Magnetoresistive RAM (original) (raw)
La MRAM (RAM magnetorresistiva) és un tipus de memòria no volàtil desenvolupada des dels anys 90. El desenvolupament de la tecnologia existent, principalment Memòria flaix i DRAM han evitat la generalització del seu ús, encara que els seus defensors creuen que els seus avantatges són tan evidents que abans o després arribarà a un ús molt elevat.
| Property | Value |
|---|---|
| dbo:abstract | La MRAM (RAM magnetorresistiva) és un tipus de memòria no volàtil desenvolupada des dels anys 90. El desenvolupament de la tecnologia existent, principalment Memòria flaix i DRAM han evitat la generalització del seu ús, encara que els seus defensors creuen que els seus avantatges són tan evidents que abans o després arribarà a un ús molt elevat. (ca) Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) ist eine nichtflüchtige Speichertechnik, die seit den 1990er Jahren entwickelt wird. (de) La MRAM (RAM magnetorresistiva o magnética) (en inglés: magnetoresistive random-access memory) es un tipo de memoria no volátil que ha estado en desarrollo desde los años 90. El desarrollo continuado de la tecnología existente, principalmente Flash y DRAM, han evitado la generalización de su uso, aunque sus defensores creen que sus ventajas son tan evidentes que antes o después se convertirá en la tecnología dominante para todos los tipos de memorias. (es) Magnetoresistive random-access memory (MRAM) is a type of non-volatile random-access memory which stores data in magnetic domains. Developed in the mid-1980s, proponents have argued that magnetoresistive RAM will eventually surpass competing technologies to become a dominant or even universal memory. Currently, memory technologies in use such as flash RAM and DRAM have practical advantages that have so far kept MRAM in a niche role in the market. (en) La mémoire MRAM (Magnetic Random Access Memory) est une mémoire non volatile de type magnétique. En développement depuis les années 1990, cette technologie n'a jusqu'à présent jamais été commercialisée à grande échelle, notamment à cause de la concurrence des mémoires flash et DRAM. (fr) MRAM atau Magnetoresistive Random Access Memory adalah memori (RAM) yang menggunakan teknologi electron spin untuk menyimpan informasi di sebuah komputer. MRAM telah disebut "memori yang ideal", yang menggabungkan potensi kepadatan dari DRAM dengan kecepatan SRAM dan non-volatility dari flash memory atau cakram keras. MRAM dapat menolak , dan dapat beroperasi dalam kondisi suhu yang ekstrem. MRAM sangat cocok untuk aplikasi militer dan ruang. (in) La Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM memoria ad accesso casuale magnetoresistiva) è una tipologia di memoria non volatile in sviluppo dagli anni novanta che sfrutta l'effetto magnetoresistivo. Il continuo incremento di densità delle memorie flash e delle DRAM hanno relegato le memorie MRAM in un mercato di nicchia, ma i suoi proponenti sono convinti che i vantaggi di questa tecnologia siano così significativi da garantire, in futuro, un'adozione diffusa delle MRAM in ogni campo applicativo. (it) 자기 저항 메모리(Magnetoresistive random-access memory, MRAM, 엠램)는 비휘발성 컴퓨터 메모리 기술이며 1990년대부터 개발이 진행 중이다. 현재의 메모리, 특히 플래시 램과 디램의 밀도가 꾸준히 늘어나면서, 시장에서 MRAM은 틈새 제품이라는 위치를 벗어나지 못하였다. 그러나 MRAM을 지지하는 사람들은 MRAM의 뛰어난 이점 때문에 MRAM이 결국 시장을 지배하여 가 될 것으로 믿고 있다. 에서 생산 중이며 글로벌파운드리와 삼성을 포함한 다른 기업들은 제품 계획을 발표하였다. (ko) MRAM of Magnetoresistive Random Access Memory is een opslagmedium dat werkt met magnetisme. (nl) 磁気抵抗メモリ（じきていこうメモリ、英: Magnetoresistive Random Access Memory、MRAM、エムラム）は、磁気トンネル接合（Magnetic tunnel junction、MTJ）を構成要素とする不揮発性メモリである。