Способ изготовления приборов на основе полупроводников типа iiibv — SU 762636 (original) (raw)

Описание

Способ изготовления приборов на основе полупроводников типа AIIIBV путем жидкостной эпитаксии из двух насыщенных растворов-расплавов, одним из которых, составленным на основе бинарной системы с низкоактивным компонентом и добавкой амфотерной примеси, покрывают подложку, а другой, составленный на основе трехкомпонентной системы, приводят в контакт с первым через систему отверстии, перемещающихся относительно подложки, отличающийся тем, что, с целью получения многоэлементных приборов, повышения квантовой эффективности и расширения спектрального диапазона приборов, периодически изменяют температуру проведения процесса на 15 - 30o от номинального значения за время, равное отношению размера выращиваемой мезаструктуры к скорости относительного перемещения.

Заявка

2658268/25, 14.08.1978

Институт физики полупроводников СО АН СССР, Новосибирский государственный университет

Золотухин В. Е, Марончук Ю. Е, Марончук И. Е, Сушко Б. И, Якушева Н. А

МПК / Метки

МПК: H01L 21/20

Метки: iiibv, основе, полупроводников, приборов, типа

Опубликовано: 10.11.1999

Код ссылки

Способ изготовления приборов на основе полупроводников типа iiibv