schottky-gate - Weblio 英和・和英辞典 (original) (raw)
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schottky-gate
ショットキーゲート
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「schottky-gate」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 145件
例文
SCHOTTKY GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加
ショットキーゲート電界効果型トランジスタ - 特許庁
SCHOTTKY GATE TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加
ショットキーゲート型電界効果トランジスタ - 特許庁
SCHOTTKY GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加
ショットキゲート電界効果トランジスタ - 特許庁
Also, a gate electrode 11 is formed on the Schottky layer 6.例文帳に追加
また、ショットキー層６上には、ゲート電極１１が形成されている。 - 特許庁
The gate portion 10 has an insulated gate electrode portion 10a and a Schottky electrode portion 10b.例文帳に追加
ゲート部１０は絶縁ゲート電極部１０ａとショットキー電極部１０ｂを有している。 - 特許庁
The V-shaped gate 30 is dug out as far as its tip, and the V-shaped gate 30 is made to serve as a point-contact Schottky gate.例文帳に追加
等方性エッチングでＶ字溝の先端まで掘り込み、ゲート３０を点接触ショットキーゲートにする。 - 特許庁
例文
To provide a method for manufacturing a semiconductor device that forms a Schottky gate electrode on a group III nitride semiconductor layer and is intended to reduce a gate leak current of the Schottky gate electrode.例文帳に追加
III族窒化物半導体層上にショットキゲート電極を形成するとともに，ショットキゲート電極のゲートリーク電流の低減が図られた半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁
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「schottky-gate」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 145件
例文
A gate electrode 8 which is a Schottky electrode consists of a TaNx layer 6 and an Au layer 7.例文帳に追加
ショットキー電極であるゲート電極８は、ＴａＮｘ層６とＡｕ層７とを有している。 - 特許庁
A current of this Schottky diode is not disturbed by a depletion layer based on the gate electrode 12.例文帳に追加
このショットキーダイオードの電流はゲート電極１２に基づく空乏層に妨害されない。 - 特許庁
A Schottky gate electrode 104 is formed on a third region R3.例文帳に追加
更に、第３領域Ｒ３上にはショットキーゲート電極１０４が形成されている。 - 特許庁
Thus, the formation of a gate electrode having a good Schottky junction is obtained.例文帳に追加
これらにより、良好なショットキー接合を有するゲート電極の形成が実現される。 - 特許庁
A gate electrode 107 is brought into Schottky-contact with the electron supply layer 104.例文帳に追加
ゲート電極１０７は電子供給層１０４に対してショットキー接触している。 - 特許庁
The gate electrode 203 is formed in a Schottky junction with the n-AlGaN layer 104.例文帳に追加
ゲート電極２０３は、ｎ−ＡｌＧａＮ層１０４とショットキー接合を形成している。 - 特許庁
A gate electrode 22 is in contact with a bottom surface 48 of the recess W2 of the Schottky layer 20.例文帳に追加
ゲート電極22は、上記ショットキー層20の上記リセスW2の底部表面48と接触する。 - 特許庁
例文
The gate electrode 3 forms a Schottky junction to the nitride semiconductor layer 7.例文帳に追加
ゲート電極３は、窒化物半導体層７に対するショットキ接合を形成している。 - 特許庁
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