SRAMやDRAMなどの電荷を情報記憶に用いるメモリと異なり、MRAMはMTJの磁化の状態（平行/反平行）によって情報記憶を行うため電源を切ってもデータが保たれる。 MTJの磁化反転方式の違いによりMRAM、Toggle MRAM、STT-MRAM（Spin Transfer Torque MRAM）、SOT-MRAM（Spin Orbit Torque MRAM）などの種類がある。 (ja) MRAM (ang. Magnetoresistive Random Access Memory) – rodzaj pamięci nieulotnej RAM wykorzystującej tunelowy efekt magnetorezystancyjny lub zjawisko gigantycznego magnetooporu. Element pamięciowy zbudowany jest z trzech warstw: miękkiej warstwy ferromagnetycznej, niemagnetycznej bariery tunelowej i twardej warstwy ferromagnetycznej oraz z oplotu przewodnika. Zapis polega na przemagnesowaniu miękkiego materiału magnetycznego przez płynący prąd, co powoduje zmianę rezystancji złącza. Odczyt dokonywany jest przez pomiar rezystancji. Pierwsze prace nad pamięciami MRAM dokonał IBM. Obecnie najbardziej zaawansowani w tej technologii są i Freescale Semiconductor (dawniej dział półprzewodników firmy Motorola). (pl) Магниторезистивная оперативная память (MRAM — англ. magnetoresistive random-access memory) — запоминающее устройство с произвольным доступом на основе спиновых вентилей. Хранит информацию при помощи магнитных моментов, а не электрических зарядов. Преимущество этого типа памяти — энергонезависимость, то есть способность сохранять записанную информацию (например, программные контексты задач в системе и состояние всей системы) при отсутствии внешнего питания. Технология магниторезистивной памяти разрабатывается с 1990-х годов. В сравнении с растущим объемом производства других типов компьютерной памяти, особенно флэш-памятью и памятью типа DRAM, она пока широко не представлена на рынке. Однако её сторонники верят, что благодаря ряду преимуществ она может заменить другие типы компьютерной памяти и станет по-настоящему «универсальной» основой запоминающих устройств.Современные варианты магниторезистивной памяти – выпускаемый в настоящее время STT-MRAM (spin-transfer torque MRAM, запись данных с помощью переноса спинового момента) и перспективный SOT-MRAM (spin-orbit torque MRAM, запись данных с помощью спин-орбитального вращательного момента). В России массовый выпуск микросхем и встраиваемых ячеек MRAM-памяти с 2013 года производится в Москве на заводе «Крокус наноэлектроника». (ru) MRAM (acrônimo para Magneto-resistive Random Access Memory) é um não volátil, considerada chave para a criação das novas gerações de equipamentos móveis de alto desempenho. O desenvolvimento se baseia em uma nova célula de memória que reduz pela metade o consumo de energia durante o processo de escrita de dados, uma nova arquitetura com características de alta velocidade e excelente desempenho. Os dois avanços permitirão o desenvolvimento de dispositivos de alta densidade baseados na tecnologia magneto-resistiva. Outras tecnologia parecidas até agora consumiam muita energia e eram baseadas em células - as unidades individuais de armazenamento dos dados. As empresas Nec e Toshiba conseguiram reduzir o consumo de energia criando um novo formato para a junção de tunelamento magnético que armazena a informação. Ao invés de ser retangular, a nova junção possui saliências laterais em arco no centro. A corrente necessária para a escrita foi reduzida, além de proporcionar a redução no número de erros de escrita, mesmo se houver flutuações nas características de chaveamento de cada célula. As pesquisas até hoje produziram duas propostas básicas para as estruturas das MRAM. A primeira acopla cada célula a um transistor, o que melhora o tempo de leitura, mas aumenta o tamanho da célula. Na segunda proposta, chamada de estrutura de ponto cruzado, o transistor