Molecular-beam epitaxy (original) (raw)
Epitaxe z molekulárních svazků (MBE) je jedna z několika metod pro růst tenkých vrstev krystalu na podložkách (substrátech). Tento fenomén byl zaznamenán na konci šedesátých let 20. století (1968) v laboratořích Bell Telephone Laboratories dvojicí J. R. Arthurem a J. J. LePorem. O rok později ho Alfredem Y. Cho doplnil o pozorování nově vzniklého povrchu.
| Property | Value |
|---|---|
| dbo:abstract | Epitaxe z molekulárních svazků (MBE) je jedna z několika metod pro růst tenkých vrstev krystalu na podložkách (substrátech). Tento fenomén byl zaznamenán na konci šedesátých let 20. století (1968) v laboratořích Bell Telephone Laboratories dvojicí J. R. Arthurem a J. J. LePorem. O rok později ho Alfredem Y. Cho doplnil o pozorování nově vzniklého povrchu. (cs) تقيّل الحزمة الجزيئية (يرمز لها اختصاراً MBE من Molecular beam epitaxy) عبارة عن طريقة تقنية تستخدم من أجل إجراء عملية تقيل وذلك بإضافة غشاء رقيق من بلورة أحادية. تسمّى هذه الطريقة أيضاً باسم تناضد الشعاع الجزيئي، وهي إحدى طرق الترسيب الفيزيائي للبخار. تستخدم هذه التقنية بشكل واسع في تصنيع المقاحل في مجال أشباه الموصلات. اخترعت هذه التقنية من قبل آرثر Arthur و تشو Cho في أواخر الستينات وذلك في مختبرات بل. (ar) Molekularstrahlepitaxie (englisch molecular beam epitaxy, MBE) ist ein Verfahren der physikalischen Gasphasenabscheidung (PVD), um kristalline dünne Schichten (bzw. Schichtsysteme) herzustellen. Das Verfahren wird vor allem in der Halbleitertechnik verwendet, unter anderem um einkristalline Strukturen aus Halbleiterverbindungen wie Galliumarsenid (GaAs), Indiumphosphid (InP), GaInNAs, Galliumantimonid (GaSb) auf einem Substrat zu erzeugen. Sie wurde Ende der 1960er Jahre an den Bell Laboratories durch Alfred Y. Cho und John R. Arthur entwickelt. (de) Molecular-beam epitaxy (MBE) is an epitaxy method for thin-film deposition of single crystals. MBE is widely used in the manufacture of semiconductor devices, including transistors, and it is considered one of the fundamental tools for the development of nanotechnologies. MBE is used to fabricate diodes and MOSFETs (MOS field-effect transistors) at microwave frequencies, and to manufacture the lasers used to read optical discs (such as CDs and DVDs). (en) Bealach chun scannáin thanaí chriostalta a tháirgeadh inar féidir comhdhéanamh an scannáin a stiúradh go cúramach. Braitheann an próiseas ar oiread ar leith foinsí téite, gach ceann as dúil dhifriúil. Tagann léas adamh ó gach foinse trí sheomra folúsaithe chun imbhualadh le targaid criostalta. Stiúrtar comhdhéanamh cruinn na gcisil adamh a thógtar ar an gcriostal trí theochtaí na bhfoinsí is córas comhlaí ar rianta na léis adamh a rialú. Leis an bhfearas seo, is féidir feistí nua leathsheoltóra a dhéanamh, cosúil le hoptaic iomlánaithe agus feistí chun taighde a dhéanamh ar iarmhairt chandamach Hall. (ga) L'épitaxie par jets moléculaires (ou MBE pour Molecular Beam Epitaxy) est une technique consistant à envoyer un ou plusieurs jets moléculaires vers un substrat préalablement choisi pour réaliser une croissance épitaxiale. Elle permet de faire croître des échantillons nanostructurés de plusieurs cm2 à une vitesse d'environ une monocouche atomique par seconde. (fr) L'epitassia da fasci molecolari (MBE, dall'inglese Molecular Beam Epitaxy) è una tecnica epitassiale che permette la crescita di sottili strati di materiali cristallini. MBE è largamente utilizzata nella fabbricazione di dispositivi a semiconduttore, tra cui i transistor, ed è considerata uno strumento fondamentale nello sviluppo delle nanotecnologie. MBE è utilizzata per fabbricare diodi e MOSFET che funzionano alle frequenze delle microonde, e nella fabbricazione dei laser usati per la lettura di dischi ottici (come CD e DVD). (it) 分子線エピタキシー法（ぶんしせんエピタキシーほう、 MBE; Molecular Beam Epitaxy）は現在、半導体の結晶成長に使われている手法の一つである。