Центрами — Метка (original) (raw)
Патенты с меткой «центрами»
Прибор для измерения расстояний между центрами отверстий
Номер патента: 63613
Опубликовано: 01.01.1944
Автор: Молодиков
Метки: между, отверстий, прибор, расстояний, центрами
...отверстий.Прибор, как и известные ранее приборы того же назначения, состоит из линейки 1, ножки 2, подвижчой лишь вдоль оси прибора и ножки 3 с нониусом 4, подвижной как вдоль, так и поперек линейки 1.На лицевой стороне средней части ножек нанесены деления в мил М 63613лиметрах, определяющие вьсотуподнятия или опускания ножек.Нижние концы ножек переходятв наконечники в виде клиновидныхпластин 5 и б с углом при вершине53 10 и высотой 26 мм, Длязакрепления ножек в нужном положенииимеются два стопорных винта,Клиновидные пластины 5 и 6 рабочих наканечников сделаны сдвижными до взаимного перекрытия,для чего каждая из них ограниченас одной боковой стороны плоскостью, являющейся плоскостьюосевого сечения конуса. При полном сближении...
Способ получения большого количества фокальных зон от интегрального стереоэкрана с одним или несколькими центрами
Номер патента: 85526
Опубликовано: 01.01.1950
Автор: Шепелюк
МПК: G03B 35/20
Метки: большого, зон, интегрального, количества, несколькими, одним, стереоэкрана, фокальных, центрами
...чагоризонтальных зеркал наружного отражения 2, уразными углами к оси проекции,Таким образом, с каждого изображения на пленке 3 илции получается несколько одинаковых изображений.Стереопроекция ведется также с нескольких двухзеркальных стереонасадок б, на каждую из которых посылается одно из размноженных изображений. Стереонасадки при этом расставляются так, чтобыпри их юстировке пары фокальных зон покрывали полную площадьзрительного зала,Количество фокальных зон, получаемых предлагаемыхравняется произведению количества мнимых объективов натров интегрального стереоэкрана.Римские цифры на чертеже обозначают ряды зритеПри этом внизу (под экраном б) - номера рядов в случции стереопроекции на отражение; наверху - номера рядорганизации...
Блок-штатив для измерения линий, опирающихся концами на полигонометрические знаки с центрами, заделанными почти в плоскости стены
Номер патента: 150234
Опубликовано: 01.01.1962
Автор: Верещагин
Метки: блок-штатив, заделанными, знаки, концами, линий, опирающихся, плоскости, полигонометрические, стены, центрами
...позволяет с помощью мерного прибора измерять расстояния между стенными полигонометрическими знакази. При этом постоянное двухстороннее натяжение мерного прибора обеспечивается закрепленной на двуногом штативе штангой с двумя блэками, опирающейся на стену вингом и связанной тросиком с одной стороны с механизмом, зажима 10 щим зерныЙ прибор, а с др.гОЙ стороны - с гирей. Закрспление мерного прибора в нуи 11 О полоси 11 Осщсстьляется при помощи зажимного механизма, вращающегося на подшипнике, Самоустановка меоного прибора в створе измеряемой линии обес. печивается направляющей. На одном конце ее закреплен зажимной механизм с мерным гриборо 1, другоЙ кОнсц направля 1 ощей Вращается вокруг вертикальной оси, проходящей через центр...
Устройство для контроля расстояний между центрами последовательности сигналов
Номер патента: 515270
Опубликовано: 25.05.1976
Авторы: Дзюба, Москаленко, Сисин, Твердохлебов, Хутский
МПК: H03K 5/18
Метки: между, последовательности, расстояний, сигналов, центрами
...контрольного коца коц Тц; поцается на вхоцы задатчика 1 0 точности, спомощью которого оператор задает требуемый код симметрии, поступакиций на соответствующие вхоцы блока контроля симметрии, что определяется характером вхоцной последовательности сигналом (закономерная или случайная). Если закономернаяпоследовательность, то задатчиком 10точности устанавливают код,цо ециницымладшего разряца; если случайная послецовательность, то тем же задатчиком устанавливают точность, опрецеляемую наибольшей вероятностью появления ожидаемого кода симметрии.На счетный вход блока 11 контроля 40симметрии поступают импульсы последующих полных посылок с третьего выходауправляющего генератора 2. В блоке 11контроля симметрии производится поцсчеткажцой...
