Plugs of metal - Weblio 英和・和英辞典 (original) (raw)
例文
The semiconductor device includes a semiconductor substrate 1; an insulating layer 19 on the semiconductor substrate 1; a plurality of contact plugs 16 and 66 in the insulating layer 19; an insulating layer 30; and a capacitor 82, a plurality of contact plugs 25 and 75, barrier metal layers 27 and 87, and copper interconnect lines 29 and 88 provided in the insulating layer 30.例文帳に追加
半導体基板１と、半導体基板１上の絶縁層１９と、絶縁層１９内の複数のコンタクトプラグ１６，６６と、絶縁層３０と、絶縁層３０内に設けられた、キャパシタ８２、複数のコンタクトプラグ２５，７５、バリアメタル層２７，８７及び銅配線２９，８８とを備えている。 - 特許庁
Further, related on the range, in which the molten metal does not solidify (the upper range from the molten metal surface 3), the inner tip plugs the space in the injection sleeve to prevent the flowing in the above range of the molten metal.例文帳に追加
また、溶湯が凝固していなかった範囲（液面３よりも上方の範囲）に関しては、インナチップ９が射出スリーブ内の空間をふさぎ、係る範囲に、新たに溶湯が回り込むことを防ぐ。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device which decreases a plug loss by shortening the overetching time when etching back metal such as tungsten to form metal plugs.例文帳に追加
Ｗ等のメタル材料をエッチバックしてメタルプラグを形成する際、オーバーエッチング時間を短くしてプラグロスを小さくした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
When the plug is applied for connecting a cell transistor with a capacitor in a DRAM hybrid LSI, this metal layer is formed with a common metal material used for plugs of a logic transistor.例文帳に追加
さらに、このプラグをＤＲＡＭ混載ＬＳＩのセルトランジスタとキャパシタを結ぶプラグに応用した場合、この金属層をロジックトランジスタのプラグを形成する金属材料と共通化する構成とする。 - 特許庁
In an optical transmission tube 10 wherein a tubular cladding 1 is filled with a core material 2 and sealed by inserting plugs 3 into both ends of the cladding 1, and also metal sleeves 4 for fixing the plugs 3 are put on both ends of the cladding 1, the cladding 1 is enclosed in a flexible tube 5 and both ends of this flexible tube are connected with the metal sleeves 4 to be water-proof.例文帳に追加
管状のクラッド１内にコア材２を充填し、クラッド１の両端開口部に封止栓３を挿入して封止すると共に、この封止栓３を固定するための金属スリーブ４をクラッド１の両端に外嵌してなる光伝送チューブ１０において、クラッド１を可撓管５で囲み、この可撓管５の両端を金属スリーブ４に対し水密的に連結する。 - 特許庁
A large number of interlayer insulating films, via holes formed in a predetermined area of the interlayer insulating films, and first, second, third and fourth metal plugs formed in the via holes are provided in an upper part of the electronic circuit.例文帳に追加
電子回路の上部には多層の層間絶縁膜と、これら層間絶縁膜の所定領域に形成されたビアホールと、ビアホールに形成された第１金属プラグ、第２金属プラグ、第３金属プラグ、第４金属プラグを備える。 - 特許庁
A sealing ring 15 includes tungsten plugs 9 and 12 and metal electrodes 6 and 13, and at the time of forming a second opening 11, forms a spacer in a first recess.例文帳に追加
シールリング１５は、タングステンプラグ９、１２とメタル電極６、１３で構成し、第２の開口部１１を形成する際に第１の凹み部３２に、スペーサを形成する。 - 特許庁
例文
On the bottom face of the metal cell body 13, in order to take out an electromotive force generated inside the cell body outside, current terminals 18, 18 are installed at a taking-out port, and this taking-out port is sealed by using sealing plugs 19, 19.例文帳に追加
金属セル本体１３の底面には、セル本体内部で発生した起電力を外部に取り出すために、取り出し口に電流端子１８，１８を設け、この取り出し口を封止栓１９、１９を用いて封止する。 - 特許庁