真空蒸着法に分類され、物理吸着を利用する。高真空のために、原料供給機構より放たれた分子が他の気体分子にぶつかることなく直進し、ビーム状の分子線となるのが名称の由来である。 (ja) Epitaksja z wiązek molekularnych (MBE, z ang. molecular beam epitaxy) – jedna z technik epitaksji polegająca na osadzaniu cienkich warstw półprzewodnikowych z wiązek molekularnych (lub atomowych) w ultrawysokiej próżni (p ≤ 10−7 Pa). Metoda została opracowana pod koniec lat 60. XX wieku w Bell Telephone Laboratories przez J.R. Arthura i . Obecnie MBE jest jedną z najszerzej stosowanych technologii wzrostu cienkich warstw półprzewodników, metali, izolatorów i nadprzewodników. (pl) Молекулярно-пучковая эпитаксия (МПЭ) или молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ) — эпитаксиальный рост в условиях сверхвысокого вакуума. Позволяет выращивать гетероструктуры заданной толщины с моноатомно гладкими гетерограницами и с заданным профилем легирования. В установках МПЭ имеется возможность исследовать качество плёнок «in situ» (то есть прямо в ростовой камере во время роста). Для процесса эпитаксии необходимы специальные хорошо очищенные подложки с атомарногладкой поверхностью. Технология молекулярно-пучковой эпитаксии была создана в конце 1960-х годов Дж. Р. Артуром (J. R. Arthur) и Альфредом Чо (Alfred Y. Cho). (ru) A epitaxia por feixe molecular, mais conhecida como MBE (molecular-beam epitaxy) é um método para para de deposição epitaxial de filmes finos que utiliza uma ou mais fontes de feixes moleculares que incidem sobre uma superfície cristalina, denominada substrato. O processo do MBE foi desenvolvido no final dos anos 1960 na Bell Telephone Laboratories por JR Arthur e Alfred Y. Cho e é amplamente utilizado na fabricação de semicondutores, incluindo transistores, e é considerado uma das ferramentas fundamentais para o desenvolvimento de equipamentos eletrônicos e nanotecnologias. Embora o processo básico de MBE, evaporação em ultra alto vácuo , já tivesse sido utilizado anteriormente não foi até os trabalhos de Arthur e Cho que um entendimento mais profundo de como o processo poderia ser utilizado para o crescimento de filmes de semicondutores evolui. Usando espectrometria de massa e técnicas de análise de superfície, eles estudaram o processo de crescimento do filme de arseneto de gálio ao nível da camada atômica. Trabalhos estes que prepararam terreno para o desenvolvimento de equipamentos específicos para o crescimento de filmes epitaxiais em ultra alto vácuo. Posteriormente, Chang e outros aprimoraram ainda mais o processo em direção ao que reconhecemos hoje como MBE. (pt) Молекулярно-променева епітаксія, МПЕ (англ. Molecular-beam epitaxy, MBE) — метод епітаксіального росту кристалів в умовах надвисокого (10−8 Па) вакууму. Був винайдений на початку 1960-х у Bell Labs Дж. Артуром (англ. J. R. Arthur) і Альфредом Чо (англ. Alfred Y. Cho, кит. 卓以和;). (uk) 分子束外延（英語：Molecular beam epitaxy, MBE）是使单晶材料生长的一种方法，由贝尔实验室的J. R. 亚瑟（J. R. Arthur）和卓以和（Alfred Y. Cho）于1960年代后期发明。 (zh) |
| dbo:thumbnail | wiki-commons:Special:FilePath/MBE.svg?width=300 |