Способ измерения расстояния между парамагнитными центрами в парах и ориентации пар парамагнитных центров
Номер патента: 741135
Опубликовано: 15.06.1980
МПК: G01N 27/78
Метки: между, ориентации, пар, парамагнитными, парамагнитных, парах, расстояния, центрами, центров
...исследуемую систему спинов подают два радиоимпульса 1 и 2 на частоте йо (фиг . 1), равной резонансной частоте для данной системы спинов. Расстояние между радиоимпульсами равно Г. Через промежуток времени, равном 2 Г от первого импульса, возникает сигнал спинового эха 3. Затем в промежутке Г между первым и вторзм радиоимпульсами на систему спинов воздействуют дополнительным радиоимпульсом 4 (фиг. 2), но уже настроенным на частоту магнитного резонанса Й парамагнитных центров, величину взаимодействия с которыми определяют.Изменяя интенсивность и временное положение дополнительного радио- импульса 4, измеряют зависимость амплитуды сигнала первичного эха 3. Искомые параметры, а именно расстояние между парамагнитными центрами в парах и...
Устройство для измерения интервалов между центрами импульсов
Номер патента: 938249
Опубликовано: 23.06.1982
Автор: Смирнов
МПК: G04F 10/04
Метки: импульсов, интервалов, между, центрами
...входной сигнал, подаваемый на второй вход 15 устройства, поступает на вход блока 4 дифференцирования, а также на третий и четвертый входы элемента 6, причем поступая на четвертый вход, сигнал инвертируется, По пе+ьь 1В 1 1 2 2 2 Х етствуккциеи второго РфшМв СОСтояс образо момент Ф,разности второго вход- смещение, всегда можетдуккцей. обработке В этом :разрща пе ю ю 5ОЗй реднему фронту второго входного сигнала, получаемого с выхода блока 4 производится установка начального состоя ИС 14 Я.начинает заполняться импульсами с вы- в хода элемента 6 2 И-ИЛИ. Все время существования второго входного сигнала эти импульсы следуют с периодом СТ 2. так как на третий и второй входы элемента 6 2 И-ИЛИ поступают открываю щие сигналы,...
Способ измерения параметров взаимодействия между парамагнитными центрами
Номер патента: 968719
Опубликовано: 23.10.1982
Авторы: Милов, Хмелинский, Щиров
МПК: G01N 24/10
Метки: взаимодействия, между, парамагнитными, параметров, центрами
...обычный одномодовый резонатор, и один генератор радиочастотныхимпульсов, работающий на фиксированнойчастоте. Перестройка зеемановской частоты второй группы парамагнитньпс центров,возбуждаемых дополнительным радиочастотным импульсом, производится нрос- Отым изменением амплитуды модулируюшегоимпульса пспяризующего магнитного поля.На чертеже представлены графики,поясняющие принцип осуществления способа. 5В координатах О,- -М о приведен гипотетический спектр электронного парамагнич.ного резонанса с расщеплением ДНо между 19линиями 1 - 3, принадлежащими различным взаимодействующим парамагнитным центрам, Сигнал спинового эха наблюдают эа счет возбуждения линии 1.В координатах Рц - показано изменение радиочастотной мощности в резонаторе во...
Электростатическая отклоняющая система с совмещенными центрами отклонения и способ отклонения пучка заряженных частиц в этой системе
Номер патента: 1365179
Опубликовано: 07.01.1988
Авторы: Овсянникова, Фишкова
МПК: H01J 29/74
Метки: заряженных, отклонения, отклоняющая, пучка, системе, совмещенными, центрами, частиц, электростатическая, этой
...и +0, подобранные в зависимости от значений Ч, и Ч . Как показывают расчеты в пространстве между электродами увеличивается получение электрического поля высокой однородности, Так,в области до половины апертуры а Неоднородность поля в предлагаемой электростатической отклоняющей системе с совмещенными центрами отклонения системы неоднородность поля составляет менее 1 Е,в области до 0,6 а (37.,до0,7 а с 7,57 и т.д.,что значительно меньше, чем в известных системах. Этотвыигрыш в однородности поля приводитк уменьшению нелинейности отклонения,которая при сохранении размеров раст;ра в первом приближении пропорциональна неоднородности поля,Способ отклонения пучка заряженныхчастиц в электростатической системес совмещенными центрами состоит втом,...
Устройство для измерения интервалов между центрами импульсов
Номер патента: 1661714
Опубликовано: 07.07.1991
Авторы: Коваленко, Маргелов, Мельников, Мельникова
МПК: G04F 10/04
Метки: импульсов, интервалов, между, центрами
...счетчик 19 блока 3 начинаетсчитать на уменьшение и, спустя времялоа, выдает импульс, устанавлинающий триггер 20 в "0". Таким образом,все время нахождения триггера 20в "1", равное Ф (фиг. Зв) счетчик7 заполняется импульсами, следующимис периодом 2 Т . После переключениятриггера 20 блока 3 н "0" счетчик 7начинает заполняться импульсами,следующими с периодом Т г, так какэлемент 2 И-ИЛИ 9 закрывается по первому входу и открывается по третьемувходу. Заполнение счетчика 7 продол 20 жается до поступления импульса с выхода дешифратора 17, сбрасывающеготриггер 13, Этот же импульс своимзадним Фронтом производит "перепись"кода В счетчика в момент его оста 125 нонки в регистр 15. Допустим, чтосброс триггера 13 и прекращение поступления...
