Memristor (original) (raw)
Un memristor , en teoria de circuits elèctrics, és un component passiu amb una relació Voltatge/Intensitat que descriu una corba d'histèresi torçada com la mostrada a la imatge, que indica un comportament diferent segons l'evolució precedent de la càrrega (comportament memorístic). A mesura que la càrrega flueix en una direcció la resistència augmenta, i quan flueix en la direcció contrària la resistència disminueix.
_(cropped).jpg?width=300)
| Property | Value |
|---|---|
| dbo:abstract | "المقاومة الذاكرية، مقاوم الذاكرة" (بالإنجليزية: Memory Resistor أو Memristor) هو العنصر الذي ادّعى الأستاذ ليُن تشو Leon Chua أنه العنصر الرابع في الدوائر الإلكترونية بعد المقاومة والمكثف والملف، وذلك في ورقة بحثية عام 1971.نشرت المجلة العلمية نيتشر في 17 مارس 2008 ورقة بحثية للأستاذ ستانلي وليامز من مختبرات شركة هويلت-باكارد العملاقة والتي أثارت الكثير من الجدل والتساؤولات. الممرستور هو عنصر له طرفان يتغير مقاومته مع تغير الجهد، ولكن عندما ينقطع التيار تظل المقاومة كما هي، وهذا ما يعطي للعنصر صفة الذاكرة لأنها تحتفظ بآخر قيمة للمقاومة حتى بعد انقطاع التيار. وهذا يجعل الممرستور يناظر الوصلة العصبية بعقل الإنسان. وقد صممت شركة هويلت-باكارد نموذج لذاكرة غير متطايرة ROM بمساحة 100 جيجابت بسنتيمتر مربع واحد أسرع بكثير من سرعة القرص الصلب hard disk وبسرعة تساوي عشر سرعة الـDDRAM. وفي النموذج يتم قياس المقاومة باستخدام تيار متردد حتى لا تتغير المقاومة أثناء إلقاء الجهد عليها. و يمكن أن يكون لهذا المكون دور أساسي في دوائر في مجالات كثيرة مثل برمجة المنطق programmable logic ومعالجة الإشارات والشبكات العصبية والتحكم. مؤخراً تم تصميم دائرة إلكترونية بسيطة تتألف من مكثفات وملفات بالإضافة إلى ممرتورات لتحاكي تصرف إحدى أنواع المايكروبات Physarum polycephalum التي تغير من أدائها عندما تتغير البيئة المحاطة بها. عندما تعرضت الدائرة لنبضات دورية إلكترونية تتعلم الدائرة وتتوقع النبضة القادمة، مثل هذه الدوائر قد يوجد تطبيق في تمييز الأنماط. و يمكن تكوين مصفوفة كبيرة من ممرستورات عن طريق تقاطعات من أسلاك البلاتين. كل تقاطع بين سلكتين من البلاتين به خلية ممرستور يعمل كمفتاح switch. لفتح أو غلف المفتاح يتم تغير إشارة الجهد. و تتكون خلية الممرستور من مكعب عرضه 40 نانومتر من ثاني أكسيد التيتانيوم في طبقتين: طبقة سفلى من ثاني أكسيد التيتانيوم والنسبة بين ذرات التيتانيوم والأكسوجين 1:2 بالضبط تجعلها عازلة للتيار الكهربائي وبالتالي ترمز بـTiO2، وطبقة سفلى بها نقص من ذرات الأكسوجين وبالتالي النسبة ليست 1:2 وبالتالي ترمز بـ TiO2-x. النقص في ذرات الأكسجين يعتبر فجوة موجبة، وبالتالي تجعل الطبقة السفلى موصلة للكهرباء. و عندما يتكون جهد على طبقتي المفتاح نجد تلك الفجوات الموجبة تتجه إلى الأعلى أو إلى الأسفل وبالتالي يزداد أو ينقص الطبقة السفلى الموصلة للكهرباء وبالتالي تزيد أو تقل المقاومة. وعندما يكون الجهد بصفر تظل الفجوات الموجبة كما هي وبالتالي يكون سمك الموصل كما هو وبالتالي يحتفظ المفتاح بمقاومته: إما مقاومة صغيرة يعتبر مفتاح مغلق وإما مقاومة منخفضة ويعتبر مفتاح مفتوح. و يذكر أن ليُن تشو في مقالته عام 1971 ادعى وجود أيضاً مكثفات بذاكرة memcapacitor وملفات بذاكرة meminductor. (ar) Un memristor , en teoria de circuits elèctrics, és un component passiu amb una relació Voltatge/Intensitat que descriu una corba d'histèresi torçada com la mostrada a la imatge, que indica un comportament diferent segons l'evolució precedent de la càrrega (comportament memorístic). A mesura que la càrrega flueix en una direcció la resistència augmenta, i quan flueix en la direcció contrària la resistència disminueix. (ca) Memristor je elektronický prvek, který se chová jako proměnný odpor, jehož velikost závisí na množství proteklého elektrického náboje. Název je zkratkou z anglického memory resistor. Memristor popsal v roce 1971 , tehdejší student a nynější profesor katedry elektrotechniky a informatiky (Electrical Engineering and Computer Sciences Department) Kalifornské univerzity v Berkeley. Protože se jedná o prvek, který svými vlastnostmi doplňuje chybějící vztah mezi elektrickým napětím, proudem, nábojem a magnetickým tokem, bývá označován za další ze základních prvků (rezistor, kapacitor, induktor) elektronického obvodu. Ztotožnění memristoru se čtvrtým fundamentálním prvkem má své odpůrce. Memristor nelze nahradit žádnou kombinací rezistorů, kapacit a indukčností; obvod, který se chová jako memristor, je možné sestavit s použitím aktivních součástek. V devadesátých letech 20. století však vědci z HP labs objevili několik materiálů, které se zdály být vhodnými kandidáty pro sestrojení dosud hypotetického memristoru. Očekává se, že obvody z memristorů realizovaných jako pasivní součástky bude možné použít ke konstrukci nevolatilních (nezávislých na napájení) přepisovatelných pamětí a dalších logických obvodů, které by mohly přispět k další miniaturizaci počítačů. Memristor má velký potenciál využití v počítačové technice. Například současné počítače musí při zapnutí bootovat z pevného disku, protože data jsou ihned po vypnutí vymazána z operační paměti. Proces bootování je nejen časově, ale i energeticky náročný. Memristor by mohl být využit pro mnohem rychlejší zavádění dat, neboť si data pamatuje i po přerušení . Nebylo by již nutné tak pomalu a energeticky náročně bootovat z pevného disku. V současné době společnost Hewlett-Packard spolu s Hynixem vyvíjí (Resistive Random Access Memory) podobné flash paměti. 