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例文
温度補償 型発振器に実装する集積回路（ＩＣ）半導体部品の小型化に対応した圧電発振器の構造と、その調整方法に関するもので、圧電発振器を構成する半導体集積部品を製造工程時に効率良く活用できることを実現する。例文帳に追加
To efficiently utilize a semiconductor integrated component constituting a piezo oscillator during a manufacturing process about a structure of the piezo oscillator corresponding to the miniaturization of an integrated circuit (IC) semiconductor component to be mounted on a temperature compensating oscillator and its adjusting method. - 特許庁
小型化する圧電発振器や温度補償 型発振器に実装する半導体集積部品回路（ＩＣ）の小型化に対応した圧電発振器の製造方法を実現することを目的とする。例文帳に追加
To realize a manufacturing method of a piezoelectric oscillator that corresponds to the miniaturization of a semiconductor integrated component circuit (IC) to be mounted on a compacted piezoelectric oscillator and a temperature compensating oscillator. - 特許庁
課題を解決するために本発明は、二次関数発生回路を用いて三次関数の周波数温度特性を半導体部品で制御する水晶振動子温度補償 型発振器において、前記半導体部品の発振段の電流値を可変することによりｇｍ値を制御することで温度補償を行うことにより課題を解決する。例文帳に追加
In the quartz resonator temperature compensation type oscillator for controlling a frequency-temperature characteristic which is a cubic function by a semiconductor component, a gm value is controlled by varying the current value of an oscillation stage of the semiconductor component by using a quadratic function generation circuit to perform temperature compensation. - 特許庁
メモリセル領域に形成されたクラウン型のキャパシタ２１ａと、周辺回路領域に形成されたコンケイブ型の補償容量素子１０と、を有することを特徴とする半導体装置２０を提供する。例文帳に追加
A semiconductor device 20 comprises a crown type capacitor 21a formed in a memory cell region and a concave type compensation capacitive element 10 formed in a peripheral circuit region. - 特許庁
例文
半導体集積回路で構成する従来の可変容量回路は、温度補償 型水晶発振器に搭載すれば位相ノイズ特性が悪化し、電圧制御型水晶発振器に搭載すれば応答性が悪い。例文帳に追加
To provide a variable capacity circuit which is free of deterioration in phase noise characteristic and has good response even when mounted on a semiconductor integrated circuit. - 特許庁
例文
半導体装置のデジタル補償 型位相同期回路２００において、発振ノードに容量を具備し、印加電圧で連続的に制御される電圧制御型発振器１０４を含む位相同期回路１００と、入力される位相差に応じて電圧制御型発振器１０４の発振ノードの容量を可変に制御するデジタル補償回路２０１とを有する。例文帳に追加
A digital compensation phase locked loop circuit 200 of the semiconductor device includes: a phase locked loop circuit 100 including a voltage controlled oscillator 104 having capacitors at oscillation nodes and consecutively controlled by an applied voltage; and a digital compensation circuit 201 which variably controls the capacitors at the oscillation nodes of the voltage controlled oscillator 104 in accordance with an input phase difference. - 特許庁
これにより、ｎ型の不純物のピーク領域によって、拡散してくるｐ型の不純物を補償，捕獲して、電流狭窄層９のｐ型転化を抑制して、良好な電流狭窄特性を得る窒化物半導体装置の作成が可能となる。例文帳に追加
The peak region of the n-type impurities thereby compensates and captures p-type diffusing impurities, and the p-type conversion of the current constriction layer 9 is suppressed, thus forming a nitride semiconductor device provided with a good current constriction characteristic. - 特許庁
ｎ伝導型の高キャリア濃度ｎ^+ 層３、発光層５、ｐ伝導型のｐ層６１とが３族窒化物半導体で形成された発光ダイオード１１０と、同様な構成の補償ダイオード３２０が同一のサファイア基板１に形成されている。例文帳に追加
A light emitting diode 110, which is formed by the group III nitride semiconductor consisting of an n-conductive type high carrier density n+ layer 3, a light emitting layer 5 and a p-conductive type p-layer 61, and a compensatory diode 320, having the same structure as above, are formed on the same sapphire substrate 1. - 特許庁
半導体温度センサを温度補償電圧発生回路、発振回路と共に１チップＩＣ化した間接型ＴＣＸＯは、センサ感度が低いため、センサ出力の増幅回路を設けるので、ＴＣＸＯの位相雑音特性が劣化する。例文帳に追加
To solve the problem that, since an indirect TCXO obtained by one-chip integrating a semiconductor temperature sensor together with a temperature compensation voltage generating circuit and an oscillation circuit has a low sensor sensitivity, an amplifier circuit of the sensor output is provided, and hence the phase noise characteristics of the TCXO is deteriorated. - 特許庁
例文
外部共振器型レーザモジュール２００は、熱膨張率の低い材料からなるベース２０１上に第１の支持部２０２を介して半導体レーザ２０３を配置し、反射用のミラー２１１は温度特性補償板２１２を介してベース２０１上の第３の支持部２１３に取り付けている。例文帳に追加
An external resonator type laser module 200 arranges a semiconductor laser 203 through a first supporting part 202 on a base 201 made of material with a low coefficient of thermal expansion and attaches a mirror 211 for reflection through a temperature characteristic compensation plate 212 to a third supporting part 213 on the base 201. - 特許庁