (en)
dbp:wikiPageUsesTemplate dbt:Clarify dbt:Reflist dbt:Short_description
dcterms:subject dbc:MOSFETs dbc:Transistor_types
gold:hypernym dbr:Transistor
rdf:type yago:WikicatTransistors yago:Artifact100021939 yago:Conductor103088707 yago:Device103183080 yago:Instrumentality103575240 yago:Object100002684 yago:PhysicalEntity100001930 yago:SemiconductorDevice104171831 yago:Transistor104471632 yago:Whole100003553
rdfs:comment Memori gerbang mengambang adalah perangkat yang dapat menyimpan besaran fisika dalam waktu yang cukup lama. Dalam memori gerbang mengambang, besaran fisika masih dapat dideteksi. Jenis besaran fisika yang disimpan berbentuk bilangan biner 0 dan 1. Besaran fisika ini disimpan sebagai informasi digital. Memori gerbang mengambang digunakan dalam berbagai peralatan elektronik. Bentuk fisiknya antara lain diska lepas USB dan kartu memori. Memori gerbang mengambang memiliki ukuran yang sangat kecil. Kelebihannya adalah dapat menyimpan data dalam jumlah yang sangat besar. Pembuatan memori gerbang mengambang merupakan hasil dari perkembangan teori kuantum. Prinsip kerja dari memori gerbang mengambang didasarkan pada fenomen penerowongan kuantum dan gaya coulomb. (in) 浮遊ゲートMOSFET(floating-gate MOSFET、FGMOS) とは、通常のMOSFETと似た構造を持つ電界効果トランジスタ。FGMOSではゲートが電気的に絶縁されており、直流での浮遊ノードを作る。多くの第2ゲートやインプットが浮遊ゲート(FG)の上に堆積され、電気的に絶縁されている。インプットは、FGに容量結合しているだけである。FGは電気抵抗の大きな物質に完全に囲まれているため、FGに蓄えられている電荷量は長期間変わらない。FG中の電荷量を変更するために、やホットキャリア注入が通常用いられる。 FGMOSの応用として、EPROM、EEPROM、フラッシュメモリでのデジタル記憶素子、ニューラルネットワークでのニューラル計算素子、アナログ記憶素子、、シングルトランジスタD/Aコンバータがある、 (ja) Транзи́стор с пла́вающим затво́ром — разновидность полевого МОП-транзистора, используемая в различных устройствах энергонезависимой памяти: флэш-памяти, EEPROM. (ru) 浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管（Floating-gate MOSFET，简称浮栅MOSFET或FGMOS）是一种场效应晶体管，其结构类似传统的金属氧化物场效应晶体管（MOSFET） 。FGMOS的栅极是电绝缘的，从而在直流电中产生浮动节点。在浮栅（floating gate）上方以沉积方式构造多个次级栅极或输入电极，与浮栅绝缘。这些输入与浮栅仅有电容耦合连接。由于浮栅完全被高电阻材料包围，因此其中包含的电荷量会长时间保持不变。通常使用Fowler-Nordheim隧穿和热载流子注入机制来修改存储在浮栅中的电荷量。 FGMOS的应用包括EPROM中的数字存储元件、EEPROM和闪存、模拟存储元件、、单晶体管DAC以及神经网络中的神经元计算元件等。 (zh) Ein Floating-Gate-Transistor ist ein spezieller Transistor, der in nichtflüchtigen Speichern zur permanenten Informationsspeicherung eingesetzt wird. Er wurde 1967 von Dawon Kahng und Simon Min Sze in den Bell Laboratories entwickelt und stellte bis zum Anfang der 2000er Jahre in integrierten Schaltungen bei den Flash-Speichern, Floating-Gate-PROMs, EPROMs und EEPROMs das elementare Speicherelement dar. (de) The floating-gate MOSFET (FGMOS), also known as a floating-gate MOS transistor or floating-gate transistor, is a type of metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET) where the gate is electrically isolated, creating a floating node in direct current, and a number of secondary gates or inputs are deposited above the floating gate (FG) and are electrically isolated from it. These inputs are only capacitively connected to the FG. Since the FG is surrounded by highly resistive material, the charge contained in it remains unchanged for long periods of time, nowadays typically longer than 10 years. Usually Fowler-Nordheim tunneling and hot-carrier injection mechanisms are used to modify the amount of charge stored in the FG. (en) In elettronica, il Floating Gate MOSFET, spesso abbreviato con l'acronimo FGMOS, è un transistor ad effetto di campo la cui struttura è simile a quella di un MOSFET. Si tratta di un convenzionale transistore MOS con l'aggiunta di un ulteriore terminale di gate, detto Floating Gate, situato tra il substrato ed il Control Gate e separato da essi dal biossido di silicio SiO2. Questa struttura è un condensatore, ed è capace di contenere carica elettrica per periodi molto lunghi, il che