30. dubna 2008 byla publikována zpráva o konkrétní realizaci memristoru spolu s jeho matematickým modelem ve vědeckém časopise Nature. V srpnu 2013 oznámila společnost Panasonic zahájení sériové výroby mikropočítačů, v jejichž vnitřku jsou použity i memristorové paměti – ReRAM vyráběné 180nm technologií. (cs) Ein Memristor – der Name ist ein Kofferwort aus englisch memory (Speicher) und resistor (elektrischer Widerstand) – ist ein hypothetisches passives elektrisches Bauelement, das zwischen seinen beiden Anschlüssen einen elektrischen Widerstand aufweist, der mit hindurchgeflossener Ladung größer oder kleiner wird, je nach Richtung. Stromlos ist die Spannung null und der Widerstand bleibt erhalten. Der Memristor wurde neben dem Widerstand, dem Kondensator und der Spule als viertes fundamentales passives Bauelement angesehen. Es wurde jedoch gezeigt, dass es nur drei fundamentale passive Bauelemente geben kann und der Memristor ein aktives Bauelement ist. Als Memristoren werden auch verschiedene in der Entwicklung befindliche Bauelemente bezeichnet, die sich näherungsweise so wie postuliert verhalten. Integrierte Schaltungen mit vielen solchen Elementen sollen Datenverarbeitung und -Speicherung vereinen und sich für neuronale Netze eignen. (de) Memristorea berarengandik pasatu den korronte elektrikoa gogora dezakeen osagaia da. Memristorea bi terminaleko bat da erresistentzia, kondentsadorea eta harilarekin batera. Memristor izena memoria eta erresistore hitzak elkartzetik datorkio (memory-resistor). 1971an Kaliforniako Unibertsitateko memristorea iragarri eta deskribatu zuen. 37 urtez osagai elektroniko hipotetikoa izan zen, mundu fisikoan adibiderik ezagutu gabe. 2008ko apirilean Nature aldizkariak HP Labs enpresako ikertzaile batzuek egindako inplementazio fisikoaren berri eman zuen. (eu) A memristor (/ˈmɛmrɪstər/; a portmanteau of memory resistor) is a non-linear two-terminal electrical component relating electric charge and magnetic flux linkage. It was described and named in 1971 by Leon Chua, completing a theoretical quartet of fundamental electrical components which comprises also the resistor, capacitor and inductor. Chua and Kang later generalized the concept to memristive systems. Such a system comprises a circuit, of multiple conventional components, which mimics key properties of the ideal memristor component and is also commonly referred to as a memristor. Several such memristor system technologies have been developed, notably ReRAM. The identification of memristive properties in electronic devices has attracted controversy. Experimentally, the ideal memristor has yet to be demonstrated. (en) El memristor (una contracción de las palabras "memoria" y "resistor") fue un término acuñado en 1971 por el ingeniero eléctrico Leon Chua como el componente eléctrico pasivo de dos terminales no lineal faltante, ya que relaciona la vinculación de la carga eléctrica con un flujo magnético. La operación de los dispositivos RRAM (también llamados ) fue recientemente conectada con el concepto de memristor. De acuerdo con características relaciones matemáticas, hipotéticamente el memristor podría operar de la siguiente manera: la resistencia eléctrica del memristor no es constante sino que depende de la historia de la corriente que ha fluido previamente a través del dispositivo; es decir, su resistencia actual depende de la cantidad de carga eléctrica que ha fluido, y en qué dirección, a través de él en el pasado. El dispositivo recuerda su historia, la llamada propiedad de no-volatilidad. Cuando el suministro de energía eléctrica es desconectado, el memristor recuerda su resistencia más reciente, hasta que vuelva a ser encendido. Leon Chua ha argumentado recientemente que la definición podría ser generalizada para cubrir todas las formas de dispositivos de memoria de dos terminales, tanto volátiles como no volátiles, basados en los efectos de resistencia conmutativa (resistencia variable). Algunas pruebas experimentales parecen contradecir esta afirmación, ya que el efecto no-pasivo de una nanobatería es observable en la memoria de la resistencia conmutativa. Chua también argumentó que el memristor es el elemento conocido más antiguo de los circuitos, con sus efectos precediendo al resistor, capacitor y al inductor. En 2008, un equipo de HP Labs afirmó haber encontrado el memristor faltante de Chua, basado en el análisis de una capa fina de dióxido de titanio; el resultado de los laboratorios fue publicado en la revista Nature. El memristor se encuentra actualmente en desarrollo por varios equipos, incluyendo Hewlett-Packard, SK Hynix y . Estos dispositivos fueron destinados a aplicaciones en memorias nanoelectrónicas, lógica computacional y para arquitecturas computacionales neuromórficas/neuromemristivas. En octubre de 2011, el equipo anunció que la disponibilidad comercial de la tecnología memristiva estaría al cabo de 18 meses, como un reemplazo a las tarjetas Flash, SSD, DRAM y SRAM. Más recientemente, se anunció que su disponibilidad comercial para una nueva memoria estaría estimada para el 2018. En marzo del 2012, un equipo de investigadores de y de la Universidad de Míchigan anunció el primer arreglo de memristores funcional en un chip CMOS. (es) Memristors /memˈrɪstɚ/ ("memory resistors") adalah kelas terminal-dua yang menggunakan hubungan antara waktu integral dari arus dan . Hasil ini dalam hambatan bervariasi sesuai dengan perangkat fungsi memristansi. Secara spesifik teknik memristor menyediakan hambatan yang dapat terkontrol