tunneling time - Weblio 英和・和英辞典 (original) (raw)
例文
To provide the film for print lamination excellent in the adhesiveness to a printing body, reduce in the generation tendency of a tunneling phenomenon, excellent in the peel preventing property of a rule part and preventing wrinles at the time production and the elongation and breaking of a laminated film at the time of print lamination.例文帳に追加
印刷体への接着性に優れ、かつトンネリング現象の発生傾向を減少せしめ、罫線部の剥離防止に優れ、さらにフィルム生産時のシワ、プリントラミネート時の積層フィルムの伸び、破断が無いプリントラミネート用フィルムの提供。 - 特許庁
To stably resume service when the main system GW is restored from fault, and to achieve a short service interruption time in a network system using a tunneling protocol by installing the main system GW and a standby system GW in long distance.例文帳に追加
トンネリングプロトコルを用いたネットワークシステムにおいて、主系ＧＷと待機系ＧＷとを遠距離に設置し、主系ＧＷが故障から復旧したときに安定してサービスを再開し、また、短いサービス断時間を実現することを課題とする。 - 特許庁
To provide a natural ground reinforcing construction method such as preceding tunneling work and mirror reinforcing work capable of developing high reinforcing effect in uniformity, eliminating the need of additional reinforcement at the time of tunnel excavation work, obtaining a proper natural ground reinforcing effect and executing excavation at a low cost in various excavation methods.例文帳に追加
例えばトンネル先受け工や鏡補強工の地山補強工法に係り、均一性の高い補強効果を発揮できると共に、トンネル掘削作業時に追加補強を行う必要がなく、適格な地山補強効果を得ることができ、多様な掘削方式に於いて低コストで実施できるようにする。 - 特許庁
To provide a memory device that can suppress a leak of electrons in a charge trap layer due to tunneling effect, make a holding time for data longer, and make a tunnel oxide film thin to improve a data writing speed.例文帳に追加
電荷トラップ層からのトンネル効果による電子の漏れを抑制することができ、データの保持時間の長期化を図ることができるとともに、トンネル酸化膜の薄膜化を可能として、データの書き込み速度の向上を図ることのできるメモリ装置を提供する。 - 特許庁
To provide a tunneling machine which allows an undermining ditch to be excavated in a multi-centered circle shape by a chain cutter for excavation of the undermining ditch at a time, without performing extra chipping work, placing lining concrete or making the undermining ditch twisted, in a flat-section type tunnel having the multi-centered circle shape.例文帳に追加
多芯円形状をした偏平断面型トンネルにおいて、透かし溝掘削用チェーンカッタにより透かし溝を、一度に、余分なはつり作業や覆工コンクリートを打設すること無く、多芯円形状に、且つその透かし溝が捩じれること無く掘削することができるトンネル施工機を提供する。 - 特許庁
As a shape of a voltage pulse impressed in writing and erasing data, the voltage is raised steeply in the first periods tre1 and trw1 to tunneling starting voltages Vtne and Vtnw at starting time, and in the second periods tre2 and trw2, the voltage is elevated gently to the subsequent final rewriting voltage Vpp.例文帳に追加
データ書込と消去を行う際に印加する電圧パルスの形状として、立上げ時のトンネリング開始電圧Ｖｔｎｅ，Ｖｔｎｗまでの第１期間ｔｒｅ１，ｔｒｗ１は急峻に電圧を上昇させ、その後の最終書換電圧Ｖｐｐまでの第２期間ｔｒｅ２，ｔｒｗ２は緩やかに電圧を上昇させる。 - 特許庁
To provide a pattern forming method and a pattern forming apparatus by which a pattern in a relatively wide region of a square millimeter or larger can be formed in a short time by electrochemical lithographic pattern forming method and the pattern can be formed without using an expensive apparatus such as an AFM (atomic force microscope) and an STM (scanning tunneling microscope).例文帳に追加
電気化学リソグラフィーによるパターン形成方法において、平方ミリメートル以上の比較的広い領域に渡るパターン形成を、短時間で行うことを可能とするとともに、ＡＦＭ、ＳＴＭなどの高価な装置を用いることなくパターンを形成し得るパターン形成方法及びパターン形成装置を提供する。 - 特許庁
例文
The operation of the memory array is thereby programmed by a method for injecting holes generated by the avalanche phenomenon into multi-dielectric layers of respective memory cells and performed by a method for injecting electrons existing in channels through F-N tunneling into the multi-dielectric layers of respective cells at the time of erasing.例文帳に追加
従って、メモリアレイの動作は、前記アバランシュ現象により生成されたホールを各メモリセルの多重誘電層に注入させる方式でプログラムし、イレース時にはＦ−Ｎトンネルリングによりチャンネルにある電子を前記各セルの多重誘電層に注入させる方式で行うことになる。 - 特許庁