é retirado de cada célula individual, o que reduz o tamanho da célula, mas aumenta o tempo de leitura e o número de erros, devido à geração de correntes de ladrão, que se dirigem para células não desejadas. A nova MRAM utiliza uma estrutura de ponto cruzado na qual um transistor controla quatro células. Com isto as células têm o mesmo tamanho que as células das memórias RAM convencionais, e o tempo de leitura ficou em torno de 250ns, quatro vezes mais rápido do que as MRAM com a estrutura convencional. (pt) MRAM en minnestyp som bygger på lagring av digital information i form av magnetiska fält. Minnestypen har varit under utveckling sedan 90-talet, en första prototyp demonstrerades av det tyska företaget Infineon år 2003. (sv) Магніторезисти́вна операти́вна па́м'ять (MRAM — англ. magnetoresistive random-access memory) — запам'ятовуючий пристрій з довільним доступом, який зберігає інформацію за допомогою магнітних моментів, а не електричних зарядів. Найважливіша перевага цього типу пам'яті — енергонезалежність, тобто здатність зберігати записануінформацію (наприклад, програмні контексти задач в системі і стан всієї системи) при відсутності зовнішнього живлення. Технологія магніторезистивної пам'яті розробляється з 1990-х років. В порівнянні зі зростаючим об'ємом виробництва інших типів комп'ютерної пам'яті, особливо флеш-пам'яті і пам'яті типу DRAM, вона поки не так широко розповсюджена. Однак її прихильники вірять, що завдяки ряду переваг, вона зрештою замінить всі типи комп'ютерної пам'яті, і стане по-справжньому «універсальною» комп'ютерною пам'яттю. (uk) 磁阻式隨機存取記憶體（Magnetoresistive Random Access Memory，縮寫為MRAM），是一種非易失性記憶體技術，從1990年代開始發展。這個技術的擁護者認為，這個技術速度接近SRAM，具有快閃記憶體的非揮發性，容量密度及使用壽命不輸DRAM，平均能耗遠低於DRAM，成為真正的（Universal memory）。它目前由公司生产，其他公司，包括格羅方德(GlobalFoundries)和三星集团已经宣布产品计划。 (zh) |
| dbo:thumbnail | wiki-commons:Special:FilePath/MRAM-Cell-Simplified.svg?width=300 |
| dbo:wikiPageExternalLink | http://www.semiconductorblog.com/2006/08/08/freescale-mram-an-in-depth-examination/ https://www.wired.com/news/technology/0,70190-0.html http://www.nec.co.jp/press/en/0602/0702.html http://www.research.ibm.com/thinkresearch/pages/2001/20010202_mram.shtml http://news.bbc.co.uk/1/hi/technology/5164110.stm https://web.archive.org/web/20061206192444/http:/www.tfot.info/content/view/95/59/ https://web.archive.org/web/20080821214144/http:/wired.com/news/technology/0,70190-0.html https://web.archive.org/web/20080925021347/http:/thefutureofthings.com/news/5401/new-speed-record-for-magnetic-memories.html https://web.archive.org/web/20081020075408/http:/www.bama.ua.edu/~tmewes/Java/dynamics/MagnetizationDynamics2.shtml |
| dbo:wikiPageID | 315008 (xsd:integer) |
| dbo:wikiPageLength | 46369 (xsd:nonNegativeInteger) |
| dbo:wikiPageRevisionID | 1115209192 (xsd:integer) |
| dbo:wikiPageWikiLink | dbr:Capacitor dbr:Samsung dbr:Electric_charge dbr:Electric_current dbr:Electromagnetic_induction dbc:Spintronics dbr:Honeywell dbr:Peter_Grünberg dbr:Charge_pump dbr:United_Microelectronics_Corporation dbr:University_of_California,_Los_Angeles dbr:Dynamic_random-access_memory dbr:International_Electron_Devices_Meeting dbr:Personal_computer dbr:NvSRAM dbc:Emerging_technologies dbr:Crocus_Technology dbr:Memristor dbr:Low-power_electronics dbr:Non-volatile_random-access_memory dbr:Spin_valve dbr:Electrical_resistance_and_conductance dbr:Electron dbr:Freescale_Semiconductor dbr:GlobalFoundries dbr:Grandis_(company) dbr:Mobile_telephone dbr:Motorola dbr:NEC dbr:NXP_Semiconductors dbr:MOSFET dbr:Static_random-access_memory dbr:Phase-change_memory dbr:Taiwan_Semiconductor_Research_Institute