yang berguna untuk menyambungkan arus. Memristor merupakan kasus khusus dalam hal yang dikenal sebagai "sistem memristif", sebuah kelas dari model matematika yang berguna untuk mengamati fenomena tertentu secara empiris, seperti "firing" dari neuron. Definisi dari memristor adalah didasarkan pada asas sirkuit variabel, mirip dengan resistor, kapasitor, dan induktor. Tidak seperti unsur-unsur yang lebih umum, yang tentu memristors nonlinear dapat dijelaskan oleh salah satu dari berbagai variasi fungsi waktu. Akibatnya, memristor termasuk model sirkuit . Teori memristor dirumuskan dan namai oleh dalam tulisannya pada tahun 1971. Chua sangat mempercayai bahwa perangkat elektronik yang ada tersusun atas resistor, induktor, dan kapasitor. Simetri ini dijelaskan unsur dasar sirkuit pasif yang didefinisikan oleh hubungan antara dua dari empat variabel sirkuit dasar, yaitu tegangan, arus, muatan dan flux. Perangkat yang menghubungkan muatan dan flux (didefinisikan sebagai integral waktu dari arus dan tegangan),pada memristor, yang masih bersifat hipotesis. Dia memberi tahu bahwa peneliti lain sudah menggunakan hubungan tetap muatan-flux non linier.However, it would not be until thirty-seven years later, on , 2008, that a team at led by the scientist would announce the discovery of a switching memristor. Based on a of , it has been presented as an approximately ideal device.Being much simpler than currently popular MOSFET switches and also able to implement one bit of in a single device, memristors integrated with transistors may enable computer technology. Chua also speculates that they may be useful in the construction of artificial neural networks. (in) En électronique, le memristor (ou memristance) est un composant électronique passif. Il a été décrit comme le quatrième composant passif élémentaire, aux côtés du condensateur (ou capacité), du résistor (ou résistance) et de la bobine(ou inductance). Le nom est un mot-valise formé à partir des deux mots anglais memory et resistor. Un memristor stocke efficacement l’information car la valeur de sa résistance électrique change de façon permanente lorsqu’un courant est appliqué. Là où une résistance classique apporte une valeur stable de résistance, un memristor peut avoir une valeur élevée de résistance interprétable dans un ordinateur comme un « 1 » en termes logiques, et une faible valeur qui peut être interprétée comme un « 0 ». Ainsi, une donnée peut être enregistrée et réécrite par un courant de contrôle. Dans un certain sens, un memristor est une résistance variable qui, par la valeur de sa résistance, reflète sa propre histoire. Le memristor a été prédit et décrit en 1971 par Leon Chua de UC Berkeley, dans un écrit d'IEEE Transactions on Circuit Theory. Depuis 1971, le memristor était un composant hypothétique, aucun exemple physique n’étant connu. En avril 2008 soit 37 ans plus tard, une implémentation physique du memristor a été relatée dans le journal Nature par une équipe de chercheurs des laboratoires HP conduite par R. Stanley Williams. (fr) De memristor (een term die is afgeleid van 'memory resistor') is een hoogst experimentele component ontdekt door HP, en wordt beschreven als: het 'godselement' in de elektronica. In het IEEE maandblad spectrum is de memristor uitgebreid beschreven. Op 30 april 2008 maakte HP bekend een elektronische component in de theoretische fysica ontdekt te hebben. Deze component die op nanoschaal geproduceerd zou kunnen worden heeft geen energie nodig om data vast te houden, kan data veel dichter opslaan dan een harde schijf en kan ze even snel oproepen als het RAM-geheugen van een pc. Dit impliceert dat het beide in de toekomst zou kunnen vervangen. (nl) メモリスタ (またはメモリスター。英語: memristor) は、通過した電荷を記憶し、それに伴って抵抗が変化する受動素子である。 抵抗器、キャパシタ、インダクタに次ぐ新たな受動素子であるので、“第4の回路素子” と呼ばれる。 過去に流れた電流を記憶する抵抗器であることからメモリスタ (memristor) と名づけられた。 (ja) ( 비슷한 이름의 에 관해서는 해당 문서를 참조하십시오.) 멤리스터(memristor : /ˈmɛmrɪstər/; 메모리와 저항의 합성어)는 전하와 자속과의 결합에 관련된 비선형 수동 두단자 전기 구성요소로, 이론가 Leon Chua에 의해 1971년도에 만들어진 용어이다. 이전까지 수동소자라고 하면 R, L, C 밖에 없었는데 하나가 더 추가된 것이다. 전압과 전류의 관계에서 저항(R)이 나오고(즉, V/I=R), 전압과 전하량 사이에서 콘덴서(미국에선 커패시터)가 나오고(Q=CV, C=Q/V) 전류와 자장 플럭스 사이에 인덕터(L=자장/전류)가 연결된다. 자장 플럭스와 전하사이의 수동소자를 멤리스터(M=자속/전하량=(자속/시간)/(전하량/시간)=V/I)라 한다.최근 RRAM 소자의 동작이 멤리스터 개념에 연결되었다. 특성적인 내용을 만드는 수학적 관계에서, 멤리스터는 다음의 방법으로 동작할 것이다라고 가설을 세웠다. 멤리스터의 전기적 저항은 일정하지 않고 그 소자를 통해 이전에 흘렀던 전류의 이력(과거 정보)에 따라 달라진다. 즉 멤리스터의 현재 저항은 이 멤리스터의 두 단자 사이로 많은 전하가 과거에 어떤 방향으로 어떻게 흘렀는지에 따라 달라진다. 이 소자는 이력 소위 비휘발 특성을 기억한다. 전력 공급이 끊어질 때 멤리스터는 가장 최근의 저항을 다시 전력이 들어올 때까지 기억한다. Leon Chua는 최근에 저항 스위칭 효과를 기초로 하는 두 단자 비휘발성 메모리 소자에 멤리스터의 정의를 일반화할 수 있다고 주장했다. 그러나, 어떤 실험적 증거는 이 주장과 대치되는데, 비 수동 나노배터리(nanobattery) 효과가 저항 스위칭 메모리에서도 관찰되었다. 그 후 Chua는 멤리스터가 실질적으로 R, L, C 에 앞선, 가장 오래전에 알려진 회로소자라고 주장했다. 2008년에 , HP 실험실의 한팀이 titanium dioxide 박막의 해석을 기초로 Chua의 빠뜨린 멤리스터를 찾았다고 발표했다. 그 HP의 결과는 네이처 지에 게제되었다. 멤리스터는 HP, SK Hynix, HRL 실험실을 포함한 여러 팀들에 의해 여전히 개발 중이다. 멤리스터 소자는 나노전자 메모리, 컴퓨터 논리, 뇌의 형태를 가진/뇌 멤리스터 컴퓨터 구조 등에 응용될 수 있다. 2011년 10월에 HP 팀은 18개월 이내에 플래시 메모리, SSD, DRAM, SRAM을 대체할 수 있는 멤리스터 기술의 상용화 가능성을 발표했다. 새로운 메모리의 상업적 이용은 최근 2018년으로 추정되었다. 2012년 3월에, 미시간 대학교와 HRL Laboratories 팀이 세계에서 첫 번째로 동작하는 CMOS chip 기반 멤리스터 어레이를 발표했다. 본 문서의 이해를 돕기 위한 비자유 그림이 있습니다. 링크의 파일을 직접 올려 주세요 HP 연구실에서 산소없는 티타늄 다이옥사이드(titanium dioxide) 멤리스터를 17개 array로 만들었다. 사진은 atomic force microscope에 의해 촬영했다. 