stacking faults - Weblio 英和・和英辞典 (original) (raw)

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stacking faults

積層欠陥

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「stacking faults」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 27件

例文

To provide a silicon carbide film having high thermal conductivity and reduced stacking faults.例文帳に追加

高い熱伝導率を有し、積層欠陥が低下した炭化珪素膜を提供する。 - 特許庁

In this chapter, we will confine our considerations to stacking faults and dislocations.発音を聞く 例文帳に追加

この章では、われわれは自分達の考察を積層欠陥と転位に限定しよう。 - 科学技術論文動詞集

To produce a high quality epitaxial thin film of a single crystal zinc oxide free from stacking faults.例文帳に追加

積層欠陥のない高品質な単結晶ＺｎＯエピタキシャル薄膜を作成すること。 - 特許庁

To provide a silicon carbide film which has high thermal conductivity and reduced stacking faults.例文帳に追加

高い熱伝導率を有し、積層欠陥が低下した炭化珪素膜を提供すること。 - 特許庁

To obtain a silicon carbide single crystal excellent in device characteristics and having a slight electrical anisotropy due to stacking faults.例文帳に追加

デバイス特性に優れ、積層欠陥による電気的な異方性が少さい炭化珪素単結晶を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a group III nitride semiconductor substrate, by which it is possible to produce a large size group III nitride semiconductor substrate having few stacking faults.例文帳に追加

積層欠陥が少なくて大型のIII族窒化物半導体基板を製造することができる方法を提供する。 - 特許庁

例文

To provide a method of manufacturing epitaxial silicon wafers whereby the number of stacking faults of an epitaxial layer can sufficiently be decreased.例文帳に追加

エピタキシャル層の積層欠陥の数を十分に減少させることができるエピタキシャルシリコンウェハの製造方法を提供すること。 - 特許庁

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「stacking faults」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 27件

例文

The stacking fault area is enlarged by current energization and the silicon carbide bipolar semiconductor device of the increased forward voltage is heated at a temperature of 350°C or more to recover stacking faults.例文帳に追加

電流通電により積層欠陥面積が拡大し、順方向電圧が増加した炭化珪素バイポーラ型半導体装置を３５０℃以上の温度で加熱し、積層欠陥回復させる。 - 特許庁

To prevent the growth of stacking faults in an epitaxial layer stacked on a silicon carbide substrate in a silicon carbide semiconductor device.例文帳に追加

炭化珪素半導体装置において、炭化珪素基板上に積層したエピタキシャル層中で積層欠陥が成長するのを防ぐこと。 - 特許庁

This silicon carbide single crystal 1 comprises an assembly 2 of screw dislocations, the stacking faults 3 and edge dislocations 4 and is obtained by dividing the assembly 2 of the screw dislocations into sections in the direction of the axis (extending the dislocation lines) of the screw dislocations with the stacking faults 3 or the edge dislocations 4.例文帳に追加

らせん転位の集合体２、積層欠陥３、及び刃状転位４が含まれ、らせん転位の集合体２が積層欠陥３若しくは刃状転位４によって、らせん転位の軸（転位線を伸長する）方向に分断された炭化珪素単結晶１とする。 - 特許庁

To provide a method for suppressing the formation of flat surface defects, such as stacking faults and microtwins in a relaxed SiGe alloy layer.例文帳に追加

緩和ＳｉＧｅ合金層において、積層欠陥およびマイクロツイン等の平面欠陥の形成を抑えるための方法を提供すること。 - 特許庁

By filling up the groove 12 with a silicon oxide film 5, a fault stop region 10 which stops the growth of stacking faults is formed.例文帳に追加

この溝１２を酸化珪素膜５で埋め込むことによって、積層欠陥の成長を停止させる欠陥停止領域１０を形成する。 - 特許庁

Consequently, the number of LPDs (Light Point Defects) (due to SFs(Stacking Faults)) generated on the top surface of the epitaxial silicon wafer owing to the SFs can be greatly decreased.例文帳に追加

これにより、ＳＦに起因してエピタキシャルシリコンウェーハの表面に生じるＬＰＤ（ＳＦに起因して生じる）の個数を大幅に低減することができる。 - 特許庁

In such heat treatment, occurrence of stacking faults induced by oxidation is completely prevented without performing heat treatment at high temperature or for a long period.例文帳に追加

この様な熱処理では、高温または長時間の熱処理を行わなくても酸化誘起積層欠陥の発生を完全に防止することができる。 - 特許庁

例文

To provide a method for growing a silicon single crystal, which can grow a single crystal of a non-faulty region where there is no OSF (oxidation-induced stacking faults) and grown-in faults over the whole diameter direction region, in a high yield and stably.例文帳に追加

径方向全域にわたりＯＳＦ（酸化誘起積層欠陥）およびｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥のない無欠陥領域の単結晶を歩留り良く安定して育成することができるシリコン単結晶の育成方法を提供する。 - 特許庁

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「stacking faults」の意味に関連した用語

1

積層欠陥

(専門用語対訳辞書)

2

confine

(動詞集)

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英和辞書の「stacking faults」の用語索引

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