epitaxial structures - Weblio 英和・和英辞典 (original) (raw)
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epitaxial structures
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「epitaxial structures」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 12件
例文
EPITAXIAL GROWTH OF COMPOUND NITRIDE SEMICONDUCTOR STRUCTURES例文帳に追加
窒化化合物半導体構造のエピタキシャル成長 - 特許庁
To prevent abnormal growth that occurs during second epitaxial growth by removing failure when substrate cleaning before the second epitaxial growth, during a manufacturing process of a compound dual wavelength laser product including two laser structures within a single chip.例文帳に追加
１チップ内に二つのレーザ構造を有する化合物二波長レーザ製品の製造過程における二回目のエピタキシャル成長前の基板洗浄における不具合を除去し、二回目のエピタキシャル成長時に発生する異常成長を防止する。 - 特許庁
To provide a CMOS structure and a method of achieving self-aligned raised source/drain for CMOS structures on SOI without relying on selective epitaxial growth of silicon.例文帳に追加
シリコンの選択的エピタキシャル成長を利用せずに、ＳＯＩ上にＣＭＯＳ構造用の自己整合型隆起ソース／ドレインを実現させる、ＣＭＯＳ構造および方法を提供すること。 - 特許庁
Quantum thin lines of various sizes are formed on the single substrate by successively performing the processes of: vapor-depositing an oxide film on the semiconductor substrate; etching the oxide film so that areas where the oxide film is not formed have various sizes; and forming triangular epitaxial structures in the areas where no triangular epitaxial structure is present by using the selective epitaxial growing method.例文帳に追加
半導体基板上に酸化膜を蒸着する段階と、酸化膜のない領域が多様な大きさを有するように前記酸化膜をエッチングする段階と、選択的エピタキシャル成長法を利用して前記酸化膜のない領域に三角形のエピタキシャル構造を形成する段階と、を順次行うことで、単一基板に多様な大きさの量子細線を形成する。 - 特許庁
The epitaxial wafer for the field effect transistor comprises an InGaN low-temperature deposit layer 5 provided on the sapphire substrate 6, and GaN field effect transistor structures 1 to 3 provided on the layer 5 via a GaN buffer layer 4.例文帳に追加
サファイア基板６上にＩｎＧａＮ低温堆積層５を設け、そのＩｎＧａＮ低温堆積層５上に、ＧａＮバッファ層４を介して、ＧａＮ系電界効果トランジスタ構造１〜３を設ける。 - 特許庁
A light emitting device 100 comprises a three-dimensional polarization-graded (3DPG) structure 108 that improves lateral current spreading within the device without introducing additional dopant impurities in the epitaxial structures.例文帳に追加
エピタキシャル構造中に更なるドーパント不純物を導入することなく、デバイス内の横方向電流拡がりを改良する３次元分極傾斜（３ＤＰＧ）構造を備えた発光デバイスを提供する。 - 特許庁
例文
The nitride-semiconductor forming substrate has a substrate in which silicon layers having different porous structures are combined, and a silicon epitaxial film layer prepared on the substrate, on a silicon single crystal substrate.例文帳に追加
シリコン単結晶基体上に、異なる多孔質構造を有するシリコン層を組み合わせ設けたものを基板とし、更に、その上にシリコンエピタキシャル膜層を設けた窒化物半導体形成用基板。 - 特許庁
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「epitaxial structures」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 12件
例文
To provide a GaN single crystal substrate, a nitride semiconductor epitaxial substrate, a field emission type cathode device and a field emission display device of which the dot structures of the substrate are easily formed, and to provide a method for manufacturing them.例文帳に追加
基板のドット構造の形成が容易なＧａＮ単結晶基板、窒化物系半導体エピタキシャル基板、電界放出型陰極装置、フィールドエミッション表示装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
In this method for manufacturing a nitride semiconductor epitaxial wafer, an intermediate layer 2 obtained by implanting ions including hydrogen, nitrogen, oxygen, or etc., into the vicinity of the surface of a sapphire substrate 1 is formed as amorphous structures, thereby absorbing and relieving deformation to reduce cracks and warpage.例文帳に追加
サファイア基板１の表面近傍に水素や窒素、酸素等のイオンを打ち込むことにより得られる中間層２は、アモルファス的な構造となるため、歪みを吸収、緩和し、クラックや反り等が低減する。 - 特許庁
To provide a spin injection structure, capable of maintaining improved characteristics by removing disadvantage that passing polarized spins are disturbed by lattice mismatch and the polarized spins decrease since MgO is not subjected to epitaxial growth on Si, in conventional spin implantation structures.例文帳に追加
従来のスピン注入構造において、ＭｇＯはＳｉ上にエピタキシャル成長しないため、格子不整合によりそこを通過する偏極したスピンが乱されて、偏極スピンが減少するため、良好な特性を維持可能なスピン注入構造を提供する。 - 特許庁
In the manufacturing process of a compound dual wavelength laser including two laser structures, or red and infrared, within a single chip, a GaAs substrate 1 is cleaned, before a second epitaxial growth, in such cleaning liquid as containing sulphuric acid 97 wt%, hydrogen peroxide solution 30 wt%, and water at the ratio of 1:1:50-250, at 20-25°C for 20-50 seconds.例文帳に追加
１チップ内に赤色と赤外の二つのレーザ構造を有する化合物二波長レーザの製造工程において、二回目のエピタキシャル成長前のＧａＡｓ基板１に対する洗浄の際、洗浄液を硫酸９７ｗｔ％、過酸化水素水３０ｗｔ％、水、１：１：５０〜２５０の割合で、温度２０〜２５℃にて２０〜５０秒処理する。 - 特許庁
例文
The LED structure comprises: a substrate 200; emission epitaxial structures 204, 210, and 212; a first conductive contact layer 214; a second conductive contact layer 216; a transparent insulation layer 218; a first reflective layer 226; a second reflective layer 230; a first barrier layer 228; a second barrier layer 232; a first conductive electrode 234; and a second conductive electrode 236.例文帳に追加
ＬＥＤ構造は、基板２００と、発光エピタキシャル構造２０４，２１０，２１２と、第１の導電型接触層２１４と、第２の導電型接触層２１６と、透明絶縁層２１８と、第１の反射層２２６と、第２の反射層２３０と、第１の障壁層２２８と、第２の障壁層２３２と、第１の導電型電極２３４と、第２の導電型電極２３６とを備える。 - 特許庁
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