회로선의 폭은 약 50 nm, 또는 150 개의 원자 정도이다. memristor를 통한 전류는 산소 공간을 이동하고, 따라서 전기저항에서 단계적으로 지속적인 변화를 야기한다. (ko) Un memristore (unione di memoria e resistore), nell'ambito della teoria dei circuiti, è un componente elettronico nonlineare passivo. Viene spesso descritto come il quarto elemento passivo di base, oltre al condensatore, l'induttore e il resistore.Sebbene il memristore fosse stato teorizzato e descritto sin dal 1971 da parte di dell'Università di Berkeley, in un articolo pubblicato su IEEE Transactions on Circuit Theory, è rimasto un dispositivo teorico per 37 anni, senza che ne fosse realizzato un prototipo. Si tratta di un bipolo in cui una variazione di carica elettrica, ossia una corrente non stazionaria, dà luogo ad una variazione di flusso magnetico e quindi ad una tensione, che dovrebbe localizzarsi ai capi del componente. Il rapporto tra il potenziale prodotto e la corrente prende il nome di memristenza. È chiaro che, affinché la corrente che scorre nel bipolo venga a coincidere con quella non stazionaria che innesca il fenomeno, all'interno del memristore il flusso fisico delle cariche deve essere in qualche modo inibito, esattamente come avviene in un condensatore. Il memristore ha la proprietà di "ricordare" lo stato elettronico e di rappresentarlo mediante segnali analogici. Un circuito di questo tipo consentirebbe di realizzare calcolatori con accensione istantanea, senza la necessità di ricaricare il sistema operativo a ogni avvio. Il circuito, infatti, conserva l'informazione anche in assenza di corrente elettrica, quando il calcolatore è spento. La capacità di memorizzare segnali analogici consente di memorizzare ed elaborare una mole di dati molto maggiore di quella trattata con i circuiti digitali, in grado di rappresentare solo due stati (0 ed 1). Il memristore apre a una nuova generazione di memorie e di potenze di calcolo. (it) Um memoristor (do inglês "memory resistor" ou, em português, resistor com memória) é um componente eletrônico passivo de dois terminais que mantém uma função não-linear entre corrente e tensão. Essa função, conhecida como memresistance (em português, memoristência), é similar a uma função de resistência variável. Alguns memoristores específicos provêm resistência controlável, mas não estão disponíveis comercialmente. Alguns componentes eletrôncios, tais como baterias ou varistores também apresentam características de memoristores, mas são sutis e não são dominantes em seu comportamento. O memoristor é considerado o quarto componente eletrônico passivo. Da mesma forma que para o resistor, o capacitor e o indutor, a definição do memoristor pode ser dada por variáveis fundamentais da Eletrônica, tais como corrente, tensão, carga elétrica e fluxo magnético. No entanto, ao contrário dos outros três elementos que são lineares e invariantes ao tempo, o memoristor é não-linear e pode ter forma de grande variedade de funções de carga variáveis ao tempo. Não existe, assim, um memoristor genérico: cada memoristor pode ser desenvolvido para desempenhar uma determinada função não-linear entre a integral da tensão e a integral da corrente. Um memoristor linear e invariante ao tempo é simplesmente um resistor convencional. A teoria do memoristor foi formulada Leon Chua num artigo de 1971.Chua extrapolou a simetria conceitual que existe entre resistor, indutor e capacitor, e inferiua existência do memoristor como um componente fundamental na teoria dos circuitos. Outros cientistas já tinham previsto características não-lineares similares aos do memoristor, mas a teoria de Chua foi a primeira a criar generalização do conceito.No dia 30 de abril de 2008, uma equipe dos laboratórios da HP anunciaram a construção de um memoristor. Usando técnicas de nanotecnologia, construíram uma matriz de memoristores num finíssimo filme de dióxido de titânio. Esses componentes já estão sendo desenvolvidos para aplicações em memórias nanoeletrônicas e arquiteturas de computadores neuromórficos. (pt) Memrystor (ang. memristor) – jeden z podstawowych biernych elementów elektronicznych; trzy pozostałe to opornik (rezystor), kondensator i cewka. Memrystor (ang. memory resistor – opornik z pamięcią) działa jako pojedyncza komórka pamięci, może być użyty do przechowywania jednego bitu informacji, rezystancja memrystora może być sterowana prądowo. (pl) En memristor är en passiv elektronisk komponent (jämte resistorer, kondensatorer och spolar) vars resistans beror på historiken av strömflödet genom komponenten. En memristor är alltså ett slags resistor med minne. Namnet memristor är ett engelskt teleskopord bildat av memory resistor, minnesresistor. (sv) Мемри́стор (от англ. memory — память, и англ. resistor — электрическое сопротивление) — пассивный электрический элемент, двухполюсник в микроэлектронике, способный изменять своё сопротивление в зависимости от протекшего через него электрического заряда (интеграла тока по времени). Может быть описан как двухполюсник с нелинейной вольт-амперной характеристикой, обладающей гистерезисом. (ru) 憶阻器（memristor）又名記憶電阻（memory resistor 的混成词），是一種被動電子元件。如同電阻器，憶阻器能產生並維持一股安全的電流通過某個裝置。但是與電阻器不同的地方在於，憶阻器可以在關掉電源後，仍能「記憶」先前通過的電荷量。兩組的憶阻器更能產生與電晶體相同的功能，但更為細小。最初於1971年，加州大学伯克利分校的蔡少棠教授根據電子學理论，預測到在電阻器、電容器及電感元件之外，还存在電路的第四種基本元件，即是憶阻器。目前正在开发忆阻器的团队包括惠普、SK海力士、。 之後從2000年始，研究人員在多種二元金屬氧化物和鈣鈦礦結構的薄膜中發現了電場作用下的電阻變化，並應用到了下一代非揮發性記憶體-阻抗存儲器（RRAM 或 ReRAM）中。2008年4月，惠普公司公佈了基於TiO2的RRAM器件，並首先將RRAM和憶阻器聯繫起來。但目前仍然有專家認為，這些實作出的電路，並不是真正的憶阻器。 (zh) Мемристор (англ. memristor, від memory — «пам'ять», та resistor — «опір») — четвертий базовий елемент електричної ланки. Вперше запропонований у вересні 1971 року Леоном Чуа (англ. Leon Chua). Це пасивний двополюсник з нелінійною вольт-амперною характеристикою (ВАХ), що має гістерезис. Поряд із трьома відомими базовими пасивними елементами аналогових електричних схем — резистором, конденсатором та індуктивністю цей пасивний елемент створював замкнуту технологічну систему для виробництва максимально різноманітних пристроїв аналогової та цифрової схемотехніки. (uk) |
