ヒ素系の - Weblio 英和・和英辞典 (original) (raw)
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ヒ素系のの英語
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英訳・英語 arsenic-related
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ヒ素系の
品詞 形容詞
「ヒ素系の」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 13件
例文
有機ヒ素含有水中の有機ヒ素を、酸化セリウム系吸着剤で吸着して、前記有機ヒ素含有水を処理することを特徴とする。例文帳に追加
The organic arsenic in the organic arsenic-containing water is adsorbed by a cerium oxide-based adsorbent to treat the organic arsenic-containing water. - 特許庁
分解生成物である無機ヒ素化合物を鉄系薬剤により不溶化することが好ましい。例文帳に追加
It is preferable to insolubilize the inorganic arsenic compound as a decomposition product with an iron chemical. - 特許庁
本発明の有機ヒ素含有汚染物の処理方法は、有機ヒ素化合物を含有する汚染物に、該汚染物中の有機ヒ素化合物含有量に応じたプラスチック系産業廃棄物を加えて混合物とし、その後に、該混合物を８００〜１１００℃の温度で加熱することを特徴とする。例文帳に追加
The method for treating the organic arsenic-containing contaminant includes the steps of: adding the plastic-based industrial waste of the amount which is determined according to the content of organic arsenic compounds in the contaminant, to the organic arsenic-containing contaminant; and heating the obtained mixture at 800-1,100°C. - 特許庁
鉄ヒ素 系超伝導体における固有ジョセフソン接合効果の発現を可能とする固有ジョセフソン接合素子を提供する。例文帳に追加
To provide a specific Josephson junction element which can achieve specific Josephson junction effect in an iron arsenic superconductor. - 特許庁
汚染物中ヒ素化合物の固定化処理方法は、ヒ素化合物を含む汚染物に、鉄系薬剤を添加するとともに、アルカリ剤、および水を添加し、汚染物のｐＨ調整を行うことで、汚染物中のヒ素化合物を固定化する処理方法であって、汚染物のｐＨ調整を９以上とし、その後、汚染物を空気環境中で２４時間以上養生する。例文帳に追加
The method for fixing the arsenic compounds in the contaminants by adjusting pH of the contaminants through adding an iron-based chemical agent, an alkaline agent and water to the contaminants containing the arsenic compounds adjusts the pH of the contaminant to 9 or more and then cures the contaminants for 24 hr or longer under the air environments. - 特許庁
石炭系重質油、石油系重質油およびこのような重質油から軽質成分を除去することにより得られるピッチから、ヒ素成分を効果的に除去する方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method of removing arsenic components from a pitch obtained by removing a more volatile component form Carboniferous heavy oil, petroleum heavy oil or such heavy oils. - 特許庁
例文
石炭系重質油、石油系重質油またはピッチに含まれるヒ素成分を除去し、精製する精製ピッチの製造方法において、重質油またはピッチに１−チオグリセロールを添加して重質油またはピッチ中のヒ素成分を１−チオグリセロールと反応させ、形成された化合物を除去することを特徴とする精製ピッチの製造方法。例文帳に追加
This method of manufacturing the refined pitch by removing the arsenic component included in the carboniferous heavy oil, petroleum heavy oil or the pitch, adds 1-thioglycelol to the heavy oil or the pitch to react the arsenic component and the 1-thioglycelol and removes the product compound. - 特許庁
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「ヒ素系の」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 13件
例文
ヒ素・リン・シリカの高感度吸光検出が、イソポリ酸存在下のトリアリールメタン系色素とハロゲン間化合物の錯体をヘテロポリ酸のプローブとすることで達成できる。例文帳に追加
In the high-sensitivity absorptiometric detection of arsenic, phosphorus and silica, a complex of triarylmethane coloring matter and an interhalogen compound is used as a probe of heteropoly-acid in the presence of isopoly acid. - 特許庁
当該鉄系超伝導体は、カルシウムと鉄と白金とヒ素のモル比を、１：(１−ｘ)(２−δ)：ｘ(２−δ)：２として原料の混合を行う工程と、混合した原料を焼成する工程とにより製造できる。例文帳に追加
The iron-based superconductor is produced by a process for mixing raw materials being calcium, iron, and arsenic in a molar ratio of 1:(1-x)(2-δ):x(2-δ):2 and a process for sintering mixed raw materials. - 特許庁
鉄ヒ素 系超電導材料において、従来はフッ素置換型や酸素欠損型により超伝導転移温度Ｔｃを向上させていたが、Ｔｃがより高い５０Ｋを超えるような超電導材料及び超電導薄膜を提供することが望まれている。例文帳に追加
To provide a superconductive material and a superconductive thin film having a higher superconducting transition temperature Tc which exceeds 50 K in an iron-arsenide-based superconductive material, although Tc was hitherto raised by forming a fluorine-substituted type and an oxygen defective type. - 特許庁
基板と、前記基板上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられたクラッド層と、前記基板上であってかつ前記発光層またはクラッド層の両側面に接して設けられた埋め込み層とを有し、前記埋め込み層がリン原子またはヒ素原子を２０％以下の原子分率で含むＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体レーザ素子とする。例文帳に追加
The group III-V nitride semiconductor laser element comprises a substrate, a light emitting layer provided on the substrate, a clad layer provided on the light emitting layer, and a buried layer provided on the substrate in contact with the opposite side faces of the light emitting layer or the clad layer wherein the buried layer contains phosphorus atoms or arsenic atoms by an atomic fraction of ≤20%. - 特許庁
第１の主面にリッジが形成されたガリウムヒ素 系または窒化ガリウム系の半導体基体と、前記リッジの側面及び前記リッジの周囲の前記第１の主面を覆うように設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜の上に積層された窒化アルミニウム膜と、前記リッジの上面と前記窒化アルミニウム膜の上に設けられた第１の金属電極と、を備えたことを特徴とする半導体レーザ素子を提供する。例文帳に追加
The semiconductor laser element is provided with a gallium-arsenide-based or gallium-nitride-based semiconductor substrate having a ridge formed on a first principal plane, an insulation film provided to cover side faces of the ridge and the first principal plane around the ridge, an aluminum nitride film laminated on the insulation film, and a first metal electrode provided on the upper surface of the ridge and on the aluminum nitride film. - 特許庁
例文
基板と、前記基板上に設けられた基板反り抑制層と、前記基板反り抑制層上に設けられた上部窒化物半導体層とを少なくとも有するＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体素子であって、前記基板反り抑制層は、リン原子またはヒ素原子が２０％以下の原子分率で含まれている窒化物半導体層であり、かつその層厚が２５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であるＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体素子とする。例文帳に追加
In the group III-V nitride semiconductor element comprising a substrate, a warp suppression layer provided on the substrate and a nitride semiconductor layer provided on the warp suppression layer, the warp suppression layer is a nitride semiconductor layer containing phosphorus atoms or arsenic atoms by an atomic fraction of ≤20% and having a thickness of 25-100 nm. - 特許庁
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