Нанесение полупроводниковых материалов на подложку, например эпитаксиальное наращивание — H01L 21/20 — МПК (original) (raw)
Способ выращивания монокристаллических слоев
Номер патента: 184808
Опубликовано: 01.01.1966
Автор: Клименко
МПК: H01L 21/20
Метки: выращивания, монокристаллических, слоев
...какуумературе,ика,Известен способ получения монокристаллических полупроводниковых пленок, например германия, на нейтральной подложке методом микрозонной плавки с помощью электронного луча, Способ сложен и не применим для получения пленок легколетучих соединений.Предлагаемый способ заключается в том, что кристаллизацию ведут в вакууме, порядка 10 "мм рт. ст. при температуре, близкой к точке плавления полупроводникав зазоре, создаваемом плоскостями ориентированной и нейтральной подложек. При этом происходит перепечатывание эпитаксиального слоя на изолирующую подложку, изготовленную из материала, имеющего коэффициент расширения, близкий к кристаллизующемуся веществу, например сапфира или керамики.На чертеже показано устройство для...
Способ эпи1аксиального выращивания слоев полунроводниковых материалов
Номер патента: 202331
Опубликовано: 01.01.1967
Авторы: Маевска, Мартынов, Николаева, Скворцов
МПК: H01L 21/20
Метки: выращивания, полунроводниковых, слоев, эпи1аксиального
...сорбируюствора, содержание билизировать. Такоеоляет обеспечить покак легколетучих,так тов исходного испаолезном израсходовараствора. При испараствора изменение обы недо необходим количеств нты. Одно эти сп В первом случае вать очень малы гирующей компо аточно удобны. точно дозироподаваемой ле 3 Й современнои технике широкое распро странение получили методы эпитаксиального ,выращивания слоев полупроводников, состоящие в том, что пары (как правило хлориды) химических соединений т.1 е, 51 или другихэлементов (31 С 1 йеС 1 ЯНС 1 з и др.) восстанавливаются подходящим агентом, например водородом, на нагретой подложке.Для получения заданных электрофизических свойств в эпитаксиальные слои вводят легирующие примеси - атомы элементов 11 и Ч...
341115
Номер патента: 341115
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Берлин, Мильман, Тищенкоп
МПК: H01L 21/20
Метки: 341115
...также повышаег воспроизводимогть технолоического процесса по сравнению с известньм способом.Сущность изобретения поясняется черте око м11 оверхность полупроводника(см. черт.ж)подвергается тщательной очистке ц метдлли:руегс)т, 1 еталлизаццт оожет осущесгвл 5 ться напылением металла 2 на поверхность 20,тлдстинт, нанесением металла гальвациче кцм путем, пиролитическим разложении м метдллоорганических соедине;шй и др.Затем с помощью обычной фотолитогрдфиипроводится локальное травление слоя хстал.25 ;, в результате которого нд поверхности полупроводника получаются не защищенщпе металлом участки. Травитель подбирается ткцв образом, чтобы при травлении металла полу.проводник не травился. 11 осле локальна о 30 трдвления пластина полупроводника...
Контактное устройство для подключения мощных диодов и стабилитронов к измерительному прибору
Номер патента: 512515
Опубликовано: 30.04.1976
Авторы: Астахова, Балов, Маркин, Мишенькин
МПК: H01L 21/20
Метки: диодов, измерительному, контактное, мощных, подключения, прибору, стабилитронов
...подвижной кареткой, а другой конец опирается через ролик на внутреннюю поверхность кожуха измерительного прибора, а на основании устройства закрепленыэлектромагнит и микропереключатель.На фиг. 1 показано предлагаемое устройствов нерабочем положении; на фиг, 2 - то же, врабочем положении.Контактирующее устройство состоит из основания 1, жестко закрепленного на панелиприбора 2, каретки 3 с контактом - радиатором 4, пружин 5, скобы 6 из магнитомягкогоматериала, жестко соединенного с кареткой 3,переключателей 7, электромагнита 8, направляющих 9.На каретке 3 в стойке 10 из изоляционногоматериала на оси 11 закреплен рычаг 12, несущий подпружиненный контакт 13 и ролик14. Рычаг подпружинен пружиной 15. Снаружи к каретке 3 прикреплена крышка 16...
