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AL-IVの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3件
例文
The porous material contains at least -M=O group on the surface of a fine pore, where M is at least one kind selected from Zr(IV), Fe(III), Mn(III-VII), Ti(III or IV), Al(III), Co(III) and Ni(III or IV).例文帳に追加
細孔の表面に−Ｍ＝Ｏ基（Ｍは、Ｚｒ（IV）、Ｆｅ（III）、Ｍｎ（III〜VII）、Ｔｉ（IIIまたはIV）、Ａｌ（III）、Ｃｏ（III）およびＮｉ（IIIまたはIV）から選ばれる少なくとも１種である）を含むことを特徴とする多孔質材。 - 特許庁
The p-type oxide semiconductor consists of oxide of group X(=II, III, IV, V) and metal-nitrogen bond composed of at least one among group Y(≤X) nitrides, for instance, Li-N, Be-N, Mg-N, Al-N, Ga-N is introduced into the p-type oxide semiconductor.例文帳に追加
X ( =II 、III 、IV 、V ) 族酸化物からなるｐ型酸化物半導体であって、前記ｐ型酸化物半導体中にY ( ≦X ）族窒化物のなかの少なくとも1 つ、例えばLi-N、Be-N、Mg-N、Al-N、Ga-N Aなど、からなる金属−窒素結合を導入する。 - 特許庁
例文
The method for improving the high-temperature oxidization resistance of the Ti-Al-based alloy comprises placing the member made of the Ti-Al-based alloy having the complicated shape in ion-containing plasma; and implanting ions of at least one metal selected from among IV, Va and VIa groups in the periodic table of elements, into the member with a plasma base ion-implanting method.例文帳に追加
Ｔｉ−Ａｌ系合金からなる複雑形状を有する部材をイオン含有プラズマ中において、元素周期律表のＩＶ，ＶａおよびＶＩａ族のうちから選ばれる少なくとも１種の金属イオンをプラズマベースイオン注入法により注入することでＴｉ−Ａｌ系合金の耐高温酸化を向上させる。 - 特許庁
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