Устройство для измерения расстояния между центрами интерференционных полос интерферограмм
Номер патента: 1677877
Опубликовано: 15.09.1991
Автор: Китаев
МПК: H04N 7/18
Метки: интерференционных, интерферограмм, между, полос, расстояния, центрами
...на выходе цифроаналогового преобразователя 16 через блок 17 поворота изображения доворачивает изображение до момента совпадения количества импульсов в пачках, При этом иэображение полос формируется в положении, перпендикуляр 101520 ном к строчной развертке, а импульс с выхода нуль-органа 18 переводит второй триггер 19 в режим "Грубо" для подготовки устройства к следующему циклу работы.Формирователь 8 стробов (фиг.З) рабо тает следующим образом. После обнуления верхнего ряда счетчиков обоих каналов импульсом КСИ двоичные коды номера текущей строки поступают на информационные входы 1,2,4,8 нижнего ряда счетчиков обоих 35 каналов соответственно, При этом нижний ряд счетчиков первого канала работает на вычитание, поэтому...
Способ определения расстояния между центрами линз при подборе корригирующих очков
Номер патента: 1704753
Опубликовано: 15.01.1992
МПК: A61B 3/00
Метки: корригирующих, линз, между, очков, подборе, расстояния, центрами
...по шкале оправы при экэофории к виску, а при ээофории - к носу(при использовании положительныхлинз смещение произворят в противоположных напоавлениях). Добиваются совмещения точечного источника света ивертикальной красной полосы (си. 25фиг.2, где показано изменение ходасветовых лучей в правом глазу пациента при децентрации кооригирующегостекла; за счет призматического действия его периферии луч света падаетуже на ооласть центодльной ямки сетчатки), Расстояние между центрами корригируацих линз в этом положении определяют по шкале пробной оправы, Онои должно быть указано в рецепте наочки, Предлагаемый способ может применяться как для коррекции сферической аиетропии, так и дстиглятизл 1 д.П р и м е р 1. Пациентка Е.,...
Устройство для измерения расстояния между центрами двух изображений точечного объекта
Номер патента: 1788597
Опубликовано: 15.01.1993
Авторы: Ванюшкин, Денисюк, Колядинцев, Кондратьев, Коновалов, Павлов, Филиппов, Чесноков
МПК: H04N 7/18
Метки: двух, изображений, между, объекта, расстояния, точечного, центрами
...входу оптического модулятора, второй выход блока управления соединен с первым входом 5 делителя, первый выход которого соединен с синхровходами третьего и четвертого регистров, а информационный выход - с информационными входами третьего и четвертого регистров, третий выход блока 10 управления соединен с синхровходом индикатора, четвертый, пятый выходы блока управления подключены соответственно к входам управления третьего и четвертого регистров, третий выход синхрогенератора 15 подключен к синхровходам первого и второго регистров и к синхровходу делителя, первый информационный вход которого соединен с информационным входом первого регистра и выходом первого суммато ра, второй вход которого подключен к, выходу первого регистра,...
Способ изготовления кремниевых пластин с геттерирующими центрами в объеме пластины
Номер патента: 1499627
Опубликовано: 30.08.1994
Авторы: Антонова, Воронков, Енишерлова-Вельяшева, Куц, Мильвидский, Резник, Русак, Шмелева
МПК: H01L 21/322
Метки: геттерирующими, кремниевых, объеме, пластин, пластины, центрами
1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН С ГЕТТЕРИРУЮЩИМИ ЦЕНТРАМИ В ОБЪЕМЕ ПЛАСТИНЫ, включающий отжиг в окислительной атмосфере при 1100 - 1200oС в течение 2 - 3 ч и двухступенчатый отжиг в инертной среде при 700 - 750oС в течение 4 - 6 ч и при 1000 - 1050oС, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности геттерирования независимо от содержания кислорода в кремнии, отжиг при 1100 - 1200oС проводят в атмосфере сухого кислорода с хлорсодержащими добавками при содержании активного хлора 0,3 - 1% от содержания кислорода, после отжига в окислительной среде проводят дополнительный отжиг при 430 - 450oС, причем продолжительность отжигов при 430 - 450oС и 1000 -...
Способ приготовления лазерной среды cf+3 -центрами окраски
Номер патента: 1447220
Опубликовано: 27.02.1995
Авторы: Барышников, Мартынович, Щепина
МПК: H01S 3/16
Метки: лазерной, окраски, приготовления, среды, центрами
СПОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ ЛАЗЕРНОЙ СРЕДЫ С F+3-ЦЕНТРАМИ ОКРАСКИ, включающий облучение монокристалла LiF потоком ускоренных частиц, отличающийся тем, что, с целью снижения порога генерации, облучение проводят в течение интервала времени от 1 10-8 до 6 с с плотностью потока не менее 2 1012 частиц/см2.
