突抜け - Weblio 英和・和英辞典 (original) (raw)
例文
これにより、アークシールド１２の少なくとも一部がデッキプレート１３の溶融により下方へ**突抜けて溶融金属の飛散を防止する。例文帳に追加
As a result, at least a portion of the arc shield 12 is punched through downward by melting of the deck plate 13 and the splashing of the molten metal is prevented. - 特許庁
簡便に画素に発生する**突抜け電圧を低減することができ、フリッカの発生を抑制することができる液晶表示装置を提供する。例文帳に追加
To provide a liquid crystal display device that reduces punch-through voltage generated at a pixel simply and suppresses generation of flickers. - 特許庁
ＰＭＯＳ型素子のボロン**突抜けおよびＮＭＯＳ型素子の短チャネル効果を抑制することができる、デュアルゲートＣＭＯＳ型半導体装置を提供する。例文帳に追加
To provide a dual gate CMOS semiconductor device, wherein the boron punch-through of a PMOS element and a short channel effect of an NMOS element are suppressed. - 特許庁
静電保護素子においてはコンタクト直下に不純物濃度が低く接合が深い不純物拡散領域を備え、ＭＯＳトランジスタにおいては形成面積を増大させずに静電気によるコンタクト**突抜けを防止する。例文帳に追加
To include an impurity diffusion region having a low impurity concentration and a deep junction depth immediately below a contact in an ESD protection element, and to prevent contact penetration in an MOS transistor due to static electricity without increasing a formation area in an MOS transistor. - 特許庁
エッチング時の自然酸化膜の部分的残存によるエッチング残渣の発生や部分的な過大エッチングによる下地層 (例、ゲート酸化膜２) の**突抜けを防いで、平坦なエッチングを達成する。例文帳に追加
To perform flat etching by preventing passing of a substrate layer (e.g. a gate oxide film 2) by generating an etching residue due to partial residue of a nature oxide film when etched or partially excess etching. - 特許庁
ウエハ上における非導通コンタクト孔２や**突抜け欠陥位置と大きさ及び欠陥層の厚さが明確なサンプルを作成し、これを評価することによって、検査装置の検査条件を適正化する。例文帳に追加
Inspection conditions of an inspection apparatus are made proper by creating a sample where a nonconductive contact hole 2 on a wafer through defect position and size thereof, and the thickness of a defect layer are clear, and by evaluating the sample. - 特許庁
例文
ＰＭＯＳのゲート電極７にｐ型ポリシリコン膜５が含まれ、かつ窒化シリコン膜１３と共存する場合に、該ｐ型ポリシリコン膜５からのホウ素の拡散やゲート酸化膜４の**突抜けを防止し、ＰＭＯＳ特性を安定化させる。例文帳に追加
To prevent diffusion of boron frame a p-type polysilicon film and penetration through a gate oxide film and to stabilize the characteristics of a P-channel MOS transistor, when polysilicon film is contained in the gate electrode of the P-channel MOS transistor and the polysilicon film coexists with a silicon nitride film. - 特許庁