Single-electron transistor (original) (raw)
El transistor d'electró únic és un dispositiu electrònic basat en l'efecte . En aquest dispositiu l'electró es condueix a través de les d'unions túnel que separan els terminals de font/drenador respecte a un punt quàntic (illa conductiva) que en aquests dispositius actua com a canal de conducció. Cal tenir present que el potencial de l'illa conductiva vindrà modificat per un tercer elèctrode (porta) que està acoblat capacitivament a l'illa de conducció. La Fig. 1 mostra l'esquema bàsic d'un dispositiu SET, on l'illa conductiva està compresa entre les unions tunel, que son modelades per una capacitat (CD i CS) i una resistència (RD i RS) en paral·lel.
| Property | Value |
|---|---|
| dbo:abstract | El transistor d'electró únic és un dispositiu electrònic basat en l'efecte . En aquest dispositiu l'electró es condueix a través de les d'unions túnel que separan els terminals de font/drenador respecte a un punt quàntic (illa conductiva) que en aquests dispositius actua com a canal de conducció. Cal tenir present que el potencial de l'illa conductiva vindrà modificat per un tercer elèctrode (porta) que està acoblat capacitivament a l'illa de conducció. La Fig. 1 mostra l'esquema bàsic d'un dispositiu SET, on l'illa conductiva està compresa entre les unions tunel, que son modelades per una capacitat (CD i CS) i una resistència (RD i RS) en paral·lel. (ca) Als Einzelelektronentransistoren, auch Ein-Elektron-Transistoren, (SET für englisch single electron tunneling oder englisch single electron transistors) bezeichnet man elektronische Bauelemente, die zu einem bestimmten Zeitpunkt nur von jeweils einem Elektron passiert werden können. Der erste SET wurde 1987 an den Bell Laboratories von Gerald Dolan und Theodore A. Fulton realisiert. Vorschläge dazu gaben schon Dmitri Averin und Konstantin Likharev 1985. (de) El transistor de electron único (single-electron transistor, SET) es un dispositivo electrónico basado en el efecto Coulomb Blockade (CB). En este dispositivo el electrón se conduce de los terminales fuente/drenador a través de uniones túnel a un punto cuántico (isla conductiva). Se debe tener presente que el potencial de dicha isla conductiva se ve modificado por un tercer electrodo (puerta) que esta acoplado capacitivamente a la isla de conductiva. La Fig. 1 muestra el esquema básico de un dispositivo SET, donde la isla conductiva esta comprendida entre las dos uniones túnel, que son modeladas por una capacidad (CD y CS) y una resistencia (RD y RS) en paralelo. * Fig. 1. Esquema de un SET. (es) Le transistor à un électron (Single-electron transistor, SET) est un dispositif électronique basé sur l’effet de blocage de Coulomb. Dans un tel composant, les électrons traversent par effet tunnel une jonction source/drain, via une boîte quantique (îlot conducteur plus communément connu sous son appellation anglophone quantum dot, ou QD). Le potentiel électrique du quantum dot peut être contrôlé par une troisième électrode, ou grille, à laquelle il est lié par un couplage capacitif. La boîte quantique est placée entre deux jonctions tunnel , chacune étant modélisée par une capacitance (CD et CS) et une résistance (RD et RS) parallèles. (fr) Transistor elektron tunggal adalah suatu perangkat sederhana di mana efek blokade Coulomb (bahasa Inggris: Coulomb blockade) dapat diamati. Perangkat ini terdiri dari dua buah sambungan terowongan, yang berbagi dengan sebuah elektrode biasa berkapasitas rendah, yang dikenal sebagai (bahasa Inggris: the island). Potensi listrik dari sambungan terowongan tersebut dapat disetel oleh elektrode ketiga (bahasa Inggris: the gate), di mana kapasitas digabungkan pada sambungan terowongan tersebut. (in) A single-electron transistor (SET) is a sensitive electronic device based on the Coulomb blockade effect. In this device the electrons