dbr:The_Future_of_Things dbr:90_nm_process dbc:Non-volatile_memory dbr:CPU_cache dbr:Toshiba dbr:Laptop dbr:Albert_Fert dbr:3D_XPoint dbr:Cypress_Semiconductor dbr:EEPROM dbr:Everspin_Technologies dbr:Ferroelectric_RAM dbr:Flash_memory dbr:Flight_data_recorder dbr:Flip-flop_(electronics) dbr:Ball_grid_array dbr:Central_processing_unit dbr:Digital_camera dbr:Magnetic-core_memory dbr:Magnetic_domain dbr:Memory_refresh dbc:Types_of_RAM dbr:Aerospace dbr:Bit dbr:TSMC dbr:Transistor dbr:Universal_memory dbr:Physikalisch-Technische_Bundesanstalt dbr:Sony dbr:Ferromagnetism dbr:Bubble_memory dbr:Nano-RAM dbr:Random-access_memory dbr:ReRAM dbr:Magnetism dbr:Magnetoresistance dbr:Spin_torque_transfer dbr:SONOS dbr:Spin-transfer_torque dbr:Giant_magnetoresistive_effect dbr:Giant_magnetoresistance dbr:Smart_card dbr:Ramtron_International dbr:Tunnel_magnetoresistance dbr:Thermal_Assisted_Switching dbr:Freescale dbr:Renesas_Technology dbr:SBIR dbr:Hynix dbr:Infineon dbr:Buffalo_Technology dbr:Inston dbr:Avalanche_Technology dbr:File:200mm_1_Mb_MRAM_-_D60_Symposium_-...search_Projects_Agency_-_DSC05568.jpg dbr:File:MRAM-Cell-Simplified.svg dbr:Sony_Semiconductor_Manufacturing dbr:Spin-Torque_Transfer dbr:Wikt:roadmap |
| dbp:date | 2008-08-21 (xsd:date) |
| dbp:infocom | yes (en) |
| dbp:topics | yes (en) |
| dbp:url | https://web.archive.org/web/20080821214144/http:/wired.com/news/technology/0,70190-0.html |
| dbp:wikiPageUsesTemplate | dbt:Citation_needed dbt:Cite_journal dbt:Cite_web dbt:Div_col dbt:Div_col_end dbt:Nbsp dbt:Prose dbt:Redirect dbt:Reflist dbt:Short_description dbt:Use_American_English dbt:Webarchive dbt:Memory_types dbt:Emerging_technologies dbt:Magnetic_storage_media |
| dcterms:subject | dbc:Spintronics dbc:Emerging_technologies dbc:Non-volatile_memory dbc:Types_of_RAM |
| rdfs:comment | La MRAM (RAM magnetorresistiva) és un tipus de memòria no volàtil desenvolupada des dels anys 90. El desenvolupament de la tecnologia existent, principalment Memòria flaix i DRAM han evitat la generalització del seu ús, encara que els seus defensors creuen que els seus avantatges són tan evidents que abans o després arribarà a un ús molt elevat. (ca) Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) ist eine nichtflüchtige Speichertechnik, die seit den 1990er Jahren entwickelt wird. (de) La MRAM (RAM magnetorresistiva o magnética) (en inglés: magnetoresistive random-access memory) es un tipo de memoria no volátil que ha estado en desarrollo desde los años 90. El desarrollo continuado de la tecnología existente, principalmente Flash y DRAM, han evitado la generalización de su uso, aunque sus defensores creen que sus ventajas son tan evidentes que antes o después se convertirá en la tecnología dominante para todos los tipos de memorias. (es) Magnetoresistive random-access memory (MRAM) is a type of non-volatile random-access memory which stores data in magnetic domains. Developed in the mid-1980s, proponents have argued that magnetoresistive RAM will eventually surpass competing technologies to become a dominant or even universal memory. Currently, memory technologies in use such as flash RAM and DRAM have practical advantages that have so far kept MRAM in a niche role in the market. (en) La mémoire MRAM (Magnetic Random Access Memory) est une mémoire non volatile de type magnétique. En développement depuis les années 1990, cette technologie n'a jusqu'à présent jamais été commercialisée à grande échelle, notamment à cause de la concurrence des mémoires flash et DRAM. (fr) MRAM atau Magnetoresistive Random Access Memory adalah