Способ получения полупроводниковых структур
Номер патента: 463394
Опубликовано: 05.01.1977
Авторы: Андреев, Егоров, Ермакова, Ларионов, Шелованова
МПК: H01L 21/20
Метки: полупроводниковых, структур
...заключается в в ращивании поверх последнеи последующем химическодополнительного слоя материала, скорость травления которого бопее,чем на порядок превосходит скорость трввпения материапа последнего рабочего слоя.Дпя выращивания в конце крции последнего рабочего сЛоя врасплав, из которого производится ее о кристаллизация, вводится веществ е463394 Составитель Н, ОстровскаяРедактор Т, Орловская Техред О, Луговая Корректор В. Куприянов Заказ 893/79 Тираж 976 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская набд. 4 Юфилиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 чивакцее кристаллизацию дополнительного слоя, После окончания эпитаксии этот слой...
Способ эпитаксиального наращивания монокристаллических слоев на неорентирующей подложке
Номер патента: 538639
Опубликовано: 05.06.1977
Авторы: Бузынин, Клыков, Кокориш, Смородина, Шефталь
МПК: H01L 21/20
Метки: монокристаллических, наращивания, неорентирующей, подложке, слоев, эпитаксиального
...вдОль Баправдении1 ХОуСогдасно предложенному способукристаллическуО пдастипу кремния Ортадни1 Х 1, толщиной ЗОООт до 13.кдасса чистоты поверхнтеь. химически снимают нарушенокисляют пластину в атмосфере кипри 98 ООС и течение ЗО мин, Засят. Ба слой Окисда фОтОрезпст и прдйт экспонирование узора, ориентировдоль направлении О.ХО пластиныде проявления и задубдивания фоторпроизводят седектнвное травдениев травнтеле состава НГ:БИО,СНСоставитель В. АникииРедактор Т. Орловская Техред А, Богдан Корректор Д, Мельничэщо Заказ 174 ОО 64 Тираж 976 Подписное ЦНИИПИ,Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/8Филиал ППП фПатентф, г. Ужгород, ул, Проектная, 4 водят вакуумное...
Сособ получени я слоев двуокиси кремния
Номер патента: 510057
Опубликовано: 25.06.1977
Авторы: Васильева, Дроздов, Репинский, Свиташев
МПК: H01L 21/20
Метки: двуокиси, кремния, получени, слоев, сособ
...слоев двуокиси кремния одинаковой толщины по всей длине изотермического кварцевого реактора.Сущность изобретения заключается в том, что процесс окисления силана ведут в избытке кислорода при мольном отношении кислорода к силану 70: 1, концентрациях силана (0,5 - 2) 10 влголь л, при скорости потока газовой смеси 19 - 20 см сек и температуре 430 - 500 С.Поскольку скорреакции окисленияцентрации кислород ость радикально-цепнои силана зависит от кона, выбираются такие условия, когда изменением этой скорости по длине реактора компенсируют наблюдаемый обычно эффект обеднения газовой смеси по силану.5Согласно предложенному способу слоидвуокиси кремния выращивают в горизонтальном изометрическом реакторе диаметром 45 лл, с зоной равномерной...
Аппарат для получения эпитаксиальных слоев полупроводниковых материалов
Номер патента: 392857
Опубликовано: 25.08.1977
Авторы: Гофштейн-Гардт, Деготь, Дененберг, Дмитриев, Дохман, Коган, Царенков, Шкармутин, Яковлев
МПК: H01L 21/20
Метки: аппарат, полупроводниковых, слоев, эпитаксиальных
...как в условиях отсутствия фазового равновесия между компонентами раствора-расплава (открытый объем), так и в условиях фазового равновесия,(закрытый, объем). Это достигается тем, что внутренняя Мамера аппарата снабжена подвижвымв герметиэиру 3 ощими пробками и расположена в температурной зоне нагревателя,На чертеже показан предлагаемый аппарат.Аппарат содержит камеру 1 с отверстиями для продувания рабочего газв, нвгре ватель 2, кварцевую трубу 3 е конически ми шлифами и пробками 4 из кварца, зв крепленными на штоках 5; Каждый шток соо. тоит иэ двух частей, соединенных между собой. полусферическим шарниром 6 и имеет ручной привод, сосгояший иэ маховика 7 и пружины 8, которая поджимает шток к трубе Э. В месте выхода из рабочей...
