Способ измерения коэффициента остаточного поглощения в пассивных затворах на основе кристаллов lif с f-2 центрами окраски — SU 1220475 (original) (raw)

Формула

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТА ОСТАТОЧНОГО ПОГЛОЩЕНИЯ В ПАССИВНЫХ ЗАТВОРАХ НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛОВ LIF С F-2 -ЦЕНТРАМИ ОКРАСКИ в спектральной области 0,9 1,15 мкм, включающий просвечивание кристалла излучением, измерение пропускания, отличающийся тем, что, с целью упрощения и удешевления способа, просвечивают кристалл излучением от стабилизированного источника, измеряют пропускание на длине волны 1,15 1,04 мкм, а коэффициент остаточного поглощения Kн определяют по формуле
Kн Al-1lnT-1,
где l длина кристалла;
A эмпирический коэффициент;
T период.

Описание

Изобретение относится к квантовой электронике и может быть использовано для отработки технологии изготовления и паспортизации пассивных затворов на основе кристаллов LiF с F2- центрами окраски.
Целью изобретения является упрощение и удешевление способа.
Физическая основа способа состоит в том, что остаточное поглощение в области 0,9-1,15 мкм обусловлено центрами, обладающими широкой полосой поглощения в области 0,9-1,4 мкм. Поэтому отношение коэффициента поглощения для любой длины волны в области спектра 1,15-1,4 мкм, где F2- центры не поглощают, к коэффициенту остаточного поглощения в области спектра 0,9-1,15 мкм примерно постоянно и зависит только от выбранных длин волн. Это постоянное отношение и определяет эмпирический коэффициент А.

Заявка

3334860/25, 25.08.1981

Бураков В. С, Михнов С. А, Чепурной В. А, Хулугуров В. М, Шкадаревич А. П

МПК / Метки

МПК: G02F 1/35

Метки: затворах, коэффициента, кристаллов, окраски, основе, остаточного, пассивных, поглощения, центрами

Опубликовано: 27.06.1995

Код ссылки

Способ измерения коэффициента остаточного поглощения в пассивных затворах на основе кристаллов lif с f-2 центрами окраски