flow through a tunnel junction between source/drain to a quantum dot (conductive island). Moreover, the electrical potential of the island can be tuned by a third electrode, known as the gate, which is capacitively coupled to the island. The conductive island is sandwiched between two tunnel junctions modeled by capacitors, and , and resistors, and , in parallel. (en) Un transistor a singolo elettrone (Single Electron Transistor – SET) è un dispositivo elettronico basato sull’effetto di bloccaggio coulombiano (Coulomb blockade, in inglese). In tale dispositivo, gli elettroni scorrono dai contatti di source e drain in un quantum dot (un punto quantico, un sistema confinato quantisticamente in tutte e tre le dimensioni spaziali) attraverso giunzioni tunnel. Il potenziale elettrico del punto quantico, o “isola” di elettroni, può essere manipolato da un terzo elettrodo, il gate, accoppiato capacitivamente all’isola stessa. Fig. 1 mostra uno schema basilare di un SET, in cui l’isola, controllata dall’elettrodo di gate tramite il condensatore CG, è accoppiato ai contatti di source e drain tramite giunzioni tunnel modellizzate come un parallelo di una resistenza (RD o RS) e un condensatore (CD o CS). (it) 単一電子トランジスタ（たんいつでんしトランジスタ SET;Single Electron Transistor）は、トランジスタの一形式。 (ja) Одноэлектронный транзистор (англ. Single-electron transistor, SET) — концепция транзистора, использующего возможность получения заметных изменений напряжения при манипуляции с отдельными электронами. Такая возможность имеется, в частности, благодаря явлению кулоновской блокады. (ru) Одноелектронний транзистор (англ. Single electron transistor (SET)) - найпростіший прилад, в якому спостерігається явище кулонівської блокади. Він складається із двох тунельних переходів, які розділяють один спільний електрод з малою ємністю, і котрий називається острівцем. Електричний потенціал цього острівця може змінюватися за допомогою третього електроду (затвору), який ємнісно зв'язаний з островом. Вольт-амперні характеристики (ВАХ) модулюються між максимумом та мінімумом кулонівською блокадою", із періодичністю одного електричного заряду, тобто зарядом індукованим на острівці. В заблокованому стані немає доступних рівнів енергії всередині області тунелювання (червона) на контакті джерела. Всі енергетичні рівні на електроді острівця з меншими енергіями окуповані електронами. Енергетичні рівні острівця знижуються коли до електроду затвора прикладається додатна напруга. Електрон (зелена 1) може тунелювати на острівець (2), на попередньо вакантний енергетичний рівень. Звідси він може тунелювати на електрод стоку (3.), де непружно розсіюється і досягає рівня Фермі на ньому. Енергетичні рівні електроду острівця є рівновіддаленими з відстанню між ними. - енергія необхідна електрону для досягнення острівця, котрий діє як . Чим нижча ємність , тим більша . Слід відзначити, що повинна бути більшою за енергію теплових флюктуацій , оскільки в протилежному випадку під дією температури електрон із електроду джерела може завжди зайняти вільний енергетичний рівень на електроді острівця, і ніякого блокування не буде. (uk) 第一个单电子晶体管由贝尔实验室的Fulton等人制成。典型的单电子晶体管如图示。量子点和外界被两个电容器和两个隧道结隔开。是这种电路具备的独特性质。而是的起因。 (zh) |
| dbo:thumbnail | wiki-commons:Special:FilePath/SET_schematic2.jpg?width=300 |
| dbo:wikiPageID | 56256205 (xsd:integer) |
| dbo:wikiPageLength | 21806 (xsd:nonNegativeInteger) |
| dbo:wikiPageRevisionID | 1122432825 (xsd:integer) |
| dbo:wikiPageWikiLink | dbr:Current–voltage_characteristic dbr:Uncertainty_principle dbr:Ohm's_law dbr:Quantum_tunnelling dbr:Elementary_charge dbr:MOSFET dbr:Energy_levels dbr:Quantum_dot dbc:Nanoelectronics dbr:Internet_of_things dbr:Coulomb_blockade dbc:Transistor_types dbr:Marc_A._Kastner dbr:CMOS dbr:Field-effect_transistor dbr:Transistor_model dbr:David_Thouless dbr:File:Set_schematic.svg dbr:File:Single_electron_transistor.svg dbr:File:TySETimage.png dbr:File:SETFET_schematic.jpg dbr:File:SET_schematic2.jpg |