| dbo:thumbnail | wiki-commons:Special:FilePath/Memristor_(50665029093)_(cropped).jpg?width=300 |
| dbo:wikiPageExternalLink | https://www.sztucznainteligencja.org.pl/en/leon-chua-a-bulb-versus-google-go-player/ http://www.technologyreview.com/featuredstory/536786/machine-dreams https://www.sztucznainteligencja.org.pl/leon-chua-a-bulb-versus-google-go-player/ http://memlinks.eu https://books.google.com/books%3Fid=Mxu4BAAAQBAJ%7Cdoi=10.1007/978-3-319-02630-5%7Cs2cid=39739718 https://books.google.com/books%3Fid=OOW5BAAAQBAJ%7Cdoi=10.1007/978-1-4614-9068-5 https://www.youtube.com/watch%3Fv=hDfJoXrCSxk |
| dbo:wikiPageID | 14246162 (xsd:integer) |
| dbo:wikiPageLength | 106200 (xsd:nonNegativeInteger) |
| dbo:wikiPageRevisionID | 1121685811 (xsd:integer) |
| dbo:wikiPageWikiLink | dbr:Capacitor dbr:Ampere dbr:Samsung dbr:Sandro_Carrara dbr:Satellogic dbr:Electric_charge dbr:Electrical_element dbr:Electrode dbr:Electronic_component dbr:List_of_emerging_technologies dbr:Nanosecond dbr:Memistor dbr:Memtransistor dbr:Proceedings_of_the_IEEE dbr:Bernard_Widrow dbr:Boron_nitride dbr:Boston_University dbr:Applied_Physics_A dbr:Lithium dbr:Lithium_oxide dbr:Charge_carrier dbr:University_of_Illinois_at_Urbana-Champaign dbr:University_of_Michigan dbr:Deji_Akinwande dbr:Dynamic_random-access_memory dbr:Platinum dbr:MRAM dbc:Emerging_technologies dbr:Continuous_function dbr:Continuous_functions dbr:Coulomb dbr:Massimiliano_Versace dbr:Chemical_vapor_deposition dbc:Electronic_circuits_in_computer_storage dbc:Experimental_electrical_components dbr:Gaussian_noise dbr:Nanoscale dbr:Nature_(journal) dbr:Noise_(electronics) dbr:Ohm dbr:Nanoionic_device dbr:Transparency_and_translucency dbr:Electrical_resistance dbr:Gartner dbr:Concentration_polarization dbr:Control_theory dbr:Thermodynamic_free_energy dbc:American_inventions dbr:Lissajous_curve dbr:MIT dbr:Signal_processing dbr:Half-metal dbr:Henry_(unit) dbr:Joule_heating dbr:Pattern_recognition dbr:Petabit dbr:Phase-change_memory dbr:Portmanteau dbr:Programmable_logic_device dbr:SyNAPSE dbr:Transition_metal_dichalcogenide_monolayers dbr:Massimiliano_Di_Ventra dbr:6G_(network) dbr:Thought_experiment dbr:Titanium dbr:Titanium_dioxide dbr:Weber_(unit) dbr:Fuzzy_logic dbr:HP_Labs dbr:Hebbian_theory dbr:Johnson–Nyquist_noise dbr:Land_grabbing dbr:Landauer's_principle dbr:Long-term_potentiation dbr:Neuromorphic_engineering dbr:5G dbr:3D_XPoint dbr:Curve_fitting dbr:DARPA dbr:Alternating_current dbr:Flash_memory dbr:Fractional_calculus dbr:Non-volatile_memory dbr:Oxygen dbr:Battery_electrode dbr:Farad dbr:Fast_ion_conductor dbr:Flux_linkage dbr:File:Memristor.jpg dbr:Gigabit dbr:Thermal_fluctuations dbr:Thin_film dbr:Probability dbr:Reconfigurable_computing dbr:Resistor dbr:HRL_Laboratories dbr:Hewlett_Packard dbr:Jennifer_Rupp dbr:Hybrid_Memory_Cube dbr:Ferroelectric dbr:ADALINE dbc:Electrical_components dbr:Bit_error_rate dbr:Terminal_(electronics) dbr:Transistor dbr:Molybdenum_oxide dbr:CMOS dbr:Frequency_response dbr:TiO2 dbr:Hysteresis dbr:IBM dbr:Inductor dbr:Internal_energy dbr:Nanometer dbr:Ohm's_Law dbr:R._Stanley_Williams dbr:RFID dbr:ReRAM dbr:Seagate_Technology dbr:Magnetic_tunnel_junction dbr:Metal-insulator-metal dbr:Scanning_tunneling_microscope dbr:Sensors dbr:Volt dbr:Neuro-fuzzy dbr:Super-resolution_imaging dbr:Spin-transfer_torque dbr:Trancitor dbr:IEEE_Spectrum dbr:Low_Earth_orbit dbr:NOMFET dbr:Nanoscopic_scale dbr:National_Energy_Technology_Laboratory dbr:Nanobatteries dbr:Physical_neural_network dbr:Semiconductor_device_modeling dbr:Physarum_polycephalum dbr:Resistive_random-access_memory dbr:RF_switch dbr:Tunnel_magnetoresistance dbr:Metal_oxide_semiconductor dbr:MoS2 dbr:Primary_visual_cortex dbr:CONICET dbr:Ionic_mobility dbr:Power_consumption dbr:Transition_metal_dichalcogenides dbr:File:Memristor-Symbol.svg dbr:Leon_Chua dbr:Circuit_element dbr:In-memory_computing dbr:Small_signal_model dbr:Superconductive dbr:Di_Ventra dbr:Sir_Humphry_Davy dbr:Brain–computer_interfaces dbr:CNEA dbr:Nanoelectronic dbr:Neuromorphic dbr:Neuromorphic_computing dbr:MOCVD dbr:Spintronic dbr:Springer_Science_&_Business_Media dbr:File:Two-terminal_non-linear_circuit_elements.svg dbr:File:Pinched_crossing_hysteresis.png dbr:LabOSat dbr:Mohamed-Salah_Abdelouahab dbr:Rene_Lozi dbr:Universidad_Nacional_de_General_San_Martín_(Argentina) dbr:Ñu-Sat |
| dbp:component | Memristor (en) |
| dbp:cs1Dates | y (en) |
| dbp:date | January 2020 (en) May 2022 (en) |
| dbp:electronics | yes (en) |
| dbp:id | n3XzuBt54ig (en) |
| dbp:invented | dbr:Leon_Chua |
| dbp:photo | Memristor .jpg (en) |
| dbp:photoCaption | Memristor developed by the University of Illinois at Urbana-Champaign and National Energy Technology Laboratory (en) |
