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例文

When a groove for removing a SiGe layer is formed by an SBSI method, an SOI layer 5 is formed in a shape having a first region 5a, a second region 5b and a third region 5c.例文帳に追加

ＳＢＳＩ法において、ＳｉＧｅ層を除去するための溝を形成する際に、ＳＯＩ層５を第１領域５ａ、第２領域５ｂ及び第３領域５ｃを有する形状に形成する。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a semiconductor device in which the time required for forming the film of first and second semiconductor layers by SBSI method can be shortened.例文帳に追加

ＳＢＳＩ法において第１半導体層及び第２半導体層の膜形成の所要時間を短縮できるようにした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method of forming an SOI structure on a silicon substrate 1 using an SBSI (separation by bonding silicon island) method, a supporter film is formed on the silicon substrate 1 so as to fill a hole h1 formed on an element forming region and a hole h2 formed on a wiring forming region.例文帳に追加

ＳＢＳＩ法を用いてシリコン基板１にＳＯＩ構造を形成する方法であって、素子形成領域に形成された穴ｈ１と配線形成領域に形成された穴ｈ２とを埋め込むようにシリコン基板１上に支持体膜を形成する。 - 特許庁

In the semiconductor device manufactured by an SBSI (separation by bonding silicon island) method, an element isolation layer 13 is formed into a planar shape of "surrounding an element forming region 10, segmenting an SOI forming region 1a from an SOI forming region 1c within the surrounded region and segmenting an SOI forming region 1b from an SOI forming region 1d therewithin".例文帳に追加

ＳＢＳＩ法よって製造される半導体装置であって、素子分離層１３を「素子形成領域１０を囲み、囲んだ範囲内でＳＯＩ形成領域１ａとＳＯＩ形成領域１ｃとの間を仕切ると共に、ＳＯＩ形成領域１ｂとＳＯＩ形成領域１ｄとの間を仕切る」平面形状に形成している。 - 特許庁

例文

In a method of forming an SOI structure on a bulk Si substrate 1 using an SBSI method, cleaning processing using a hydrofluoric acid is applied to the silicon substrate 1 to trim a support 9 (i.e. form a minute line), and subsequently, a silicon germanium layer 2 is etched with a nitrohydrofluoric acid to form a cavity portion between a silicon layer 3 and the silicon substrate 1.例文帳に追加

ＳＢＳＩ法を用いてバルクのＳｉ基板１にＳＯＩ構造を形成する方法であって、フッ酸を用いた洗浄処理をシリコン基板１に施して支持体９をトリミング（即ち、細線化）し、次に、シリコンゲルマニウム層２をフッ硝酸でエッチングしてシリコン層３とシリコン基板１との間に空洞部を形成する。 - 特許庁