ne ha permesso l'utilizzo come cella memoria in numerose applicazioni elettroniche. Alcune tra le numerose applicazioni del FGMOS sono le memorie EPROM, EEPROM e flash. (it) МОН-транзи́стор з плавни́м затво́ром (англ. Floating-gate MOSFET, FGMOS) являє собою польовий транзистор, структура якого аналогічна звичайному МДН-транзистору. Затвор транзистора розташований у глибині діелектрика на деякому віддаленні від усіх контактів транзистора, що не дозволяє електронам з маленькою енергією, потрапляти на нього. Поруч з ним розташований керівний затвор. Якщо до нього прикласти високу напругу, то багато електронів набувають настільки високої енергії, що можуть проходити крізь діелектрик і осідати на плавному затворі (інжекція «гарячих» електронів), і його заряд з нейтрального стає негативним.Електрони, що потрапили на плавний затвор, можуть залишатися там протягом десятків років, причому їхня кількість не буде зменшуватися, якщо на транзистор не подається напруга. Як (uk)
rdfs:label Floating-gate MOSFET (en) MOSFET de porta flotant (ca) Floating-Gate-Transistor (de) Memori gerbang mengambang (in) Floating Gate MOSFET (it) 浮遊ゲートMOSFET (ja) Транзистор с плавающим затвором (ru) 浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管 (zh) Транзистор із плавним затвором (uk)
owl:sameAs freebase:Floating-gate MOSFET yago-res:Floating-gate MOSFET wikidata:Floating-gate MOSFET dbpedia-ca:Floating-gate MOSFET dbpedia-de:Floating-gate MOSFET dbpedia-fa:Floating-gate MOSFET dbpedia-id:Floating-gate MOSFET dbpedia-it:Floating-gate MOSFET dbpedia-ja:Floating-gate MOSFET dbpedia-ru:Floating-gate MOSFET dbpedia-uk:Floating-gate MOSFET dbpedia-vi:Floating-gate MOSFET dbpedia-zh:Floating-gate MOSFET https://global.dbpedia.org/id/54xcC
prov:wasDerivedFrom wikipedia-en:Floating-gate_MOSFET?oldid=1110403233&ns=0
foaf:depiction wiki-commons:Special:FilePath/Floating_gate_transistor-en.svg
foaf:isPrimaryTopicOf wikipedia-en:Floating-gate_MOSFET
is dbo:knownFor of dbr:Dawon_Kahng
is dbo:wikiPageRedirects of dbr:FG-MOS dbr:FGMOS dbr:FGMOSFET dbr:Floating-gate dbr:Floating-gate_transistor dbr:Floating-gate_transistors dbr:Floating_Gate_MOSFET dbr:Floating_Gate_MOSFETs dbr:Floating_Gate_Transistor dbr:Floating_Gate_Transistors dbr:Floating_gate dbr:Floating_gate_MOSFET dbr:Floating_gate_transistor dbr:Floating_gate_transistors
is dbo:wikiPageWikiLink of dbr:Read-only_memory dbr:Semiconductor_memory dbr:Memistor dbr:Metal–nitride–oxide–semiconductor_transistor dbr:Dawon_Kahng dbr:History_of_computing_hardware dbr:Charge_trap_flash dbr:Insulated-gate_bipolar_transistor dbr:List_of_inventors dbr:NvSRAM dbr:Esther_Rodriguez-Villegas dbr:Non-volatile_random-access_memory dbr:Simon_Sze dbr:MOSFET_applications dbr:Computer_data_storage dbr:Computer_hardware dbr:Programmable_logic_device dbr:Active-pixel_sensor dbr:EEPROM dbr:Federico_Faggin dbr:Flash_memory dbr:Non-volatile_memory dbr:Digital_obsolescence dbr:Floating_ground dbr:History_of_computing_hardware_(1960s–present) dbr:History_of_the_transistor dbr:List_of_Korean_inventions_and_discoveries dbr:Transistor dbr:Field-effect_transistor dbr:FG-MOS dbr:FGMOS dbr:FGMOSFET dbr:IBM_Simon dbr:Memory_cell_(computing) dbr:Multi-level_cell dbr:SONOS dbr:Semiconductor_device dbr:USB_flash_drive dbr:Shī_(surname) dbr:Multigate_device dbr:Transistor_count dbr:Outline_of_information_technology dbr:Floating-gate dbr:Floating-gate_transistor dbr:Floating-gate_transistors dbr:Floating_Gate_MOSFET dbr:Floating_Gate_MOSFETs dbr:Floating_Gate_Transistor dbr:Floating_Gate_Transistors dbr:Floating_gate dbr:Floating_gate_MOSFET dbr:Floating_gate_transistor dbr:Floating_gate_transistors
is rdfs:seeAlso of dbr:Memory_cell_(computing)
is foaf:primaryTopic of wikipedia-en:Floating-gate_MOSFET