| dbp:reason | What is the relation of these devices to memristors? (en) |
| dbp:symbol | dbr:File:Memristor-Symbol.svg |
| dbp:title | Finding the missing memristor (en) |
| dbp:topics | yes (en) |
| dbp:wikiPageUsesTemplate | dbt:Anchor dbt:Authority_control dbt:Citation_needed dbt:Cite_book dbt:Cite_journal dbt:Cite_news dbt:Clarify dbt:Commons_category dbt:Convert dbt:Distinguish dbt:Endash dbt:IPAc-en dbt:Portal dbt:Reflist dbt:Short_description dbt:Use_dmy_dates dbt:YouTube dbt:Electronic_components dbt:Differentiable_computing dbt:Emerging_technologies dbt:Infobox_electronic_component |
| dcterms:subject | dbc:Emerging_technologies dbc:Electronic_circuits_in_computer_storage dbc:Experimental_electrical_components dbc:American_inventions dbc:Electrical_components |
| gold:hypernym | dbr:Term |
| rdf:type | owl:Thing yago:WikicatAmericanInventions yago:Ability105616246 yago:Abstraction100002137 yago:Act100030358 yago:Activity100407535 yago:Application100949134 yago:Cognition100023271 yago:Component105868954 yago:Concept105835747 yago:Content105809192 yago:Creativity105624700 yago:Event100029378 yago:Idea105833840 yago:Invention105633385 yago:Measure100033615 yago:Occupation100582388 yago:Part105867413 yago:Profession100609953 yago:PsychologicalFeature100023100 yago:YagoPermanentlyLocatedEntity yago:Technology100949619 yago:Use100947128 yago:WikicatElectricalComponents yago:WikicatEmergingTechnologies yago:WikicatPhysicalQuantities |
| rdfs:comment | Un memristor , en teoria de circuits elèctrics, és un component passiu amb una relació Voltatge/Intensitat que descriu una corba d'histèresi torçada com la mostrada a la imatge, que indica un comportament diferent segons l'evolució precedent de la càrrega (comportament memorístic). A mesura que la càrrega flueix en una direcció la resistència augmenta, i quan flueix en la direcció contrària la resistència disminueix. (ca) Memristorea berarengandik pasatu den korronte elektrikoa gogora dezakeen osagaia da. Memristorea bi terminaleko bat da erresistentzia, kondentsadorea eta harilarekin batera. Memristor izena memoria eta erresistore hitzak elkartzetik datorkio (memory-resistor). 1971an Kaliforniako Unibertsitateko memristorea iragarri eta deskribatu zuen. 37 urtez osagai elektroniko hipotetikoa izan zen, mundu fisikoan adibiderik ezagutu gabe. 2008ko apirilean Nature aldizkariak HP Labs enpresako ikertzaile batzuek egindako inplementazio fisikoaren berri eman zuen. (eu) メモリスタ (またはメモリスター。英語: memristor) は、通過した電荷を記憶し、それに伴って抵抗が変化する受動素子である。 抵抗器、キャパシタ、インダクタに次ぐ新たな受動素子であるので、“第4の回路素子” と呼ばれる。 過去に流れた電流を記憶する抵抗器であることからメモリスタ (memristor) と名づけられた。 (ja) Memrystor (ang. memristor) – jeden z podstawowych biernych elementów elektronicznych; trzy pozostałe to opornik (rezystor), kondensator i cewka. Memrystor (ang. memory resistor – opornik z pamięcią) działa jako pojedyncza komórka pamięci, może być użyty do przechowywania jednego bitu informacji, rezystancja memrystora może być sterowana prądowo. (pl) En memristor är en passiv elektronisk komponent (jämte resistorer, kondensatorer och spolar) vars resistans beror på historiken av strömflödet genom komponenten. En memristor är alltså ett slags resistor med minne. Namnet memristor är ett engelskt teleskopord bildat av memory resistor, minnesresistor. (sv) Мемри́стор (от англ. memory — память, и англ. resistor — электрическое сопротивление) — пассивный электрический элемент, двухполюсник в микроэлектронике, способный изменять своё сопротивление в зависимости от протекшего через него электрического заряда (интеграла тока по времени). Может быть описан как двухполюсник с нелинейной вольт-амперной характеристикой, обладающей гистерезисом. (ru) 憶阻器（memristor）又名記憶電阻（memory resistor 的混成词），是一種被動電子元件。如同電阻器，憶阻器能產生並維持一股安全的電流通過某個裝置。但是與電阻器不同的地方在於，憶阻器可以在關掉電源後，仍能「記憶」先前通過的電荷量。兩組的憶阻器更能產生與電晶體相同的功能，但更為細小。最初於1971年，加州大学伯克利分校的蔡少棠教授根據電子學理论，預測到在電阻器、電容器及電感元件之外，还存在電路的第四種基本元件，即是憶阻器。目前正在开发忆阻器的团队包括惠普、SK海力士、。 之後從2000年始，研究人員在多種二元金屬氧化物和鈣鈦礦結構的薄膜中發現了電場作用下的電阻變化，並應用到了下一代非揮發性記憶體-阻抗存儲器（RRAM 或 ReRAM）中。2008年4月，惠普公司公佈了基於TiO2的RRAM器件，並首先將RRAM和憶阻器聯繫起來。但目前仍然有專家認為，這些實作出的電路，並不是真正的憶阻器。 (zh) Мемристор (англ. memristor, від memory — «пам'ять», та resistor — «опір») — четвертий базовий елемент електричної ланки. Вперше запропонований у вересні 1971 року Леоном Чуа (англ. Leon Chua). Це пасивний двополюсник з нелінійною вольт-амперною характеристикою (ВАХ), що має гістерезис. Поряд із трьома відомими базовими пасивними елементами аналогових електричних схем — резистором, конденсатором та індуктивністю цей пасивний елемент створював замкнуту технологічну систему для виробництва максимально різноманітних пристроїв аналогової та цифрової схемотехніки. (uk) "المقاومة الذاكرية، مقاوم الذاكرة" (بالإنجليزية: Memory Resistor أو Memristor) هو العنصر الذي ادّعى الأستاذ ليُن تشو Leon Chua أنه العنصر الرابع في الدوائر الإلكترونية بعد المقاومة والمكثف والملف، وذلك في ورقة بحثية عام 1971.نشرت المجلة العلمية نيتشر في 17 مارس 2008 ورقة بحثية للأستاذ ستانلي وليامز من مختبرات شركة هويلت-باكارد العملاقة والتي أثارت الكثير من الجدل والتساؤولات. و يمكن تكوين مصفوفة كبيرة من ممرستورات عن طريق تقاطعات من أسلاك البلاتين. كل تقاطع بين سلكتين من البلاتين به خلية ممرستور يعمل كمفتاح switch. لفتح أو غلف المفتاح يتم تغير إشارة الجهد. (ar) Memristor je elektronický prvek, který se chová jako proměnný odpor, jehož velikost závisí na množství proteklého elektrického náboje. Název je zkratkou z anglického memory resistor. Memristor popsal v roce 1971 , tehdejší student a nynější profesor katedry elektrotechniky a informatiky (Electrical Engineering and Computer Sciences Department) Kalifornské univerzity v Berkeley. 