Способ получения активной лазерной среды на основе монокристалла фторида лития с f2 центрами
Номер патента: 1393290
Опубликовано: 27.02.1995
Авторы: Барышников, Мартынович, Щепина
МПК: H01S 3/16
Метки: активной, лазерной, лития, монокристалла, основе, среды, фторида, центрами
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ АКТИВНОЙ ЛАЗЕРНОЙ СРЕДЫ НА ОСНОВЕ МОНОКРИСТАЛЛА ФТОРИДА ЛИТИЯ С F*002-ЦЕНТРАМИ по авт. св. N 1322948, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности концентрации F2-центров, облучение электронами производят в течение интервала времени от 0,1 до , где t - время жизни анионной вакансии.
Способ изготовления активного элемента лазера на основе кристалла фторида лития с центрами окраски
Номер патента: 1152475
Опубликовано: 19.06.1995
Авторы: Иванов, Михаленко, Парфианович, Хулугуров, Чепурной, Шкадаревич, Шнейдер
МПК: H01S 3/16
Метки: активного, кристалла, лазера, лития, окраски, основе, фторида, центрами, элемента
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АКТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ЛАЗЕРА НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛА ФТОРИДА ЛИТИЯ С ЦЕНТРАМИ ОКРАСКИ, содержащего примесь, включающий выращивание кристалла из расплава и облучение его ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью расширения спектрального диапазона генерации лазера, в расплав фторида лития вводят двухвалентные катионозамещающие примеси магния, или никеля, или кобальта при концентрации от 5 10-3 до 10-1 мас. затем кристалл охлаждают до (-196oС) - (-30oС), облучают дозой 108 Рентген с последующим отжигом его при 20oС в течение 0,5 2 ч.
Способ измерения коэффициента остаточного поглощения в пассивных затворах на основе кристаллов lif с f-2 центрами окраски
Номер патента: 1220475
Опубликовано: 27.06.1995
Авторы: Бураков, Михнов, Хулугуров, Чепурной, Шкадаревич
МПК: G02F 1/35
Метки: затворах, коэффициента, кристаллов, окраски, основе, остаточного, пассивных, поглощения, центрами
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТА ОСТАТОЧНОГО ПОГЛОЩЕНИЯ В ПАССИВНЫХ ЗАТВОРАХ НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛОВ LIF С F-2 -ЦЕНТРАМИ ОКРАСКИ в спектральной области 0,9 1,15 мкм, включающий просвечивание кристалла излучением, измерение пропускания, отличающийся тем, что, с целью упрощения и удешевления способа, просвечивают кристалл излучением от стабилизированного источника, измеряют пропускание на длине волны 1,15 1,04 мкм, а коэффициент остаточного поглощения Kн определяют по формулеKн Al-1lnT-1,где l длина кристалла;A эмпирический коэффициент;T период.
Способ изготовления кремниевых пластин с геттерирующими центрами в объеме пластины
Номер патента: 1340492
Опубликовано: 25.07.1995
Авторы: Воронков, Енишерлова-Вельяшева, Мильвидский, Резник, Русак, Шмелева
МПК: H01L 21/304, H01L 21/322
Метки: геттерирующими, кремниевых, объеме, пластин, пластины, центрами
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН С ГЕТТЕРИРУЮЩИМИ ЦЕНТРАМИ В ОБЪЕМЕ ПЛАСТИНЫ, включающий проведение двухступенчатого отжига при температурах в диапазоне 650 750oС и 950 1050oС в течение 3 4 ч на каждой стадии, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения способа для кремния с содержанием кислорода 5 1015 9 1017 см-3, перед отжигом при 950 1050oС с обеих сторон пластины механической обработкой создают приповерхностные области, состоящие из системы микротрещин, произвольно направленных и...
Способ изготовления лазерных материалов на основе кристалла al2o3 с центрами окраски
Номер патента: 1435118
Опубликовано: 27.03.1999
Авторы: Алешкин, Барышников, Григоров, Коломиец, Мартынович, Назаров, Скобкин, Червяцов, Южалин
МПК: H01S 3/16
Метки: аl2о3, кристалла, лазерных, окраски, основе, центрами
Способ изготовления лазерных материалов на основе кристалла Al2O3 с центрами окраски, включающий облучение кристалла быстрыми нуклонами и термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения концентрации рабочих центров окраски, дополнительно облучают кристалл лазерным излучением с длиной волны 0,4 - 0,63 мкм и плотностью мощности 3 - 280 МВт/см2.