| dbo:wikiPageExternalLink | http://lase.mer.utexas.edu/mbe.php http://www.mpi-halle.mpg.de/department2/research-areas/nanowires-nanoobjects/si-ge-nanowhiskers-by-mbe/abstract/ http://www.crystalxe.com https://web.archive.org/web/20060114000841/http:/www.uccs.edu/~tchriste/courses/PHYS549/549lectures/mbe.html https://semanticscholar.org/paper/738153017a4596b332f0b670169477cf449335ee http://bib-pubdb1.desy.de/record/329479/files/RevModPhys.76.725.pdf |
| dbo:wikiPageID | 450052 (xsd:integer) |
| dbo:wikiPageLength | 13910 (xsd:nonNegativeInteger) |
| dbo:wikiPageRevisionID | 1116159471 (xsd:integer) |
| dbo:wikiPageWikiLink | dbr:Ben_G._Streetman dbr:Quantum_cascade_laser dbr:Young's_modulus dbr:Torr_(unit) dbr:Industrial_furnace dbr:Chemical_beam_epitaxy dbr:Chemical_vapor_deposition dbr:Organic_semiconductor dbr:Vacuum_deposition dbr:Optical_discs dbr:Epitaxy dbr:Gallium dbr:Gallium_arsenide dbr:Cryopump dbr:Thermal_Laser_Epitaxy dbr:Thin-film_deposition dbr:Single_crystal dbr:Light-emitting_diode dbr:MOSFET dbr:Sublimation_(chemistry) dbr:°C dbr:Self-assembly dbr:CDs dbr:Titus_Pankey dbr:Liquid_nitrogen dbr:Reflection_high-energy_electron_diffraction dbr:Alfred_Y._Cho dbr:DVDs dbr:Field-effect_transistors dbc:Thin_film_deposition dbc:Semiconductor_growth dbr:Diode dbr:John_R._Arthur_Jr. dbr:Pulsed_laser_deposition dbr:Semiconductor_device_fabrication dbr:Colin_P._Flynn dbr:Quantum_dot dbr:Quantum_well dbr:Reviews_of_Modern_Physics dbr:Herbert_Kroemer dbr:Arsenic dbr:Adsorption dbr:Kelvin dbr:Heterojunction_bipolar_transistor dbr:High-electron-mobility_transistor dbr:Transistor dbr:Arthur_Gossard dbr:Solar_cell dbr:Nanotechnologies dbr:Nanowires dbr:Microwave dbr:Semiconductor_devices dbr:Ultra-high_vacuum dbr:Mean_free_path dbr:Semiconductor dbr:Vacuum dbr:Wetting_layer dbr:Lasers dbr:Impurity dbr:In_situ dbr:Nanowire_lasers dbr:Nature_Nanotechnology dbr:Metalorganic_vapour_phase_epitaxy dbr:Stranski–Krastanov_growth dbr:Epitaxially dbr:Semiconductor_laser dbr:RHEED dbr:Evaporative_deposition dbr:Knudsen_effusion_cell dbr:File:MBE.svg dbr:File:Scanning_tunneling_microscope_(ST..._grown_on_palladium_(111)_surface.png |
| dbp:wikiPageUsesTemplate | dbt:Cite_book dbt:Cite_journal dbt:Reflist dbt:Short_description dbt:Use_American_English |
| dcterms:subject | dbc:Thin_film_deposition dbc:Semiconductor_growth |
| rdfs:comment | Epitaxe z molekulárních svazků (MBE) je jedna z několika metod pro růst tenkých vrstev krystalu na podložkách (substrátech). Tento fenomén byl zaznamenán na konci šedesátých let 20. století (1968) v laboratořích Bell Telephone Laboratories dvojicí J. R. Arthurem a J. J. LePorem. O rok později ho Alfredem Y. Cho doplnil o pozorování nově vzniklého povrchu. (cs) تقيّل الحزمة الجزيئية (يرمز لها اختصاراً MBE من Molecular beam epitaxy) عبارة عن طريقة تقنية تستخدم من أجل إجراء عملية تقيل وذلك بإضافة غشاء رقيق من بلورة أحادية. تسمّى هذه الطريقة أيضاً باسم تناضد الشعاع الجزيئي، وهي إحدى طرق الترسيب الفيزيائي للبخار. تستخدم هذه التقنية بشكل واسع في تصنيع المقاحل في مجال أشباه الموصلات. اخترعت هذه التقنية من قبل آرثر Arthur و تشو Cho في أواخر الستينات وذلك في مختبرات بل. (ar) Molekularstrahlepitaxie (englisch molecular beam epitaxy, MBE) ist ein Verfahren der physikalischen Gasphasenabscheidung (PVD), um kristalline dünne Schichten (bzw. Schichtsysteme) herzustellen. Das Verfahren wird vor allem in der Halbleitertechnik verwendet, unter anderem um einkristalline Strukturen aus Halbleiterverbindungen wie Galliumarsenid (GaAs), Indiumphosphid (InP), GaInNAs, Galliumantimonid (GaSb) auf einem Substrat zu erzeugen. Sie wurde