Способ очистки поверхности эпитаксиальных слоев, легированных кремнием
Номер патента: 513575
Опубликовано: 05.12.1977
Авторы: Марончук, Пухов, Сушко
МПК: H01L 21/20
Метки: кремнием, легированных, поверхности, слоев, эпитаксиальных
...легированнь ченных методом жидкос личаюшийс яте ворения избыточного кр шают в,раствор-расплав 3-10 вес. % алюминия галлия при 800-850 С рхностих кремнитной эпи итаксиальм, полуксии о т м, что,емния,, содери 90-9 елью р омеес, % в течение Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для получения эпитаксиальных р-и структур на основе арсенида галлия, предназначенных для изготовления ИК-светодиодов. 5Известен способ получения р-и структур из ограниченног раствора-расплава, Использование этого способа при получении сильно легированных кремнием эпитаксиальных слоев приводит к образованию на поверхности слоевО арсенида галлия дентритов кремния.Целью изобретения является получение р-п структур арсенида галлия...
Тара-спутник
Номер патента: 585563
Опубликовано: 25.12.1977
МПК: H01L 21/20
Метки: тара-спутник
...точности фиксации корпусов при- боров повышения точности взаимной фик сов в таре-спутнике, преимушест лоских корпусов полупроводнико в с выводными рамками, выполнен ной в виде ленты с отверстиями для корпусов и фиксируюших штырей, лента выполнена из жестко соединенных и сориентированных между собой выводных рамок.На чертеже изображена тара-спутник, общий вид.Она состоит из плоских корпусов 1 полупроводниковых приборов с выводными рамками 2, в которых имеются фиксирующие отверстия 3.Сборка тары-спутника осуществляется следуюшим образом.Корпусы 1 полупроводниковых приборов укладываются на штыри по фиксирующим отверстиям 3 в выводных рамках 2. Перекрываюшиеся части рамок 2 двух соседних корпусов 1 соединяются между собой контактной...
Устройство для выращивания эпитаксиальных структур из газовой фазы
Номер патента: 612316
Опубликовано: 25.06.1978
Авторы: Гольдин, Демьянец, Коробов, Куклев, Маслов, Хлебников, Юшков
МПК: H01L 21/20
Метки: выращивания, газовой, структур, фазы, эпитаксиальных
...ВГЫрац)ГВЕЕ,4 ЫХ ЭПИ т. ЯКСИЕГ 1 Ь-ных структур.1 ЦЕПЬО ИЗ О 6 ГтЕТЕНтня явпяэтся у;,Е-, т ГЧ - ,цие производительности устройства иповышение однородности параметров получаемых эпнтаксиальцых структур,Достигается это тем, что:; извесллв ном густройстве, содержащем нагреваТЕЛИ ИСТОЧНИКЕ И ПОДЛОЖКИ, ВЕРТИКЯ;тьный трубчатый реактор со штуцерамиддя ввода и вывода газа, расположенныйв нем блок для размещения подложек иустановленный параллецьцо ему блок дпяРаЗМЕШЕЦИЯ ТВЕРДЫХ ИСТОЧНИКОВ, ПРГНЕМблоки закреплены ца соосных штокахпроводящих через пх центр и связанныхс приводами для вращения и перемеще.ния, блоки для крепления источников иподложек выполнены в виде дисков, периферийная часть которых выполнена в виде плоских сплошных...
Устройство для выращивания эпитаксиальных структур из газовой фазы
Номер патента: 612317
Опубликовано: 25.06.1978
Авторы: Бочкарев, Гольдин, Коробов, Маслов, Хлебников
МПК: H01L 21/20
Метки: выращивания, газовой, структур, фазы, эпитаксиальных
...блок 10, шток 11, уппогнения 12 и 13, привод. 14, нагреватель 15, кварцевую трубку 16, штуцеры 17 и 18, смотровые окна 19 и 20, бортик . 55 21, источник 22, подножку 23, средство крепления 24, В устройстве кварцевый трубчатый реактор 1 эакаочен в метаппический водоохпаждаемый кожух 2 Граитовый бпок 5 со средством креппения 24 источников 22 выполнен в виде плоского диска с бортиками 21, ограждающими со всех сторон каждый источник, и закреппен на штоке 6, соединенном с приводом 7. Средства креппения 24 выполнены, например, в виде винта с шайбой. Над графитовым блоком 5 установлен нихромовый нагреватель 8, заключен ный в кварцевую трубку 9. Трубка 9 выполнена в виде плоской спирапи. Кварцевая трубка 9 с нагревателем 8 через уплотнение (на...