memori (RAM) yang menggunakan teknologi electron spin untuk menyimpan informasi di sebuah komputer. MRAM telah disebut "memori yang ideal", yang menggabungkan potensi kepadatan dari DRAM dengan kecepatan SRAM dan non-volatility dari flash memory atau cakram keras. MRAM dapat menolak , dan dapat beroperasi dalam kondisi suhu yang ekstrem. MRAM sangat cocok untuk aplikasi militer dan ruang. (in) La Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM memoria ad accesso casuale magnetoresistiva) è una tipologia di memoria non volatile in sviluppo dagli anni novanta che sfrutta l'effetto magnetoresistivo. Il continuo incremento di densità delle memorie flash e delle DRAM hanno relegato le memorie MRAM in un mercato di nicchia, ma i suoi proponenti sono convinti che i vantaggi di questa tecnologia siano così significativi da garantire, in futuro, un'adozione diffusa delle MRAM in ogni campo applicativo. (it) 자기 저항 메모리(Magnetoresistive random-access memory, MRAM, 엠램)는 비휘발성 컴퓨터 메모리 기술이며 1990년대부터 개발이 진행 중이다. 현재의 메모리, 특히 플래시 램과 디램의 밀도가 꾸준히 늘어나면서, 시장에서 MRAM은 틈새 제품이라는 위치를 벗어나지 못하였다. 그러나 MRAM을 지지하는 사람들은 MRAM의 뛰어난 이점 때문에 MRAM이 결국 시장을 지배하여 가 될 것으로 믿고 있다. 에서 생산 중이며 글로벌파운드리와 삼성을 포함한 다른 기업들은 제품 계획을 발표하였다. (ko) MRAM of Magnetoresistive Random Access Memory is een opslagmedium dat werkt met magnetisme. (nl) 磁気抵抗メモリ（じきていこうメモリ、英: Magnetoresistive Random Access Memory、MRAM、エムラム）は、磁気トンネル接合（Magnetic tunnel junction、MTJ）を構成要素とする不揮発性メモリである。SRAMやDRAMなどの電荷を情報記憶に用いるメモリと異なり、MRAMはMTJの磁化の状態（平行/反平行）によって情報記憶を行うため電源を切ってもデータが保たれる。 MTJの磁化反転方式の違いによりMRAM、Toggle MRAM、STT-MRAM（Spin Transfer Torque MRAM）、SOT-MRAM（Spin Orbit Torque MRAM）などの種類がある。 (ja) MRAM en minnestyp som bygger på lagring av digital information i form av magnetiska fält. Minnestypen har varit under utveckling sedan 90-talet, en första prototyp demonstrerades av det tyska företaget Infineon år 2003. (sv) 磁阻式隨機存取記憶體（Magnetoresistive Random Access Memory，縮寫為MRAM），是一種非易失性記憶體技術，從1990年代開始發展。這個技術的擁護者認為，這個技術速度接近SRAM，具有快閃記憶體的非揮發性，容量密度及使用壽命不輸DRAM，平均能耗遠低於DRAM，成為真正的（Universal memory）。它目前由公司生产，其他公司，包括格羅方德(GlobalFoundries)和三星集团已经宣布产品计划。 (zh) MRAM (acrônimo para Magneto-resistive Random Access Memory) é um não volátil, considerada chave para a criação das novas gerações de equipamentos móveis de alto desempenho. O desenvolvimento se baseia em uma nova célula de memória que reduz pela metade o consumo de energia durante o processo de escrita de dados, uma nova arquitetura com características de alta velocidade e excelente desempenho. Os dois avanços permitirão o desenvolvimento de dispositivos de alta densidade baseados na tecnologia magneto-resistiva. Outras tecnologia parecidas até agora consumiam muita energia e eram baseadas em células - as unidades individuais de armazenamento dos dados. (pt) MRAM (ang. Magnetoresistive Random Access Memory) – rodzaj pamięci nieulotnej RAM wykorzystującej tunelowy efekt magnetorezystancyjny lub zjawisko gigantycznego magnetooporu. Element pamięciowy zbudowany jest z trzech warstw: miękkiej warstwy ferromagnetycznej, niemagnetycznej bariery tunelowej i twardej warstwy ferromagnetycznej oraz z oplotu przewodnika. Zapis polega na przemagnesowaniu miękkiego materiału magnetycznego przez płynący prąd, co powoduje zmianę rezystancji złącza. Odczyt dokonywany jest przez pomiar rezystancji. (pl) Магниторезистивная оперативная память (MRAM — англ. magnetoresistive random-access memory) — запоминающее устройство с произвольным доступом на основе спиновых вентилей. Хранит информацию при помощи магнитных моментов, а не электрических зарядов. Преимущество этого типа памяти — энергонезависимость, то есть