Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика — SU 1147205 (original) (raw)
Описание
Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика, включающий формирование слоя двуокиси кремния толщиной менее 50 нм путем термического окисления монокристаллической пластины кремния n-типа проводимости ориентации (100) при температуре 900-1100°С и отжиг в атмосфере инертного газа при температуре окисления, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов, слой двуокиси кремния формируют толщиной 20-40 нм, а отжиг проводят в атмосфере аргона с добавлением 0,5-10 об.% кислорода.
Заявка
3642139/25, 11.07.1983
Физико-технический институт АН БССР
Румак Н. В, Хатько В. В, Плотников В. Н
МПК / Метки
МПК: H01L 21/316
Метки: диэлектрика, подзатворного, создания, тонкого
Опубликовано: 27.05.2012