Способ селективного наращивания полупроводниковых однослойных и многомлойных эпитаксильных структур из газовой фазы
Номер патента: 519045
Опубликовано: 05.08.1978
Авторы: Коробов, Маслов, Хлебников
МПК: H01L 21/20
Метки: газовой, многомлойных, наращивания, однослойных, полупроводниковых, селективного, структур, фазы, эпитаксильных
...друга изготов ляют один или несколько источников полупроводникового вещества, поверхность которых доступна действию химического 10 транспортного реагента лишь на локальных участках, расположенных зеркально-симметрично но отношению к предлагаемому расположению эпитаксиальных остр овков на поверхности подложки. , 15Л окализацию взаимодействия химического транспортного агенства с ограниченными по форме и размеру участками источника осуществляют путем маскирования всей поверхности источника с последую щим фотолитографическим вытравливанием окон заданного размера и конфигурации, которые обнажают соответствующие участки на поверхности источника, Далее подготовленный источник сближают с очищенной 25 поверхностью подпожки и пои достаточно...
Устройство для эпитаксиального наращивания полупроводниковых материалов
Номер патента: 608376
Опубликовано: 05.02.1979
Авторы: Бочкарев, Воронин, Дроздов, Коробов, Маслов, Нечаев
МПК: H01L 21/20
Метки: наращивания, полупроводниковых, эпитаксиального
...направлении расстояние между соседними окнами остается неизменным и составляет величину 10 мкм. Таким образом доля плошадей участков, не покрытых защитной пленкой, изменяется от 26 О/о для края, где расстояние между двумя ближайшими окнами составляет 10 мкм, до 15 О/, у противоположного края,Предложенное устройство твердого источника было применено для получения эпитаксиального слоя арсенида галлия с релье фом поверхности в виде клина.Подготовленный источник и подложку закрепляют на держателях так, чтобы поверхность источника с окнами была обращена к подложке из арсенида галлия и их поверхности были плоско-параллельны и отстояли друг от друга на расстоянии 500 мкм. Держатели с источником и подложкой помешают в реактор и нагревают...
Способ изготовления электролюминесцентного экрана
Номер патента: 580772
Опубликовано: 25.03.1979
Авторы: Золотухин, Лисовенко, Литвин, Марончук
МПК: H01L 21/20
Метки: экрана, электролюминесцентного
...В связи с тем, что коэффициентпреломления сплава Се-Ав значительновыше, чем Са-Ав, выход рекомбина- )5ционного излучения через и-областиинкрустированного Са-Ав происходитс высокой квантовой эффективностью.В качестве подложек для выращивания используют моиокристаллы ЮСа-Ав п-тина ( й =10 см), нарезанные в виде тонких стержней с размерами 0,5 х 0,5 х 50 ьы, боковые плоскости которых ориентированы в направлении 100. Стержни собирают в пакет сзазором 0,8 мм, который определяетсяграфитовыми (или арсенид галлиевыми)прокладками,Полученный пакет нрн Т = 920 Сзаполняют раствором - расплавом галлия насыщенного мышьяком и 0,4 вес.кремния, после чего проводят принудительное охлаждение его со скоростью 1,5 /мин, При этом наращивается,слой...
Способ получения варизонных структур
Номер патента: 586758
Опубликовано: 25.03.1979
Авторы: Марончук, Масенко, Сушко
МПК: H01L 21/20
Метки: варизонных, структур
...слой толщйной 2-3 мкм.После повторения циклов растворениерост 15-20 раз вблизи поверхностинаблюдался состав, близкий к 1 пР, 10 Предлагаемый способ позволяет получать вариэонные структуры с профилем распределения ширины запрещеннойзоны, регулируемым в широких пределахс высокой степенью воспроизводимости.Он может быть использован для создания, варизониых слоев на многочисленных материалах например на основетвердых растворов типа А -В" -А" -В",А -В" -АфВ, дефектных полупроводников, четверных систем и др. Формула изобретения 3слоя иа обеих подложках. Однако из-заразличия удельных весов компонентоврасплава и с возникновением в связис этим, конвективной диффузии компонентов в растворе - раславе, помещенном в силовое поле,...