способность сохранять записанную информацию (например, программные контексты задач в системе и состояние всей системы) при отсутствии внешнего питания. В России массовый выпуск микросхем и встраиваемых ячеек MRAM-памяти с 2013 года производится в Москве на заводе «Крокус наноэлектроника». (ru) Магніторезисти́вна операти́вна па́м'ять (MRAM — англ. magnetoresistive random-access memory) — запам'ятовуючий пристрій з довільним доступом, який зберігає інформацію за допомогою магнітних моментів, а не електричних зарядів. Найважливіша перевага цього типу пам'яті — енергонезалежність, тобто здатність зберігати записануінформацію (наприклад, програмні контексти задач в системі і стан всієї системи) при відсутності зовнішнього живлення. (uk) |
| rdfs:label | MRAM (ca) Magnetoresistive Random Access Memory (de) MRAM (es) MRAM (in) Magnetic Random Access Memory (fr) Magnetoresistive Random Access Memory (it) 磁気抵抗メモリ (ja) Magnetoresistive RAM (en) 자기 저항 메모리 (ko) MRAM (nl) MRAM (pt) MRAM (pl) Магниторезистивная оперативная память (ru) MRAM (sv) Магніторезистивна оперативна пам'ять (uk) 磁阻式隨機存取記憶體 (zh) |
| owl:sameAs | wikidata:Magnetoresistive RAM dbpedia-ca:Magnetoresistive RAM dbpedia-de:Magnetoresistive RAM dbpedia-es:Magnetoresistive RAM dbpedia-et:Magnetoresistive RAM dbpedia-fi:Magnetoresistive RAM dbpedia-fr:Magnetoresistive RAM dbpedia-id:Magnetoresistive RAM dbpedia-it:Magnetoresistive RAM dbpedia-ja:Magnetoresistive RAM dbpedia-ko:Magnetoresistive RAM dbpedia-mr:Magnetoresistive RAM dbpedia-nl:Magnetoresistive RAM dbpedia-pl:Magnetoresistive RAM dbpedia-pt:Magnetoresistive RAM dbpedia-ru:Magnetoresistive RAM dbpedia-sr:Magnetoresistive RAM dbpedia-sv:Magnetoresistive RAM dbpedia-uk:Magnetoresistive RAM dbpedia-vi:Magnetoresistive RAM dbpedia-zh:Magnetoresistive RAM https://global.dbpedia.org/id/8fxA |
| prov:wasDerivedFrom | wikipedia-en:Magnetoresistive_RAM?oldid=1115209192&ns=0 |
| foaf:depiction | wiki-commons:Special:FilePath/200mm_1_Mb_MRAM_-_D60...search_Projects_Agency_-_DSC05568.jpg wiki-commons:Special:FilePath/MRAM-Cell-Simplified.svg |
| foaf:isPrimaryTopicOf | wikipedia-en:Magnetoresistive_RAM |
| is dbo:wikiPageRedirects of | dbr:MRAM dbr:Magnetoresistive_random-access_memory dbr:Magnetoresistive_Random_Access_Memory dbr:Magnetoresistive_random_access_memory dbr:ST-MRAM dbr:Ferromagnetic_RAM dbr:Magnetic_Random_Access_Memory dbr:Magnetic_random_access_memory dbr:Spin-Torque_Magnetoresistive_RAM dbr:Spin-Torque_Magnetoresistive_Random_Access_Memory dbr:Spin-torque_magneto-resistive_RAM dbr:Spin-torque_magneto-resistive_random-access_memory dbr:Spin-torque_magnetoresistive_RAM dbr:Spin-torque_magnetoresistive_random-access_memory dbr:Spin-transfer_torque_magnetoresistive_random_access_memory dbr:M-RAM dbr:Mram |
| is dbo:wikiPageWikiLink of | dbr:List_of_emerging_technologies dbr:MRAM dbr:GlobalFoundries dbr:Bernard_Dieny dbr:Magnetoresistive_random-access_memory dbr:Stuart_Parkin dbr:Magnetoresistive_Random_Access_Memory dbr:Magnetoresistive_random_access_memory dbr:Magnetic_nanoring dbr:Spin-transfer_torque dbr:NVDIMM dbr:ST-MRAM dbr:Ferromagnetic_RAM dbr:Magnetic_Random_Access_Memory dbr:Magnetic_random_access_memory dbr:Spin-Torque_Magnetoresistive_RAM dbr:Spin-Torque_Magnetoresistive_Random_Access_Memory dbr:Spin-torque_magneto-resistive_RAM dbr:Spin-torque_magneto-resistive_random-access_memory dbr:Spin-torque_magnetoresistive_RAM dbr:Spin-torque_magnetoresistive_random-access_memory dbr:Spin-transfer_torque_magnetoresistive_random_access_memory dbr:M-RAM dbr:Mram |
| is foaf:primaryTopic of | wikipedia-en:Magnetoresistive_RAM |
