Power semiconductor device (original) (raw)
전력 반도체 소자(Power semiconductor device)는 용의 반도체소자이다. 전력의 변환이나 제어용으로 최적화되어 있어서, 전력 전자공학의 핵심 소자이다. 일반적인 반도체소자에 비해서 고내압화, 큰 전류화, 고주파수화된 것이 특징이다. 일반적으로 전원 장치(Power device)라고도 하며, 정류 다이오드, 전력 MOSFET, 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT), 사이리스터, 게이트 턴 오프 사이리스터 (GTO), (triac)등으로 알려져 있다. 통전 제어의 가부에 관계 없이 한방향으로 손실 없이 전류를 흘릴 수 있는 소자를, 밸브 장치라고 부르며, 전력 반도체소자는 그 안에 포함되어 반도체 밸브 장치라고도 불린다. 정격 전압, 정격 전류는 용도나 소자의 구조에 따라 다르지만, 정격전압은 220 볼트 전원선과 440 볼트 전원선에 대응한 600 볼트와 1200 볼트가 일반적이고, 정격전류는 1 암페어에서 1 킬로암페어 이상으로 폭이 크다. 다중의 소자를 하나의 패키지에 모듈화한 이나, 제어 회로, 구동 회로, 보호 회로 등도 포함하여 모듈화한 도 있다.
| Property | Value |
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| dbo:abstract | جها شبه موصل عالي القدرة أو جهاز شبه موصل الطاقة (بالإنجليزية: power semiconductor device) هو جهاز مكوناته من أشباه الموصلات يستخدم كمفتاح أو مقوم في إلكترونيات القدرة (مثلًا في المغذيات النبضية). يسمى هذا الجهاز أيضًا الجهاز عالي القدرة أو جهاز الطاقة power device أو، عند استخدامه في دائرة متكاملة، دائرةُ طاقةٍ متكاملةٌ power IC. عادة ما يُستخدم جهاز شبه موصل الطاقة في «وضع التبديل» (على سبيل المثال، إما أنه قيد التشغيل أو إيقاف التشغيل on or off)، وبالتالي يكون له تصميم مُحسَّن لمثل هذا الاستخدام؛ لا يصلح للاستخدام عادة في العمليات الخطية. تنتشر دوائرُ الطاقةِ الخطيةِ على نطاق واسع كمنظمات جهد ومضخمات الصوت ومضخمات التردد اللاسلكي radio frequency amplifiers. توجد أشباه موصلات الطاقة -(عالية القدرة)- في الأنظمة التي تزود مكبر سماعة الرأس ببضع عشرات من الملي واط، حتى حوالي جيجاوات في خطوط نقل التيار الثابت عالي الجهد. (ar) Leistungshalbleiter (auch "elektronische Ventile") sind Halbleiterbauelemente, die in der Leistungselektronik für das Steuern und Schalten hoher elektrischer Ströme und Spannungen ausgelegt sind (mehr als 1 Ampere und Spannungen von mehr als etwa 24 Volt). Die Obergrenze der Größe sind jeweils mehrere Tausend Ampere und Volt. Dazu werden angepasste Varianten normaler Halbleiterbauelemente benötigt, da hohe Ströme und Spannung diese zerstören würden. Verwendet werden vornehmlich folgende Bauelemente: * Leistungsdioden sind Schaltelemente, die den Strom prinzipiell nur in einer Richtung oder nur oberhalb eines bestimmten Spannungswertes durchfließen lassen. Sie werden häufig in Gleichrichter-Schaltungen verwendet. * Thyristoren (kurz und im englischen auch genannt: GTO, "Gate-Turn-Off" oder SCR, "Silicon-Controlled-Rectifier") sind Schaltelemente, die den Schaltpunkt durch eine steuerbare Spannung an einer Steuerelektrode beliebig und flexibel einstellen lassen. Sie sind neben dem Gleichrichter die typischsten Bauteile der Leistungselektronik. Sie haben die vielfältigsten Anwendungen zum Schalten, Steuern und Regeln. * Triacs sind zwei Thyristorelemente in einem Bauteil, die gegenläufig parallelgeschaltet sind und gemeinsam gesteuert werden. Mit Triacs werden vor allem Wechselströme gesteuert und geschaltet. * Leistungs-MOSFETs und IGBT-Bauteile sind Transistoren mit besonderen Schalt- und Leistungseigenschaften aufgrund ihrer atomaren Halbleiterstruktur. (de) A power semiconductor device is a semiconductor device used as a switch or rectifier in power electronics (for example in a switch-mode power supply). Such a device is also called a power device or, when used in an integrated circuit, a power IC. A power semiconductor device is usually used in "commutation mode" (i.e., it is either on or off), and therefore has a design optimized for such usage; it should usually not be used in linear operation. Linear power circuits are widespread as voltage regulators, audio amplifiers, and radio frequency amplifiers. Power semiconductors are found in systems delivering as little as a few tens of milliwatts for a headphone amplifier, up to around a gigawatt in a high voltage direct current transmission line. (en) 전력 반도체 소자(Power semiconductor device)는 용의 반도체소자이다. 전력의 변환이나 제어용으로 최적화되어 있어서, 전력 전자공학의 핵심 소자이다. 일반적인 반도체소자에 비해서 고내압화, 큰 전류화, 고주파수화된 것이 특징이다. 일반적으로 전원 장치(Power device)라고도 하며, 정류 다이오드, 전력 MOSFET, 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT), 사이리스터, 게이트 턴 오프 사이리스터 (GTO), (triac)등으로 알려져 있다. 통전 제어의 가부에 관계 없이 한방향으로 손실 없이 전류를 흘릴 수 있는 소자를, 밸브 장치라고 부르며, 전력 반도체소자는 그 안에 포함되어 반도체 밸브 장치라고도 불린다. 정격 전압, 정격 전류는 용도나 소자의 구조에 따라 다르지만, 정격전압은 220 볼트 전원선과 440 볼트 전원선에 대응한 600 볼트와 1200 볼트가 일반적이고, 정격전류는 1 암페어에서 1 킬로암페어 이상으로 폭이 크다. 다중의 소자를 하나의 패키지에 모듈화한 이나, 제어 회로, 구동 회로, 보호 회로 등도 포함하여 모듈화한 도 있다. (ko) 電力用半導体素子（でんりょくよう はんどうたいそし）は、電力機器向けの半導体素子である。電力制御用に最適化されており、パワーエレクトロニクスの中心となる電子部品である。家庭用電化製品やコンピュータなどに使われている半導体素子に比べて、高電圧で大電流を扱えるのが特徴で、高周波動作が可能なものも多い。 (ja) Półprzewodnikowe elementy mocy – tranzystory, tyrystory, diody oraz inne elementy, które są przystosowane do pracy z dużymi mocami. (pl) |
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