ドープ効果 - Weblio 英和・和英辞典 (original) (raw)
例文
スルーザーミキサー１６０は分割効果に優れるため、添加剤はドープ用配管１５２内にまんべんなく拡散される。例文帳に追加
Since the through-the-mixer 160 is superior in a dividing effect, the additive is evenly dispersed in a piping 152 for the dope. - 特許庁
スタティックミキサー１７０は転換効果に優れるため、添加剤は原料ドープに練り込まれるようにして、より細かく攪拌される。例文帳に追加
Since the static mixer 170 is excellent in a conversion effect, the additive is kneaded into the material dope and more finely stirred. - 特許庁
高移動度伝導チャネルを含み、それと同時にカウンタ・ドープを維持して有害な短チャネル効果を抑制する高移動度の半導体層およびＭＯＤＦＥＴ（変調ドープ電界効果トランジスタ）の構造およびその形成方法を提供すること。例文帳に追加
To provide a high-mobility semiconductor layer and a structure of a MODFET (modulation-doped field-effect transistor) which include a high-mobility conduction channel and simultaneously maintain a counter dope to reduce a harmful short channel effect. - 特許庁
半導体層としてはミリ波帯からテラヘルツ帯において金属的効果を示すキャリアドープされた半導体やアンドープの半導体を用いることが可能である。例文帳に追加
For the semiconductor layer, the carrier doped semiconductor representing the metallic effect, or undoped semiconductor can be used in the region from the millimeter-wave band to the tera-hertz wave band. - 特許庁
電界効果トランジスタ２０では、サファイア基板１上に、バッファ層２と、チャネル層（アンドープＧａＮ層）３と、電子供給層（アンドープＡｌＧａＮ層）４とを順に積層している。例文帳に追加
In an FET-transistor 20, a buffer layer 2, a channel layer (undoped GaN layer) 3, and an electron supplying layer (undoped AlGaN layer) 4 are laminated on a sapphire substrate 1 in this order. - 特許庁
電極の正極にドナーをドープするか、負極にアクセプタをドープするか、又はその両方として、ドーピングの効果により印加可能電圧の範囲を拡大させる。例文帳に追加
Donor is doped to the positive pole of an electrode, an acceptor is doped to a negative pole of the electrode, or the donor and acceptor are respectively doped to the positive and negative poles of the electrode so that the limit of an applicable voltage can be enlarged by the effects of doping. - 特許庁
また製造方法として、効果的にドープを行うことでドープする物質を多量に含むことで光分解機能にすぐれた光半導体を得ること。例文帳に追加
As a result, the manufactured optical semiconductor exhibits the excellent photodegradable function by irradiating with the visible light-containing light of natural light or that emitted from the artificial light source. - 特許庁
例文
電界効果トランジスタは、半絶縁性ＧａＡｓ基板１と、不純物層１２０と、アンドープＧａＡｓバッファ層２と、アンドープＡｌＧａＡｓバッファ層３と、アンドープＧａＡｓバッファ層４と、ｎ型ＧａＡｓチャネル層５と、ゲート電極１５と、ソース電極１９と、ドレイン電極１８とを備えている。例文帳に追加
This field-effect transistor has a semi-insulating GaAs substrate 1, impurities layer 120, undoped GaAs buffer layer 2, undoped AlGaAs buffer layer 3, undoped GaAs buffer layer 4, n-type GaAs channel layer 5, gate electrode 15, source electrode 19, and drain electrode 18. - 特許庁