| dbo:abstract |
الترانزستور VMOS هو نوع من الموسفت (ترانزستور يعتبر تأثير المجال من أكسيد المعادن وأشباه الموصلات). يستخدم VMOS أيضًا لوصف شكل V-groove (الموضع في الصورة) المقطوع رأسياً في مادة الركيزة. VMOS هو اختصار لعبارة «أشباه الموصلات المعدنية الرأسية» أو "V-groove MOS". يسمح شكل "V" لبوابة موسفت للجهاز بإيصال كمية أعلى من التيار من المصدر إلى المصرف من الجهاز. شكل منطقة الإنخفاض قناة أوسع، مما يسمح لمزيد من التيار بالتدفق خلالها. أثناء التشغيل في وضع الحجب، يحدث أعلى مجال كهربائي عند تقاطع N + / p +. إن وجود زاوية حادة في أسفل الأخدود يعزز المجال الكهربائي عند حافة القناة في منطقة الإنخفاض، مما يقلل من جهد الانهيار للجهاز. يطلق هذا المجال الكهربائي الإلكترونات في أكسيد البوابة، وبالتالي تقوم الإلكترونات المحاصرة بتحويل جهد عتبة موسفت. لهذا السبب، لم يعد يتم استخدام بنية V-groove في الأجهزة التجارية. كان استخدام الجهاز عبارة عن جهاز طاقة حتى تم إدخال أشكال هندسية أكثر ملاءمة، مثل UMOS (أو Trench-Gate MOS) من أجل خفض المجال الكهربائي الأقصى في الجزء العلوي من شكل V وبالتالي يؤدي إلى أقصى حد أعلى الفولتية من حالة VMOS. (ar) A VMOS (/ˈviːmɒs/) transistor is a type of MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor). VMOS is also used for describing the V-groove shape vertically cut into the substrate material. VMOS is an acronym for "vertical metal oxide semiconductor", or "V-groove MOS". The "V" shape of the MOSFET's gate allows the device to deliver a higher amount of current from the source to the drain of the device. The shape of the depletion region creates a wider channel, allowing more current to flow through it. During operation in blocking mode, the highest electric field occurs at the N+/p+ junction. The presence of a sharp corner at the bottom of the groove enhances the electric field at the edge of the channel in the depletion region, thus reducing the breakdown voltage of the device. This electric field launches electrons into the gate oxide and consequently, the trapped electrons shift the threshold voltage of the MOSFET. For this reason, the V-groove architecture is no longer used in commercial devices. The device's use was a power device until more suitable geometries, like the UMOS (or Trench-Gate MOS) were introduced in order to lower the maximum electric field at the top of the V shape and thus leading to higher maximum voltages than in case of the VMOS. (en) |
| dbo:thumbnail |
wiki-commons:Special:FilePath/VMOS_cross_section_en.png?width=300 |
| dbo:wikiPageID |
3083843 (xsd:integer) |
| dbo:wikiPageLength |
5685 (xsd:nonNegativeInteger) |
| dbo:wikiPageRevisionID |
999913214 (xsd:integer) |
| dbo:wikiPageWikiLink |
dbr:Electric_current dbr:Bell_Labs dbr:Dawon_Kahng dbr:Hitachi dbr:Depletion_region dbr:Integrated_circuit dbr:JFET dbr:Gate_oxide dbr:Power_MOSFET dbr:Electric_field dbr:MOSFET dbr:Stanford_University dbc:MOSFETs dbc:Japanese_inventions dbr:Jun-ichi_Nishizawa dbr:T._J._Rodgers dbr:Digital_signal_processor dbc:Transistor_types dbr:Field-effect_transistor dbr:Static_induction_transistor dbr:Mohamed_Atalla dbr:American_Microsystems dbr:Field_effect_transistor dbr:VDMOS dbr:Power_device dbr:US_patent dbr:File:VMOS_cross_section_en.png |
| dbp:wikiPageUsesTemplate |
dbt:! dbt:About dbt:IPAc-en dbt:Refimprove dbt:Reflist dbt:Electronic_components dbt:Technology-stub |
| dct:subject |
dbc:MOSFETs dbc:Japanese_inventions dbc:Transistor_types |
| gold:hypernym |
dbr:Transistor |
| rdfs:comment |
الترانزستور VMOS هو نوع من الموسفت (ترانزستور يعتبر تأثير المجال من أكسيد المعادن وأشباه الموصلات). يستخدم VMOS أيضًا لوصف شكل V-groove (الموضع في الصورة) المقطوع رأسياً في مادة الركيزة. VMOS هو اختصار لعبارة «أشباه الموصلات المعدنية الرأسية» أو "V-groove MOS". يسمح شكل "V" لبوابة موسفت للجهاز بإيصال كمية أعلى من التيار من المصدر إلى المصرف من الجهاز. شكل منطقة الإنخفاض قناة أوسع، مما يسمح لمزيد من التيار بالتدفق خلالها. (ar) A VMOS (/ˈviːmɒs/) transistor is a type of MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor). VMOS is also used for describing the V-groove shape vertically cut into the substrate material. VMOS is an acronym for "vertical metal oxide semiconductor", or "V-groove MOS". The "V" shape of the MOSFET's gate allows the device to deliver a higher amount of current from the source to the drain of the device. The shape of the depletion region creates a wider channel, allowing more current to flow through it. (en) |
| rdfs:label |
موسفت شاقولي (ar) VMOS (ca) VMOS (en) |
| owl:sameAs |
freebase:VMOS wikidata:VMOS dbpedia-ar:VMOS dbpedia-ca:VMOS dbpedia-fa:VMOS https://global.dbpedia.org/id/fiBA |
| prov:wasDerivedFrom |
wikipedia-en:VMOS?oldid=999913214&ns=0 |
| foaf:depiction |
wiki-commons:Special:FilePath/VMOS_cross_section_en.png |
| foaf:isPrimaryTopicOf |
wikipedia-en:VMOS |
| is dbo:wikiPageWikiLink of |
dbr:Power_electronics dbr:Electric_power_industry dbr:Insulated-gate_bipolar_transistor dbr:List_of_semiconductor_scale_examples dbr:Power_semiconductor_device dbr:Power_MOSFET dbr:MOSFET_applications dbr:HP_Labs dbr:T._J._Rodgers dbr:Digital_signal_processor dbr:Class-D_amplifier dbr:Random-access_memory dbr:Transistor_count |
| is foaf:primaryTopic of |
wikipedia-en:VMOS |
