もりぶでんれっど - Weblio 英和・和英辞典 (original) (raw)
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もりぶでんれっどの英語
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モリブデンレッド
「もりぶでんれっど」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 2546件
例文
それぞれのノードが超伝導CPU, 超伝導メモリおよび通常のDRAMメモリからなる, 通常の分散メモリ設計例文帳に追加
a conventional distributed memory design where each node consists of a superconducting CPU, superconducting memory and conventional DRAM memory発音を聞く - コンピューター用語辞典
そして、メモリ管理部１２は、受け取ったアドレスとサイズをメモリ電源管理部１３に通知する。例文帳に追加
The part 12 notifies a memory power supply managing part 13 of the received address and size. - 特許庁
圧電物質とディスプレイ部とを含むメモリカードを提供する。例文帳に追加
To provide a memory card comprising a piezoelectric material and a display unit. - 特許庁
そのメモリ部（２３、２４）は、第１メモリ部（２３）と、第１メモリ部（２３）と独立に駆動される第２メモリ部（２４）と、第２メモリ部（２４）に供給される電荷をリセットするリセットドレイン（２６）とを備えるものとする。例文帳に追加
The memory sections (23, 24) include: a first memory section (23); a second memory section (24) driven independently from the first memory section (23); and a reset drain (26) resetting a charge supplied to the second memory section (24). - 特許庁
回路内メモリ・アレイ・ビット・セル・スレシホルド電圧分布測定例文帳に追加
MEASUREMENT FOR THRESHOLD VOLTAGE DISTRIBUTION OF MEMORY ARRAY BIT CELL IN CIRCUIT - 特許庁
メモリ素子１００は、抵抗メモリ下部電極１０２、抵抗メモリ物質１０４、抵抗メモリ上部電極１０６、ＭＳＭ下部電極１０８、半導体層１１０、ＭＳＭ上部電極１１２がこの順に積層されてなる。例文帳に追加
In the memory device 100, a resistance memory lower electrode 102, a resistance memory substance 104, a resistance memory upper electrode 106, an MSM lower electrode 108, a semiconductor layer 110, and an MSM upper electrode 112 are stacked in this order. - 特許庁
例文
電源供給部２５は、半導体メモリ２２への第１供給電圧Ｖａおよび不揮発性メモリ２３への第２供給電圧Ｖｂのいずれかの電源で動作モード設定部２７および不揮発性メモリ２３を起動する。例文帳に追加
The power supply part 25 activates the operation mode setting part 27 and the nonvolatile memory 23 by using either of the power supplies: a first supply voltage Va to the semiconductor memory 22 and a second supply voltage Vb to the nonvolatile memory 23. - 特許庁
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「もりぶでんれっど」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 2546件
例文
電荷トラッピング構造を有する一列のメモリセルが、ワード線によって選択されたメモリセルの一部分を選択することによって読み出される。例文帳に追加
To read a single line of memory cells having a charge-trapping structure by selecting part of the memory cells selected by a word line. - 特許庁
よって、本発明のフラッシュメモリデータ記憶装置によれば、フラッシュメモリとバッファメモリ間の伝送速度が改善され、フラッシュメモリと外部システム間のデータ伝送速度が著しく改善される。例文帳に追加
Thus, the flash memory data storage apparatus of the present invention improves the data transfer rate between the flash memory and a buffer memory, resulting in remarkable advancement of the data transfer rate between the flash memory and the external system. - 特許庁
半導体メモリ装置におけるリフレッシュ制御および内部電圧の生成例文帳に追加
REFRESH CONTROL OVER SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND GENERATION OF INTERNAL VOLTAGE - 特許庁
そして、リセットドレイン（２６）は、第１メモリ部（２３）に信号電荷が蓄積されているときに、第２メモリ部（２４）の電荷をリセットする。例文帳に追加
The reset drain (26) resets the charge of the second memory section (24) when the signal charge is stored in the first memory section (23). - 特許庁
極圧条件で摺動面においてモリブデンアミン錯体が反応し、摺動面に酸化モリブデンを生成し、摩耗抑制作用が発揮される。例文帳に追加
Under an extreme-pressure condition, the molybdenum amine complex reacts in sliding surfaces, and molybdenum oxide is produced on the sliding surfaces, and a wear suppressing effect is displayed. - 特許庁
電子機器では、フラッシュメモリなどの不揮発性半導体メモリを電子機器の記憶部として実用可能にすることが求められている。例文帳に追加
To utilize a nonvolatile semiconductor memory such as a flash memory as a storage unit of an electronic apparatus. - 特許庁
ヒドロキシエチル置換マンニッヒ塩基から導かれる油溶性モリブデン誘導体例文帳に追加
OIL-SOLUBLE MOLYBDENUM DERIVATIVE DERIVED FROM HYDRPOXYETHYL-SUBSTITUTED MANNICH BASE - 特許庁
例文
なお「ぶぶ漬け」に関するエピソードを扱った小説には北森鴻『ぶぶ漬け伝説の謎』（同名の短編集に収められている）が存在する。例文帳に追加
An episode concerning 'bubu zuke' is cited in a novel "Mystery of bubu-zuke legend" by Ko KITAMORI (contained in a collection of short stories of the same title).発音を聞く - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
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