りぼそーむあーるえぬえー - Weblio 英和・和英辞典 (original) (raw)
例文
リボソームＲＮＡ塩基配列に相補的な１本鎖ＤＮＡオリゴマーを用いたたんぱく質翻訳調節因子及びリボソームＲＮＡ塩基配列に相補的な１本鎖ＤＮＡオリゴマーを用いたイニシエーションファクター並びにリボソームＲＮＡ塩基配列に相補的な１本鎖ＤＮＡオリゴマーを用いたたんぱく質翻訳調節方法例文帳に追加
PROTEIN TRANSLATION CONTROLLING FACTOR OBTAINED BY USING SINGLE-STRANDED DNA OLIGOMER COMPLEMENTARY TO RIBOSOME RNA BASE SEQUENCE, INITIATION FACTOR OBTAINED BY USING THE SINGLE-STRANDED DNA OLIGOMER COMPLEMENTARY TO THE RIBOSOME RNA BASE SEQUENCE, AND PROTEIN TRANSLATION CONTROLLING METHOD USING THE SINGLE-STRANDED DNA OLIGOMER COMPLEMENTARY TO THE RIBOSOME RNA BASE SEQUENCE - 特許庁
本発明は、下記一般式（Ｉ）ＣＦ_３（ＣＦ_２）_ｎＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＲｆＣＯＯＭ （Ｉ）（式中、Ｒｆは部分又は全部フッ素置換された炭素数２のアルキレン基、ｎは０又は１、Ｍは１価のアルカリ金属、ＮＨ_４又はＨを表す。）で表されることを特徴とするフルオロエーテルカルボン酸である。例文帳に追加
The new compound is a fluoroether carboxylic acid represented by formula (I): CF_3(CF_2)_nOCH_2CF_2CF_2ORfCOOM (wherein Rf is a partially or completely fluorine-substituted 2C alkylene group; n is 0 or 1; and M is a monovalent alkali metal, NH_4 or H). - 特許庁
ＣＺ法により窒素をドープし或はドープなしで育成されたシリコン単結晶棒からスライスして得られたシリコンウエーハであって、該シリコンウエーハの全面が、ＮＶ領域、ＯＳＦリング領域を含むＮＶ領域、ＯＳＦリング領域のいずれかであり、かつ格子間酸素濃度が１４ｐｐｍａ以下であるシリコンウエーハおよびその製造方法並びにシリコンウエーハの欠陥領域を評価する方法。例文帳に追加
In the method for evaluating the defect area of the silicon wafer, at least two oxygen deposit densities measured by some specific stages are compared. - 特許庁
ＣＺ法により窒素をドープし或はドープなしで育成されたシリコン単結晶棒からスライスして得られたシリコンウエーハであって、該シリコンウエーハの全面が、ＮＶ領域、ＯＳＦリング領域を含むＮＶ領域、ＯＳＦリング領域のいずれかであり、かつ格子間酸素濃度が１４ｐｐｍａ以下であるシリコンウエーハおよびその製造方法並びにシリコンウエーハの欠陥領域を評価する方法。例文帳に追加
The method of producing such silicon wafer and the method of evaluating defect area of the silicon wafer are also provided. - 特許庁
本発明の二軸配向積層ポリエステルフィルムは、Ａ／Ｂ／Ｃの少なくとも３層積層構成からなる二軸配向ポリエステルフィルムであって、少なくともＡ層が、ポリエステルとポリエーテルイミドからなり、Ａ層の表面粗さＲａが０．２〜１０ｎｍ、かつ、該Ａ層と反対側の層の表面粗さＲａが１〜３０ｎｍであることを特徴とするものである。例文帳に追加
The biaxially oriented laminated polyester film comprises at least three-layered laminated constitution of A/B/C and at least the A-layer consists of polyester and polyetherimide and the surface roughness Ra of the A-layer is 0.2-10 nm and the surface roughness Ra of the layer on the side opposite to the A-layer is 1-30 nm. - 特許庁
ＣＺ法によって育成されたシリコン単結晶ウエーハであって、窒素がドープされ、全面Ｎ−領域からなり、かつ格子間酸素濃度が８ｐｐｍａ以下、或は窒素がドープされ、全面から少なくともボイド型欠陥と転位クラスターが排除されており、かつ格子間酸素濃度が８ｐｐｍａ以下であるシリコン単結晶ウエーハおよびその製造方法。例文帳に追加
This silicon single crystal wafer grown by the CZ method is doped with nitrogen and composed of the N-region in the whole region and has ≤8 ppma interstitial oxygen concentration or at least the void-type defects and the dislocation clusters are eliminated from the whole region in the silicon single crystal wafer doped with nitrogen and having ≤8 ppma interstitial oxygen concentration. - 特許庁
例文
ポリカルボン酸系共重合体と有機系硬化促進剤とを必須とするセメント混和剤であって、該ポリカルボン酸系共重合体は、下記一般式（１）：ＹＯ（Ｒ^１Ｏ）_ｎＲ^２ （１）で表される不飽和ポリアルキレングリコールエーテル系単量体（ａ）由来の構成単位（Ａ）と、不飽和カルボン酸系単量体（ｂ）由来の構成単位（Ｂ）とを含むセメント混和剤。例文帳に追加
The cement admixture essentially comprises a polycarboxylic acid-based copolymer and an organic curing accelerator, wherein the polycarboxylic acid-based copolymer comprises a structural unit (A) originated from an unsaturated polyalkylene glycol ether-based monomer (a) represented by formula (1): YO(R^1O)_nR^2, and a structural unit (B) originated from an unsaturated carboxylic acid-based monomer (b). - 特許庁