| dbp:wikiPageUsesTemplate | dbt:Citation_needed dbt:Ill dbt:Reflist |
| dct:subject | dbc:Nanoelectronics dbc:Transistor_types |
| rdfs:comment | El transistor d'electró únic és un dispositiu electrònic basat en l'efecte . En aquest dispositiu l'electró es condueix a través de les d'unions túnel que separan els terminals de font/drenador respecte a un punt quàntic (illa conductiva) que en aquests dispositius actua com a canal de conducció. Cal tenir present que el potencial de l'illa conductiva vindrà modificat per un tercer elèctrode (porta) que està acoblat capacitivament a l'illa de conducció. La Fig. 1 mostra l'esquema bàsic d'un dispositiu SET, on l'illa conductiva està compresa entre les unions tunel, que son modelades per una capacitat (CD i CS) i una resistència (RD i RS) en paral·lel. (ca) Als Einzelelektronentransistoren, auch Ein-Elektron-Transistoren, (SET für englisch single electron tunneling oder englisch single electron transistors) bezeichnet man elektronische Bauelemente, die zu einem bestimmten Zeitpunkt nur von jeweils einem Elektron passiert werden können. Der erste SET wurde 1987 an den Bell Laboratories von Gerald Dolan und Theodore A. Fulton realisiert. Vorschläge dazu gaben schon Dmitri Averin und Konstantin Likharev 1985. (de) Le transistor à un électron (Single-electron transistor, SET) est un dispositif électronique basé sur l’effet de blocage de Coulomb. Dans un tel composant, les électrons traversent par effet tunnel une jonction source/drain, via une boîte quantique (îlot conducteur plus communément connu sous son appellation anglophone quantum dot, ou QD). Le potentiel électrique du quantum dot peut être contrôlé par une troisième électrode, ou grille, à laquelle il est lié par un couplage capacitif. La boîte quantique est placée entre deux jonctions tunnel , chacune étant modélisée par une capacitance (CD et CS) et une résistance (RD et RS) parallèles. (fr) Transistor elektron tunggal adalah suatu perangkat sederhana di mana efek blokade Coulomb (bahasa Inggris: Coulomb blockade) dapat diamati. Perangkat ini terdiri dari dua buah sambungan terowongan, yang berbagi dengan sebuah elektrode biasa berkapasitas rendah, yang dikenal sebagai (bahasa Inggris: the island). Potensi listrik dari sambungan terowongan tersebut dapat disetel oleh elektrode ketiga (bahasa Inggris: the gate), di mana kapasitas digabungkan pada sambungan terowongan tersebut. (in) A single-electron transistor (SET) is a sensitive electronic device based on the Coulomb blockade effect. In this device the electrons flow through a tunnel junction between source/drain to a quantum dot (conductive island). Moreover, the electrical potential of the island can be tuned by a third electrode, known as the gate, which is capacitively coupled to the island. The conductive island is sandwiched between two tunnel junctions modeled by capacitors, and , and resistors, and , in parallel. (en) 単一電子トランジスタ（たんいつでんしトランジスタ SET;Single Electron Transistor）は、トランジスタの一形式。 (ja) Одноэлектронный транзистор (англ. Single-electron transistor, SET) — концепция транзистора, использующего возможность получения заметных изменений напряжения при манипуляции с отдельными электронами. Такая возможность имеется, в частности, благодаря явлению кулоновской блокады. (ru) 第一个单电子晶体管由贝尔实验室的Fulton等人制成。典型的单电子晶体管如图示。量子点和外界被两个电容器和两个隧道结隔开。是这种电路具备的独特性质。而是的起因。 (zh) El transistor de electron único (single-electron transistor, SET) es un dispositivo electrónico basado en el efecto Coulomb Blockade (CB). En este dispositivo el electrón se conduce de los terminales fuente/drenador a través de uniones túnel a un punto cuántico (isla conductiva). Se debe tener presente que el potencial de dicha isla conductiva se ve modificado por un tercer electrodo (puerta) que esta acoplado capacitivamente a la isla de conductiva. La Fig. 1 muestra el esquema básico de un dispositivo SET, donde la isla conductiva esta comprendida entre las dos uniones túnel, que son modeladas por una capacidad (CD y CS) y una resistencia (RD y RS) en paralelo. (es) Un transistor a singolo elettrone (Single Electron Transistor – SET) è un dispositivo elettronico basato sull’effetto di bloccaggio coulombiano (Coulomb blockade, in inglese). In tale dispositivo, gli elettroni scorrono dai contatti di source e drain in un quantum dot (un punto quantico, un sistema confinato quantisticamente in tutte e tre le dimensioni spaziali) attraverso giunzioni tunnel. Il potenziale elettrico del punto quantico, o “isola” di elettroni, può essere manipolato da un terzo elettrodo, il gate, accoppiato capacitivamente all’isola stessa. Fig. 1 mostra uno schema basilare di un SET, in cui l’isola, controllata dall’elettrodo di gate tramite il condensatore CG, è accoppiato ai contatti di source e drain tramite giunzioni tunnel modellizzate come un parallelo di una resisten (it) Одноелектронний транзистор (англ. Single electron transistor (SET)) - найпростіший прилад, в якому спостерігається явище кулонівської блокади. Він складається із двох тунельних переходів, які розділяють один спільний електрод з малою ємністю, і котрий називається острівцем. Електричний потенціал цього острівця може змінюватися за допомогою третього електроду (затвору), який ємнісно зв'язаний з островом. Вольт-амперні характеристики (ВАХ) модулюються між максимумом та мінімумом кулонівською блокадою", із періодичністю одного електричного заряду, тобто зарядом індукованим на острівці. (uk) |
| rdfs:label | Transistors d'electró únic (ca) Einzelelektronentransistor (de) Transistor de electrón único (es) Transistor elektron tunggal (in) Transistor à un électron (fr) Transistor a singolo elettrone (it) 単一電子トランジスタ (ja) Single-electron transistor (en) Одноэлектронный транзистор (ru) 单电子晶体管 (zh) Одноелектронний транзистор (uk) |
| owl:sameAs | wikidata:Single-electron transistor dbpedia-ca:Single-electron transistor dbpedia-da:Single-electron transistor dbpedia-de:Single-electron transistor dbpedia-es:Single-electron transistor dbpedia-et:Single-electron transistor dbpedia-fr:Single-electron transistor dbpedia-id:Single-electron transistor dbpedia-it:Single-electron transistor dbpedia-ja:Single-electron transistor dbpedia-ru:Single-electron transistor dbpedia-uk:Single-electron transistor dbpedia-zh:Single-electron transistor https://global.dbpedia.org/id/knAe yago-res:Single-electron transistor |
| prov:wasDerivedFrom | wikipedia-en:Single-electron_transistor?oldid=1122432825&ns=0 |
| foaf:depiction | wiki-commons:Special:FilePath/Set_schematic.svg wiki-commons:Special:FilePath/Single_electron_transistor.svg wiki-commons:Special:FilePath/TySETimage.png wiki-commons:Special:FilePath/SETFET_schematic.jpg wiki-commons:Special:FilePath/SET_schematic2.jpg |
| foaf:isPrimaryTopicOf | wikipedia-en:Single-electron_transistor |
| is dbo:knownFor of | dbr:Marc_A._Kastner |
| is dbo:wikiPageDisambiguates of | dbr:Set |
| is dbo:wikiPageRedirects of | dbr:Single-Electron_Transistor dbr:Single-electron_transistor_(SET) dbr:Single_electron_transistor |
| is dbo:wikiPageWikiLink of | dbr:Electron-on-helium_qubit dbr:David_J._Thouless dbr:Charge_qubit dbr:Massachusetts_Institute_of_Technology dbr:Josephson_effect dbr:Local_oxidation_nanolithography dbr:Aluminium_oxide dbr:Gerald_J._Dolan dbr:Kane_quantum_computer dbr:Quantum_dot dbr:Coulomb_blockade dbr:Transistor dbr:Marc_A._Kastner dbr:Set dbr:Sterling_Professor dbr:Wigner_crystal dbr:Single-Electron_Transistor dbr:Single-electron_transistor_(SET) dbr:Single_electron_transistor |
| is dbp:knownFor of | dbr:Marc_A._Kastner |
| is foaf:primaryTopic of | wikipedia-en:Single-electron_transistor |