Ende der 1960er Jahre an den Bell Laboratories durch Alfred Y. Cho und John R. Arthur entwickelt. (de) Molecular-beam epitaxy (MBE) is an epitaxy method for thin-film deposition of single crystals. MBE is widely used in the manufacture of semiconductor devices, including transistors, and it is considered one of the fundamental tools for the development of nanotechnologies. MBE is used to fabricate diodes and MOSFETs (MOS field-effect transistors) at microwave frequencies, and to manufacture the lasers used to read optical discs (such as CDs and DVDs). (en) Bealach chun scannáin thanaí chriostalta a tháirgeadh inar féidir comhdhéanamh an scannáin a stiúradh go cúramach. Braitheann an próiseas ar oiread ar leith foinsí téite, gach ceann as dúil dhifriúil. Tagann léas adamh ó gach foinse trí sheomra folúsaithe chun imbhualadh le targaid criostalta. Stiúrtar comhdhéanamh cruinn na gcisil adamh a thógtar ar an gcriostal trí theochtaí na bhfoinsí is córas comhlaí ar rianta na léis adamh a rialú. Leis an bhfearas seo, is féidir feistí nua leathsheoltóra a dhéanamh, cosúil le hoptaic iomlánaithe agus feistí chun taighde a dhéanamh ar iarmhairt chandamach Hall. (ga) L'épitaxie par jets moléculaires (ou MBE pour Molecular Beam Epitaxy) est une technique consistant à envoyer un ou plusieurs jets moléculaires vers un substrat préalablement choisi pour réaliser une croissance épitaxiale. Elle permet de faire croître des échantillons nanostructurés de plusieurs cm2 à une vitesse d'environ une monocouche atomique par seconde. (fr) L'epitassia da fasci molecolari (MBE, dall'inglese Molecular Beam Epitaxy) è una tecnica epitassiale che permette la crescita di sottili strati di materiali cristallini. MBE è largamente utilizzata nella fabbricazione di dispositivi a semiconduttore, tra cui i transistor, ed è considerata uno strumento fondamentale nello sviluppo delle nanotecnologie. MBE è utilizzata per fabbricare diodi e MOSFET che funzionano alle frequenze delle microonde, e nella fabbricazione dei laser usati per la lettura di dischi ottici (come CD e DVD). (it) 分子線エピタキシー法（ぶんしせんエピタキシーほう、 MBE; Molecular Beam Epitaxy）は現在、半導体の結晶成長に使われている手法の一つである。真空蒸着法に分類され、物理吸着を利用する。高真空のために、原料供給機構より放たれた分子が他の気体分子にぶつかることなく直進し、ビーム状の分子線となるのが名称の由来である。 (ja) Epitaksja z wiązek molekularnych (MBE, z ang. molecular beam epitaxy) – jedna z technik epitaksji polegająca na osadzaniu cienkich warstw półprzewodnikowych z wiązek molekularnych (lub atomowych) w ultrawysokiej próżni (p ≤ 10−7 Pa). Metoda została opracowana pod koniec lat 60. XX wieku w Bell Telephone Laboratories przez J.R. Arthura i . Obecnie MBE jest jedną z najszerzej stosowanych technologii wzrostu cienkich warstw półprzewodników, metali, izolatorów i nadprzewodników. (pl) Молекулярно-променева епітаксія, МПЕ (англ. Molecular-beam epitaxy, MBE) — метод епітаксіального росту кристалів в умовах надвисокого (10−8 Па) вакууму. Був винайдений на початку 1960-х у Bell Labs Дж. Артуром (англ. J. R. Arthur) і Альфредом Чо (англ. Alfred Y. Cho, кит. 卓以和;). (uk) 分子束外延（英語：Molecular beam epitaxy, MBE）是使单晶材料生长的一种方法，由贝尔实验室的J. R. 亚瑟（J. R. Arthur）和卓以和（Alfred Y. Cho）于1960年代后期发明。 (zh) A epitaxia por feixe molecular, mais conhecida como MBE (molecular-beam epitaxy) é um método para para de deposição epitaxial de filmes finos que utiliza uma ou mais fontes de feixes moleculares que incidem sobre uma superfície cristalina, denominada substrato. O processo do MBE foi desenvolvido no final dos anos 1960 na Bell Telephone Laboratories por JR Arthur e Alfred Y. Cho e é amplamente utilizado na fabricação de semicondutores, incluindo transistores, e é considerado uma das ferramentas fundamentais para o desenvolvimento de equipamentos eletrônicos e nanotecnologias. (pt) Молекулярно-пучковая эпитаксия (МПЭ) или молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ) — эпитаксиальный рост в условиях сверхвысокого вакуума. Позволяет выращивать гетероструктуры заданной толщины с моноатомно гладкими гетерограницами и с заданным профилем легирования. В установках МПЭ имеется возможность исследовать качество плёнок «in situ» (то есть прямо в ростовой камере во время роста). Для процесса эпитаксии необходимы специальные хорошо очищенные подложки с атомарногладкой поверхностью. (ru) |
| rdfs:label | تقيل الحزمة الجزيئية (ar) Epitaxia de feix molecular (ca) Epitaxe z molekulárních svazků (cs) Molekularstrahlepitaxie (de) Épitaxie par jet moléculaire (fr) Eipeatacsacht léis mhóilínigh (ga) Epitassia da fasci molecolari (it) 分子線エピタキシー法 (ja) Molecular-beam epitaxy (en) Epitaksja z wiązek molekularnych (pl) Молекулярно-пучковая эпитаксия (ru) Epitaxia por feixe molecular (pt) Молекулярно-променева епітаксія (uk) 分子束外延 (zh) |
| owl:sameAs | wikidata:Molecular-beam epitaxy dbpedia-ar:Molecular-beam epitaxy dbpedia-ca:Molecular-beam epitaxy dbpedia-cs:Molecular-beam epitaxy dbpedia-da:Molecular-beam epitaxy dbpedia-de:Molecular-beam epitaxy dbpedia-fa:Molecular-beam epitaxy dbpedia-fr:Molecular-beam epitaxy dbpedia-ga:Molecular-beam epitaxy dbpedia-it:Molecular-beam epitaxy dbpedia-ja:Molecular-beam epitaxy dbpedia-pl:Molecular-beam epitaxy dbpedia-pt:Molecular-beam epitaxy dbpedia-ru:Molecular-beam epitaxy dbpedia-uk:Molecular-beam epitaxy dbpedia-vi:Molecular-beam epitaxy dbpedia-zh:Molecular-beam epitaxy https://global.dbpedia.org/id/53afw |
| prov:wasDerivedFrom | wikipedia-en:Molecular-beam_epitaxy?oldid=1116159471&ns=0 |
| foaf:depiction | wiki-commons:Special:FilePath/Scanning_tunneling_mi..._grown_on_palladium_(111)_surface.png wiki-commons:Special:FilePath/MBE.svg |
| foaf:isPrimaryTopicOf | wikipedia-en:Molecular-beam_epitaxy |
| is dbo:knownFor of | dbr:Leslie_Kolodziejski |
| is dbo:wikiPageRedirects of | dbr:Molecular_beam_epitaxy dbr:Molecular-beam_epitaxy_(MBE) dbr:Molecular_Beam_Epitaxy dbr:ATG_instability dbr:Thermal_reactive_evaporation |
| is dbo:wikiPageWikiLink of | dbr:Ben_G._Streetman dbr:Scandium_nitride dbr:Metalorganic_vapour-phase_epitaxy dbr:Bismuth_ferrite dbr:Allen_Goldman dbr:April_Brown dbr:Paul_R._Berger dbr:Perovskite_(structure) dbr:List_of_semiconductor_materials dbr:Molecular_beam_epitaxy dbr:Epitaxy dbr:Gallium dbr:Gallium_nitride dbr:Crystalline_coatings dbr:Anna_Fontcuberta_i_Morral dbr:Leslie_Kolodziejski dbr:Frank–Van_der_Merwe_growth dbr:Transition_metal_dichalcogenide_monolayers dbr:Titus_Pankey dbr:Walter_Schottky_Institute dbr:Gallium_manganese_arsenide dbr:American_Vacuum_Society dbr:Band-gap_engineering dbr:Band_gap dbr:Bretislav_Victor_Heinrich dbr:Knudsen_cell dbr:Tantalum_diselenide dbr:Jérôme_Faist dbr:Mee dbr:Molecular-beam_epitaxy_(MBE) dbr:Selective_area_epitaxy dbr:Manijeh_Razeghi dbr:Roger_Malik dbr:Rzhanov_Institute_of_Semiconductor_Physics dbr:Superlattice dbr:Molecular_Beam_Epitaxy dbr:Stranski–Krastanov_growth dbr:ATG_instability dbr:Thermal_reactive_evaporation |
| is dbp:mainInterests of | dbr:Anna_Fontcuberta_i_Morral |
| is foaf:primaryTopic of | wikipedia-en:Molecular-beam_epitaxy |
