InGaAs - Weblio 英和・和英辞典 (original) (raw)
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意味・対訳 ひ化ガリウムインジウム
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InGaAs
Indium Gallium Arsenide (インジウムガリウムヒ化物)
「InGaAs」を含む例文一覧
該当件数 : 213件
例文
The well layer comprises mainly a crystal of InGaAs.例文帳に追加
井戸層は、InGaAsを主体とした結晶から構成されている。 - 特許庁
Thus, the SiC can be grown without decomposing or evaporating the InGaAs on the InGaAs of a mixed crystal in the nitrogen atmosphere.例文帳に追加
よって、窒素雰囲気下ではその混晶であるInGaAs上にInGaAsを分解・蒸発させることなくSiCを成長させることが可能となる。 - 特許庁
InGaAs IMAGE INTENSIFIER CAMERA例文帳に追加
ＩｎＧａＡｓイメージ増強カメラ - 特許庁
The InGaAs photocathode image intensification tube is synchronized with a laser source.例文帳に追加
InGaAs光電陰極イメージ増強管はレーザーソースと同期する。 - 特許庁
A first InGaAs well layer 404 is grown on the first barrier layer.例文帳に追加
該第１の障壁層上には、第１のInGaAs井戸層４０４が成長させられる。 - 特許庁
A pseudo InGaAs substrate is formed by forming an InGaAs buffer layer 121 and InGaAs 122 subjected to lattice relaxation on a GaAs substrate 102.例文帳に追加
ＧａＡｓ基板１０２上に、ＩｎＧａＡｓバッファ層１２１と、格子緩和したＩｎＧａＡｓ１２２を形成して擬似的なＩｎＧａＡｓ基板する。 - 特許庁
例文
The InGaAs image intensifier tube is optically coupled to an imaging device for passing output light.例文帳に追加
InGaAsイメージ増強管は出力光を伝送するためのイメージ素子へ光学的に接続されている。 - 特許庁
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InGaAs
ひ化ガリウムインジウム
「InGaAs」を含む例文一覧
該当件数 : 213件
例文
A second InGaAs well layer 404 is grown over the InAs islands to embed the quantum dots.例文帳に追加
前記量子ドットを埋め込むために、前記InAs島上に第２のInGaAs井戸層４０４が成長させられる。 - 特許庁
An InGaAs Image Intensifier (I2) camera (C) detects and forms an image to be viewed.例文帳に追加
InGaAsイメージ増強(I2)カメラ(C)は観測すべきイメージを検出しかつ形成する。 - 特許庁
An InGaAs photocathode Image Intensifier is used to pass an amplified signal from a screen.例文帳に追加
InGaAs光電陰極イメージ増強管はスクリーンからの増幅信号を送信するために使用される。 - 特許庁
The step bunching of the InGaP lower clad layer is formed, and variation arises in the layer thickness of the InGaAs active layer.例文帳に追加
InGaP下部クラッド層のステップバンチングが形成され、InGaAs活性層の層厚にばらつきが生じる。 - 特許庁
EPITAXIAL WAFER CONTAINING InGaAs LAYER例文帳に追加
ＩｎＧａＡｓ層を含むエピタキシャルウエハ - 特許庁
An InGaAs quantum wire 13 having a relatively narrow energy band gap as a high mobility channel is formed at the bottom of the trench.例文帳に追加
トレンチ底面に、高移動度チャネルとして、相対的に狭いエネルギバンドギャップを有するInGaAs量子細線13を形成する。 - 特許庁
A sufficient monolayer thickness of InAs is grown on the InGaAs, to form self-assembled islands.例文帳に追加
InAsの十分なモノレイヤ等価厚みが前記InGaAs上に成長させられることによって、自己組織化島が形成される。 - 特許庁
例文
The output light from the InGaAs tube is transformed by an electronic circuit producing a desired signal output.例文帳に追加
InGaAsイメージ増強管からの出力光は所望の信号出力を生成する電子回路により変換される。 - 特許庁
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