30. dubna 2008 byla publikována zpráva o konkrétní realizaci memristoru spolu s jeho matematickým modelem ve vědeckém časopise Nature. (cs) Ein Memristor – der Name ist ein Kofferwort aus englisch memory (Speicher) und resistor (elektrischer Widerstand) – ist ein hypothetisches passives elektrisches Bauelement, das zwischen seinen beiden Anschlüssen einen elektrischen Widerstand aufweist, der mit hindurchgeflossener Ladung größer oder kleiner wird, je nach Richtung. Stromlos ist die Spannung null und der Widerstand bleibt erhalten. Der Memristor wurde neben dem Widerstand, dem Kondensator und der Spule als viertes fundamentales passives Bauelement angesehen. Es wurde jedoch gezeigt, dass es nur drei fundamentale passive Bauelemente geben kann und der Memristor ein aktives Bauelement ist. (de) El memristor (una contracción de las palabras "memoria" y "resistor") fue un término acuñado en 1971 por el ingeniero eléctrico Leon Chua como el componente eléctrico pasivo de dos terminales no lineal faltante, ya que relaciona la vinculación de la carga eléctrica con un flujo magnético. La operación de los dispositivos RRAM (también llamados ) fue recientemente conectada con el concepto de memristor. De acuerdo con características relaciones matemáticas, hipotéticamente el memristor podría operar de la siguiente manera: la resistencia eléctrica del memristor no es constante sino que depende de la historia de la corriente que ha fluido previamente a través del dispositivo; es decir, su resistencia actual depende de la cantidad de carga eléctrica que ha fluido, y en qué dirección, a tr (es) A memristor (/ˈmɛmrɪstər/; a portmanteau of memory resistor) is a non-linear two-terminal electrical component relating electric charge and magnetic flux linkage. It was described and named in 1971 by Leon Chua, completing a theoretical quartet of fundamental electrical components which comprises also the resistor, capacitor and inductor. The identification of memristive properties in electronic devices has attracted controversy. Experimentally, the ideal memristor has yet to be demonstrated. (en) Memristors /memˈrɪstɚ/ ("memory resistors") adalah kelas terminal-dua yang menggunakan hubungan antara waktu integral dari arus dan . Hasil ini dalam hambatan bervariasi sesuai dengan perangkat fungsi memristansi. Secara spesifik teknik memristor menyediakan hambatan yang dapat terkontrol yang berguna untuk menyambungkan arus. Memristor merupakan kasus khusus dalam hal yang dikenal sebagai "sistem memristif", sebuah kelas dari model matematika yang berguna untuk mengamati fenomena tertentu secara empiris, seperti "firing" dari neuron. Definisi dari memristor adalah didasarkan pada asas sirkuit variabel, mirip dengan resistor, kapasitor, dan induktor. Tidak seperti unsur-unsur yang lebih umum, yang tentu memristors nonlinear dapat dijelaskan oleh salah satu dari berbagai variasi fungsi w (in) En électronique, le memristor (ou memristance) est un composant électronique passif. Il a été décrit comme le quatrième composant passif élémentaire, aux côtés du condensateur (ou capacité), du résistor (ou résistance) et de la bobine(ou inductance). Le nom est un mot-valise formé à partir des deux mots anglais memory et resistor. Le memristor a été prédit et décrit en 1971 par Leon Chua de UC Berkeley, dans un écrit d'IEEE Transactions on Circuit Theory. (fr) Un memristore (unione di memoria e resistore), nell'ambito della teoria dei circuiti, è un componente elettronico nonlineare passivo. Viene spesso descritto come il quarto elemento passivo di base, oltre al condensatore, l'induttore e il resistore.Sebbene il memristore fosse stato teorizzato e descritto sin dal 1971 da parte di dell'Università di Berkeley, in un articolo pubblicato su IEEE Transactions on Circuit Theory, è rimasto un dispositivo teorico per 37 anni, senza che ne fosse realizzato un prototipo. (it) ( 비슷한 이름의 에 관해서는 해당 문서를 참조하십시오.) 멤리스터(memristor : /ˈmɛmrɪstər/; 메모리와 저항의 합성어)는 전하와 자속과의 결합에 관련된 비선형 수동 두단자 전기 구성요소로, 이론가 Leon Chua에 의해 1971년도에 만들어진 용어이다. 이전까지 수동소자라고 하면 R, L, C 밖에 없었는데 하나가 더 추가된 것이다. 전압과 전류의 관계에서 저항(R)이 나오고(즉, V/I=R), 전압과 전하량 사이에서 콘덴서(미국에선 커패시터)가 나오고(Q=CV, C=Q/V) 전류와 자장 플럭스 사이에 인덕터(L=자장/전류)가 연결된다. 자장 플럭스와 전하사이의 수동소자를 멤리스터(M=자속/전하량=(자속/시간)/(전하량/시간)=V/I)라 한다.최근 RRAM 소자의 동작이 멤리스터 개념에 연결되었다. 특성적인 내용을 만드는 수학적 관계에서, 멤리스터는 다음의 방법으로 동작할 것이다라고 가설을 세웠다. 멤리스터의 전기적 저항은 일정하지 않고 그 소자를 통해 이전에 흘렀던 전류의 이력(과거 정보)에 따라 달라진다. 즉 멤리스터의 현재 저항은 이 멤리스터의 두 단자 사이로 많은 전하가 과거에 어떤 방향으로 어떻게 흘렀는지에 따라 달라진다. 이 소자는 이력 소위 비휘발 특성을 기억한다. 전력 공급이 끊어질 때 멤리스터는 가장 최근의 저항을 다시 전력이 들어올 때까지 기억한다. (ko) De memristor (een term die is afgeleid van 'memory resistor') is een hoogst experimentele component ontdekt door HP, en wordt beschreven als: het 'godselement' in de elektronica. In het IEEE maandblad spectrum is de memristor uitgebreid beschreven. Op 30 april 2008 maakte HP bekend een elektronische component in de theoretische fysica ontdekt te hebben. (nl) Um memoristor (do inglês "memory resistor" ou, em português, resistor com memória) é um componente eletrônico passivo de dois terminais que mantém uma função não-linear entre corrente e tensão. Essa função, conhecida como memresistance (em português, memoristência), é similar a uma função de resistência variável. Alguns memoristores específicos provêm resistência controlável, mas não estão disponíveis comercialmente. Alguns componentes eletrôncios, tais como baterias ou varistores também apresentam características de memoristores, mas são sutis e não são dominantes em seu comportamento. (pt) |