Способ изготовления электролюминесцентного экрана
Номер патента: 655257
Опубликовано: 05.09.1979
Авторы: Золотухин, Лисенкер, Марончук
МПК: H01L 21/20
Метки: экрана, электролюминесцентного
...разныхсторонах табло, этим существенноповышается КПД табло, Таким способом также достигается хорошая контрастность изображения за счет того,что каждый элемент табло окружен металлом, Такая конструкция решает ипроблему теплоотвода, что в свою очередь позволяет экрану работать сбольшой светоотдачей, т,е, одновременно включать большое число элементов,Предлагаемый способ позволяетупростить технологию изготовлениятабло, получить значительную экономиюисходного полупроводникового материала, так как нет необходимости, например, стравливать значительнуючасть полупроводника, кроме того,разрезание р - и-переходов большихплощадей на стержни позволяет существенно увеличить полезную плошадь полупроводникк ов ого матери ал а,П р и м е р. На подложках...
Способ осаждения слоев теллурида цинка
Номер патента: 625509
Опубликовано: 23.12.1984
Авторы: Симашкевич, Циуляну, Чукова
МПК: H01L 21/20
Метки: осаждения, слоев, теллурида, цинка
...в ампулу подложки и вещества, из расплава которого производят осаждение, откачку и отпайку ампулы, нагрев ее до температуры растворения и выдержку при постоянной температуре, после 35 дующую эпитаксию в процессе понижения температуры с определенной скоростью, слив раствора с подложки и освобождение подложки со слоем от остатков растворителя 2 . Способ позволяет получать слои теллу рида цинка из раствора в расплаве металлов висмута и цинка. мещают в один конец графитовой лодочки, а подложку - в другой ее конец. Лодочку помещают в кварцевую ампулу, которую откачивают и отпаивают, Систему нагревают до температуры 950-1050 С. При такой температуре в течение 1 ч проводят растворение теллурида цинка, Затем лодочку наклоняют и заливают...
Способ получения полупроводниковых эпитаксиальных структур
Номер патента: 723986
Опубликовано: 23.12.1985
Авторы: Белов, Кондратьева, Эрлих, Юшков
МПК: H01L 21/20
Метки: полупроводниковых, структур, эпитаксиальных
...описанием примера его осуществления.П р и м е р 1, Проводят обработку слитка кремния (ЭКЭС,01-86) диаметром 40 мм до резки последнего на пластины. Слиток разрезают на три части (а, б, в). Боковая поверхность слитка (части а) шлифуется на круглошлифовальном станке алмазным инструментом с номинальным размером зерна 40 мкм (нарушенный слой 20-25 мкм). Часть слитка б подвергают травлению в полирующем травителе типа СРдля удаления нарушенного слоя. Часть слитка в (ростовая поверхность слитка) шлифуют алмазным абразивом с номинальным размером зерна 10 мкм, Затем по известной технологии изготавливают пластины кремния толщиной 250 мкм, ориентации (11 1)2, Процесс эпитаксиального наращивания осуществляют методом восстановления четырех-...
Устройство для крепления полупроводниковых подложек
Номер патента: 343324
Опубликовано: 15.10.1989
Автор: Кузнецов
МПК: H01L 21/20
Метки: крепления, подложек, полупроводниковых
...разогреваемой полупроводниковой подложки 1 помещены между двумя парами брусков 2 и 3 кремния. При по 5 мощи металлических зажимов 4 токоподводящие металлические пластины 5 и 6 зажимают концы брусков; Токоподводя щие пластины подсоединены к источнику 10 электрического тока.Бруски изготовлены из низкоомного, вырожденного кремния, Это объясняется тем, что с уменьшением удельного сопротивления полупроводника уменьшает ся и сопротивление области его контак. та с металлом. Размеры брусков выбирают такими, чтобы нагрев металлических токоподводящих пластин за счет тепловыделения на самих брусках и путем теплопроводности от подложки был наименьшим, так при нагревании образцаокремния до 1400 С контакты нагреваются до 200 С. Градиент...
