stacking faults - Weblio 英和・和英辞典 (original) (raw)
例文
To obtain a silicon carbide single crystal excellent in device characteristics and having a slight electrical anisotropy due to stacking faults.例文帳に追加
デバイス特性に優れ、積層欠陥による電気的な異方性が少さい炭化珪素単結晶を提供する。 - 特許庁
To provide a method for producing a group III nitride semiconductor substrate, by which it is possible to produce a large size group III nitride semiconductor substrate having few stacking faults.例文帳に追加
積層欠陥が少なくて大型のIII族窒化物半導体基板を製造することができる方法を提供する。 - 特許庁
By filling up the groove 12 with a silicon oxide film 5, a fault stop region 10 which stops the growth of stacking faults is formed.例文帳に追加
この溝１２を酸化珪素膜５で埋め込むことによって、積層欠陥の成長を停止させる欠陥停止領域１０を形成する。 - 特許庁
To provide a method for suppressing the formation of flat surface defects, such as stacking faults and microtwins in a relaxed SiGe alloy layer.例文帳に追加
緩和ＳｉＧｅ合金層において、積層欠陥およびマイクロツイン等の平面欠陥の形成を抑えるための方法を提供すること。 - 特許庁
This silicon carbide single crystal 1 comprises an assembly 2 of screw dislocations, the stacking faults 3 and edge dislocations 4 and is obtained by dividing the assembly 2 of the screw dislocations into sections in the direction of the axis (extending the dislocation lines) of the screw dislocations with the stacking faults 3 or the edge dislocations 4.例文帳に追加
らせん転位の集合体２、積層欠陥３、及び刃状転位４が含まれ、らせん転位の集合体２が積層欠陥３若しくは刃状転位４によって、らせん転位の軸（転位線を伸長する）方向に分断された炭化珪素単結晶１とする。 - 特許庁
To provide a method for growing a silicon single crystal, which can grow a single crystal of a non-faulty region where there is no OSF (oxidation-induced stacking faults) and grown-in faults over the whole diameter direction region, in a high yield and stably.例文帳に追加
径方向全域にわたりＯＳＦ（酸化誘起積層欠陥）およびｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥のない無欠陥領域の単結晶を歩留り良く安定して育成することができるシリコン単結晶の育成方法を提供する。 - 特許庁
The stacking fault area is enlarged by current energization and the silicon carbide bipolar semiconductor device of the increased forward voltage is heated at a temperature of 350°C or more to recover stacking faults.例文帳に追加
電流通電により積層欠陥面積が拡大し、順方向電圧が増加した炭化珪素バイポーラ型半導体装置を３５０℃以上の温度で加熱し、積層欠陥回復させる。 - 特許庁
例文
In this method for growing a silicon single crystal by CZ method, the characteristic comprises doping the single crystal with nitrogen so that oxidation- induced stacking faults are generated on the whole surface of the wafer or so that the wafer surface comprises the oxidation-induced stacking faults, oxygen-depositing areas and, if necessary, further oxygen deposit-controlling areas, when a high temperature oxidation treatment is applied.例文帳に追加
(1) ＣＺ法によってシリコン単結晶を育成する方法において、高温酸化処理を施した場合に、ウェーハ全面に酸化誘起積層欠陥が発生するように、またはウェーハ表面が酸化誘起積層欠陥および酸素析出領域、若しくはこれらの領域に加え酸素析出抑制領域からなるように単結晶中に窒素をドープすることを特徴とするシリコン単結晶の育成方法である。 - 特許庁