hot carriers - Weblio 英和・和英辞典 (original) (raw)
例文
To suppress a reduction in output of a semiconductor device caused by penetration of hot carriers into a passivation film.例文帳に追加
表面保護膜中へのホットキャリアの侵入に起因する半導体装置の出力低下を抑制すること。 - 特許庁
To provide a semiconductor device or the like for reducing an influence of the injection of hot carriers to a charge storage layer in a peripheral circuit region.例文帳に追加
周辺回路領域の電荷蓄積層へのホットキャリア注入の影響を少なくする半導体装置等を提供する。 - 特許庁
To enhance generation efficiency of hot carriers, in a charge injection method which is carried out by providing different voltages to a source region and a drain region.例文帳に追加
ソース領域とドレイン領域に異なる電圧を付与して行う電荷注入方法においてホットキャリアの発生効率を高める。 - 特許庁
By taking the countermeasure against hot carriers in the current control FET 202, a highly reliable electronic device can be obtained.例文帳に追加
電流制御用ＦＥＴ２０２にホットキャリア対策を施すことで信頼性の高い電子装置が得られる。 - 特許庁
Since nitrogen is introduced into the offset side walls 9a, the deterioration of the electric characteristic of the semiconductor device which is caused by hot carriers is suppressed.例文帳に追加
オフセットサイドウォール９ａに窒素が導入されているので、ホットキャリアによる電気的特性の劣化が抑えられている。 - 特許庁
This reduces the current generated by impact ionization, when a drain bias is applied and improves the hot carrier resistance, by suppressing the characteristic deterioration due to hot carriers, to be made to correspond to a plurality of kinds of power supply voltages.例文帳に追加
これにより、ドレインバイアスを印加した時のインパクトイオン化によって生じる電流を低減し、ホットキャリアに起因する特性劣化を抑えてホットキャリア耐性を向上させ、複数種の電源電圧に対応させる。 - 特許庁
In addition, a dangling bond of a gate oxide film 3 can be made to bond with the hydrogen atom, and thereby capture of hot carriers through the hot carrier injection can be prevented and initial characteristics of the transistor can be stabilized.例文帳に追加
又、ゲート酸化膜３のダングリングボンドを水素原子と結合させることができるので、ホットキャリア注入によるキャリアの捕獲を防止し、トランジスタの初期特性を安定化させることができる。 - 特許庁
例文
If the life time of the hot carrier of an MOS transistor are respectively represented by τ, its substrate current by Isub, its drain current by Id, and a fitting parameter by m, the life time of its hot carriers is estimated, based on the life time model with equation τ∝Isub-m.Idm-2.例文帳に追加
τを寿命、I_subを基板電流、I_dをドレイン電流、mをフィッティングパラメータとして、τ ∝ I_sub^-m・I_d^m-2 の特徴を持ったホットキャリア寿命モデルにより、ＭＯＳトランジスタのホットキャリア寿命を推定する。 - 特許庁