Способ изготовления кремниевого узла прибора
Номер патента: 1691908
Опубликовано: 15.11.1991
Авторы: Косогоров, Макеев, Михайлов, Шпилев
МПК: H01L 21/20
Метки: кремниевого, прибора, узла
...прочностных (усилие разрушения), эксплуатационных (количество термоциклов) и,8 60 24 оставитель Е. Пановехред М.Моргентал Корректор А.Осауленк Каленска Реда кто Заказ 3932 Тираж ПодписносВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при гК113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 СССР Производс 1 венно издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101 стояние от края пластины менее 1 глм рекристаллизационного кремния может выйти на торец соединяемых деталей, что приводит к разрушению узла,Г 1 р и м е р, На пластинах из монокристаллического кремния КЭФ 4,5 ориентации (100) толщиной 300 мкм,0 60 мм с двусторонней полировкой формировали полости путем группового травления в 30; кипящем растворе едкого кали (КОН),...
Способ получения ориентированных пленок кремния на окисленном кремнии методом боковой эпитаксии
Номер патента: 1724744
Опубликовано: 07.04.1992
Авторы: Лиманов, Молоствов, Пашкуденко
МПК: C30B 13/00, C30B 29/06, H01L 21/20 ...
Метки: боковой, кремнии, кремния, методом, окисленном, ориентированных, пленок, эпитаксии
...глубину. В случае использования в окрестности затравочных окон пленок кремния толщиной более 0,8 мкм плавление подложки практически не имеет места. Если ширина участка с повышенной толщиной пленки кремния меньше 10 мкм (по 3 мкм с двух сторон затравочного окна и 4 мкм ширина окна), теплоотвод от затравочного окна осуществляется недостаточно эффективно. Увеличение ширины затравочного окна также приводит к снижению эффективности способа, Толщина пленки на этих участках выбирается исходя из того, что, если она превышает толщину пленки на рабочих участках менее, чем в 1,5 раза, не удается избежать локального плавления подложки. Максимальное значение отношения толщин пленки кремния используется для пленок толщиной около 0,2 мкм и...
Способ изготовления структур кремний на диэлектрике
Номер патента: 1570550
Опубликовано: 07.03.1993
МПК: H01L 21/20
Метки: диэлектрике, кремний, структур
...укрупнения зерен и анизотропии скорости1 их окисления, По мере увеличения толщины окисла скорость нарастания шероховатости падает. Поэтому в ряд 6конкретных случаев проводят двойнуютермообработку вместо одинарной, причем выросший после лервой термообра,ботки окисел удаляют.Другое отличие состоит в удалении 30слоя поликремния с нерабочей стороныподложки, что увеличивает эффективность .нагрева подложки и уменьшаетвероятность ее проплавления.П р и м е р, На пластине кремния . 35КЭФ 4,5 (100) в среде влажного кислорода при.температуре 1000 С выращива- .ют слой изолирующего окисла кремниятолщиной 1,5 мкм, поверх которого"вреакторе пониженного давления пиролиозом моносилана при температуре 620 .Снаращивают слой поликристаллическогокремния...
Способ изготовления локальных эпитаксиальных структур фосфида индия
Номер патента: 1373232
Опубликовано: 10.01.1996
Авторы: Авдеев, Колмакова, Матвеев, Пащенко
МПК: H01L 21/20
Метки: индия, локальных, структур, фосфида, эпитаксиальных
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЛОКАЛЬНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР ФОСФИДА ИНДИЯ, включающий создание защитной маски, формирование углублений в подложке, удаление защитной маски и эпитаксиальное заращивание углублений в подложке, отличающийся тем, что, с целью улучщения качества локальных эпитаксиальных структур за счет устранения высокоомного слоя в переходной области подложка - эпитаксиальный слой, перед эпитаксиальным заращиванием углублений подложку обрабатывают в плавиковой кислоте при 80 - 106oС в течение 5 - 15 мин.
Способ изготовления полупроводниковых интегральных схем
Номер патента: 760837
Опубликовано: 27.03.1996
Авторы: Власов, Кокин, Манжа, Чистяков, Шварц
МПК: H01L 21/20
Метки: интегральных, полупроводниковых, схем
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование областей скрытого слоя противоположного типа проводимости подложке, маскирование подложки диэлектрической пленкой, вскрытие в ней окон, эпитаксиальное наращивание, диффузию примеси одного типа проводимости с подложкой для формирования базовых областей, диффузию примеси привоположного типа проводимости по отношению к подложке для формирования эмиттера, вскрытие контактных окон, металлизацию, отличающийся тем, что, с целью уменьшения размеров элементов, сокращения технологического цикла и повышения процента выхода годных, вскрытие окон в диэлектрической пленке проводят по периметру скрытого слоя и внутри его, а диффузию примеси для формирования базовых областей...
