MOS channel - Weblio 英和・和英辞典 (original) (raw)
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MOS channel
「MOS channel」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 869件
例文
The MOS transistor 2 is a p-channel type MOS transistor.例文帳に追加
MOSトランジスタ２はｐチャネル型MOSトランジスタである。 - 特許庁
Further, the source of an N-channel MOS transistor M5 is connected to the gate of a P-channel MOS transistor M7 in the push-pull circuit 15, and the P-channel MOS transistor M7 is driven by an output from the source of the N-channel MOS transistor M5.例文帳に追加
また、NチャネルMOSトランジスタM5のソースは、プッシュプル回路１５のPチャネルMOSトランジスタM7のゲートと接続され、NチャネルMOSトランジスタM5のソース出力によって、PチャネルMOSトランジスタM7が駆動される。 - 特許庁
The P-channel MOS transistor M4 is connected to the N-channel MOS transistor M5 in series via a current source Q11.例文帳に追加
PチャネルMOSトランジスタM4とNチャネルMOSトランジスタM5は、電流源Q11を介して直列に接続されている。 - 特許庁
In an output buffer circuit 31, the source of a P-channel MOS transistor M4 is connected to the gate of an N-channel MOS transistor M6 in a push-pull circuit 15, and the N-channel MOS transistor M6 is driven by an output from the source of the P-channel MOS transistor M4.例文帳に追加
出力バッファ回路３１において、PチャネルMOSトランジスタM4のソースは、プッシュプル回路１５のNチャネルMOSトランジスタM6のゲートと接続され、PチャネルMOSトランジスタM4のソース出力によって、NチャネルMOSトランジスタM6が駆動される。 - 特許庁
The pre-charge drive circuits 51-5q are formed in a cross region, and constituted of (n) channel MOS transistors NM1 and (n) channel MOS transistors NM2.例文帳に追加
プリチャージドライブ回路51〜5qは、クロス領域に形成され、nチャネル型のMOSトランジスタNM1と、nチャネル型のMOSトランジスタNM2とで構成されている。 - 特許庁
P-CHANNEL MOS TRANSISTOR, N-CHANNEL MOS TRANSISTOR, AND NONVOLATILE SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE例文帳に追加
ＰチャネルＭＯＳトランジスタ、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ及び不揮発性半導体記憶装置 - 特許庁
例文
The gate insulation film of the P- channel MOS TRs P1, P2 and of the N-channel MOS TRs N3, N4 is thicker than that of the N-channel MOS TRs N1S-N4S.例文帳に追加
ＰＭＯＳトランジスタＰ１、Ｐ２及びＮＭＯＳトランジスタＮ３及びＮ４のゲート絶縁膜はＮＭＯＳトランジスタＮ１Ｓ〜Ｎ４Ｓのそれらよりも厚い。 - 特許庁
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「MOS channel」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 869件
例文
p-CHANNEL MOS TRANSISTOR AND ITS FABRICATION PROCESS例文帳に追加
ｐチャネルＭＯＳトランジスタおよびその製造方法 - 特許庁
ESTIMATING METHOD OF EFFECTIVE CHANNEL LENGTH OF MOS TRANSISTOR例文帳に追加
ＭＯＳトランジスタ実効チャネル長の評価方法 - 特許庁
To nearly equally perform overetching to a p-type MOS region and an n-type MOS region when gate electrodes are formed in a semiconductor device having a p-type MOS (p-channel MOS transistor) and an n-type MOS (n-channel MOS transistor).例文帳に追加
ｐＭＯＳ（ｐチャネルＭＯＳトランジスタ）とｎＭＯＳ（ｎチャネルＭＯＳトランジスタ）とを有する半導体装置で、ゲート電極形成時に、ｐＭＯＳ領域とｎＭＯＳ領域にほぼ同等のオーバーエッチングを施す。 - 特許庁
A pixel switching element consists of a n-channel MOS transistor(TR) 6 formed with a pair and a p-channel MOS transistor(TR) 7.例文帳に追加
画素スイッチング素子が対をなすｎチャネルＭＯＳトランジスタ６及びｐチャネルＭＯＳトランジスタ７からなる。 - 特許庁
Substrates of P-channel MOS transistors PT1-PT3 are connected to the gate of the P-channel MOS transistor PT1.例文帳に追加
ＰチャネルＭＯＳトランジスタＰＴ１−ＰＴ３の基板は、ＰチャネルＭＯＳトランジスタＰＴ１のゲートに接続される。 - 特許庁
To keep a size balance between a p-channel MOS transistor and an n-channel MOS transistor in a CMOS device.例文帳に追加
ＣＭＯＳ装置において、ｐチャネルＭＯＳトランジスタとｎチャネルＭＯＳトランジスタの大きさを平衡させる。 - 特許庁
To enhance operating speed of a p-channel MOS transistor.例文帳に追加
ｐチャネルＭＯＳトランジスタの動作速度を向上させる。 - 特許庁
例文
METHOD OF MANUFACTURING MULTI-BRIDGE-CHANNEL TYPE MOS TRANSISTOR例文帳に追加
マルチ−ブリッジチャンネル型ＭＯＳトランジスタの製造方法 - 特許庁
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