| rdfs:label | مقاومة ذاكرية (ar) Memristor (ca) Memristor (cs) Memristor (de) Memristor (es) Memristore (eu) Memristor (fr) Memristor (in) Memristore (it) メモリスタ (ja) Memristor (en) 멤리스터 (ko) Memrystor (pl) Memristor (nl) Memristor (pt) Memristor (sv) Мемристор (ru) Мемристор (uk) 憶阻器 (zh) |
| owl:differentFrom | dbr:Memistor dbr:Memtransistor |
| owl:sameAs | freebase:Memristor yago-res:Memristor http://d-nb.info/gnd/1022027832 wikidata:Memristor dbpedia-ar:Memristor dbpedia-bg:Memristor http://bn.dbpedia.org/resource/মেমরিস্টর dbpedia-ca:Memristor dbpedia-cs:Memristor dbpedia-da:Memristor dbpedia-de:Memristor dbpedia-es:Memristor dbpedia-et:Memristor dbpedia-eu:Memristor dbpedia-fa:Memristor dbpedia-fi:Memristor dbpedia-fr:Memristor dbpedia-he:Memristor dbpedia-hu:Memristor dbpedia-id:Memristor dbpedia-it:Memristor dbpedia-ja:Memristor dbpedia-ko:Memristor dbpedia-nl:Memristor dbpedia-no:Memristor dbpedia-pl:Memristor dbpedia-pt:Memristor dbpedia-ro:Memristor dbpedia-ru:Memristor dbpedia-sh:Memristor dbpedia-simple:Memristor dbpedia-sk:Memristor dbpedia-sl:Memristor dbpedia-sr:Memristor dbpedia-sv:Memristor http://ta.dbpedia.org/resource/நினைவுகொள்_மின்தடை dbpedia-th:Memristor dbpedia-tr:Memristor dbpedia-uk:Memristor dbpedia-vi:Memristor dbpedia-zh:Memristor https://global.dbpedia.org/id/21dxx |
| prov:wasDerivedFrom | wikipedia-en:Memristor?oldid=1121685811&ns=0 |
| foaf:depiction | wiki-commons:Special:FilePath/Two-terminal_non-linear_circuit_elements.svg wiki-commons:Special:FilePath/Pinched_crossing_hysteresis.png wiki-commons:Special:FilePath/Memristor-Symbol.svg wiki-commons:Special:FilePath/Memristor.jpg wiki-commons:Special:FilePath/Memristor_(50665029093)_(cropped).jpg |
| foaf:isPrimaryTopicOf | wikipedia-en:Memristor |
| is dbo:knownFor of | dbr:Leon_O._Chua dbr:Massimiliano_Di_Ventra |
| is dbo:wikiPageRedirects of | dbr:Memcapacitor dbr:Memductance dbr:Meminductor dbr:Memristance dbr:Titanium-dioxide-based_memristor dbr:Titanium-dioxide_memristor dbr:Titanium_dioxide_memristor dbr:Memory_resistor dbr:Memresistor dbr:Memrister dbr:Memristor_(memory_resistor) dbr:Memsistor dbr:Lithionics dbr:Lithium-oxide-based_memristor dbr:Lithium-oxide_memristor dbr:Lithium_oxide_memristor dbr:Memristors dbr:Neuristor |
| is dbo:wikiPageWikiLink of | dbr:Beatriz_Noheda dbr:Sandro_Carrara dbr:Electrical_element dbr:Electrical_network dbr:Electronic_component dbr:List_of_University_of_California,_Berkeley_faculty dbr:List_of_emerging_technologies dbr:Neural_network dbr:Memcapacitor dbr:Memductance dbr:Meminductor dbr:Memistor dbr:Memristance dbr:Memtransistor dbr:April–June_2020_in_science dbr:History_of_general-purpose_CPUs dbr:List_of_portmanteaus dbr:Current–voltage_characteristic dbr:Index_of_physics_articles_(M) dbr:Timeline_of_United_States_inventions_(1946–1991) dbr:Timeline_of_electrical_and_electronic_engineering dbr:Timeline_of_quantum_computing_and_communication dbr:Crossbar_latch dbr:Massimiliano_Versace dbr:SK_Hynix dbr:Glossary_of_artificial_intelligence dbr:Glossary_of_electrical_and_electronics_engineering dbr:Molybdenum_disulfide dbr:Moore's_law dbr:Applications_of_artificial_intelligence dbr:Leon_O._Chua dbr:Lissajous_curve dbr:Machine_learning dbr:Shock_wave dbr:Complex_oxide dbr:Computational_neurogenetic_modeling dbr:Hai_Li dbr:Hardware_acceleration dbr:Phase-change_memory dbr:Magnetic_semiconductor dbr:Magnetoresistive_RAM dbr:Massimiliano_Di_Ventra dbr:Timeline_of_biotechnology dbr:Timeline_of_computing_2020–present dbr:Titanium-dioxide-based_memristor dbr:Titanium-dioxide_memristor dbr:Titanium_dioxide_memristor dbr:Data_storage dbr:Neuromorphic_engineering dbr:Alex_James_(professor) dbr:3D_XPoint dbr:Ferroelectric_RAM dbr:Chua's_circuit dbr:Digital_electronic_computer dbr:Digital_electronics dbr:Flux_linkage dbr:History_of_technology dbr:Quantum_machine_learning dbr:Hewlett-Packard dbr:Hewlett_Packard_Labs dbr:January–March_2022_in_science dbr:Bacterial_nanowires dbr:Hybrid_Memory_Cube dbr:Hydraulic_analogy dbr:Solaristor dbr:Kamran_Eshraghian dbr:Hodgkin–Huxley_model dbr:Universal_memory dbr:Artificial_neuron dbr:Memory_resistor dbr:Memresistor dbr:Memrister dbr:Memristor_(memory_resistor) dbr:Memsistor dbr:Hysteresis dbr:R._Stanley_Williams dbr:Schottky_barrier dbr:USB_flash_drive dbr:Neural_network_software dbr:Spin-transfer_torque dbr:Trancitor dbr:Plant_memory dbr:NOMFET dbr:Nanobiotechnology dbr:Nanoelectronics dbr:Multigate_device dbr:Physical_neural_network dbr:Lithionics dbr:Lithium-oxide-based_memristor dbr:Lithium-oxide_memristor dbr:Lithium_oxide_memristor dbr:Rainer_Waser dbr:Resistive_random-access_memory dbr:Outline_of_electronics dbr:Memristors dbr:Types_of_artificial_neural_networks dbr:Richard_S._Potember dbr:Neuristor |
| is dbp:knownFor of | dbr:Leon_O._Chua |
| is owl:differentFrom of | dbr:Memistor |
| is foaf:primaryTopic of | wikipedia-en:Memristor |