Способ формирования пучка нейтральных атомов и устройство для его осуществления
Номер патента: 1672865
Опубликовано: 20.04.1996
Авторы: Богдевич, Дмитриев, Клокотов, Кузнецов, Никонов, Советов
МПК: G21K 1/06, H01L 21/20
Метки: атомов, нейтральных, пучка, формирования
1. Способ формирования пучка нейтральных атомов, основанный на резонансном взаимодействии их в вакууме с полем стоячей световой волны когерентного излучения частотой 1 и полем бегущей световой волны охлаждающего излучения 2, частоты которых смещены в длинноволновую область относительно частоты линии разрешенного перехода в спектре поглощения атомов пучка, отличающийся тем, что, с целью получения гомоцентрического монохроматического пучка, допускающего стигматический перенос изображения, атомы разгоняют до постоянной скорости V, воздействуя на них дополнительно световой волной частотой...
Способ получения варизонных структур с p-n переходом
Номер патента: 689467
Опубликовано: 10.11.1999
Авторы: Золотухин, Марончук, Сушко, Якушева
МПК: H01L 21/20
Метки: варизонных, переходом, структур
Способ получения варизонных структур с p-n переходом, основанный на изотермическом смешивании растворов-расплавов при диффузии высокоактивного компонента через узкую щель в слой бинарного расплава, легированного амфотерной примесью, покрывающего перемещающуюся подложку, отличающийся тем, что, с целью получения высокоэффективных излучательных p-n переходов с контролируемой глубиной залегания и получения на их основе приборов с различными характеристиками, изменяют температуру наращивания до достижения состава варизонной структуры, соответствующего точке инверсии амфотерной примеси, на различной толщине структуры, причем температуру наращивания выбирают на 50 - 150 градусов ниже точки...
Способ изготовления приборов на основе полупроводников типа iiibv
Номер патента: 762636
Опубликовано: 10.11.1999
Авторы: Золотухин, Марончук, Сушко, Якушева
МПК: H01L 21/20
Метки: iiibv, основе, полупроводников, приборов, типа
Способ изготовления приборов на основе полупроводников типа AIIIBV путем жидкостной эпитаксии из двух насыщенных растворов-расплавов, одним из которых, составленным на основе бинарной системы с низкоактивным компонентом и добавкой амфотерной примеси, покрывают подложку, а другой, составленный на основе трехкомпонентной системы, приводят в контакт с первым через систему отверстии, перемещающихся относительно подложки, отличающийся тем, что, с целью получения многоэлементных приборов, повышения квантовой эффективности и расширения спектрального диапазона приборов, периодически изменяют температуру проведения процесса на 15 - 30o от номинального значения за...
Источник галлия для газотранспортной эпитаксии арсенида галлия
Номер патента: 531430
Опубликовано: 20.05.2000
Автор: Сидоров
МПК: H01L 21/20
Метки: арсенида, газотранспортной, галлия, источник, эпитаксии
1. Источник галлия для газотранспортной эпитаксии арсенида галлия, представляющий собой кварцевую лодочку закрытого типа, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности работы и уменьшения времени насыщения источника, в отверстие источника опущен капилляр, имеющий на другом конце развитую поверхность контакта с газовой фазой.2. Источник по п.1, отличающийся тем, что капилляр образован близкорасположенными пластинами из материала, смачиваемого галлием, например вольфрама, имеющего отверстия в верхнем конце пластины.3. Источник по п.1, отличающийся тем, что капилляр образован спиралью, намотанной на пластину.
Способ получения слоев двуокиси кремния
Номер патента: 676100
Опубликовано: 20.06.2000
МПК: H01L 21/20
Метки: двуокиси, кремния, слоев
Способ получения слоев двуокиси кремния посредством окисления моносилана кислородом в потоке газа-носителя в горизонтальном трубчатом реакторе, отличающийся тем, что, с целью повышения равномерности слоев двуокиси кремния по длине реактора, процесс проводят при равномерно возрастающей температуре 0,3 - 3oC/см по направлению движения газового потока в интервале температур 300 - 450oC.