Подзатворного — Метка (original) (raw)

Патенты с меткой «подзатворного»

Способ обнаружения пробоя подзатворного диэлектрика транзистора в мдп интегральных схемах

Номер патента: 601639

Опубликовано: 05.04.1978

Метки: диэлектрика, интегральных, мдп, обнаружения, подзатворного, пробоя, схемах, транзистора

...гальзанпческой связи между исследуемыми электрола:ш затвора; стока (истока) не является препятствием для ;рцмененпя данного способа, так как Определяется це абсолютная величина тока че)ез индикатор, а только его изменение. Отсутствие контактирования с затвором исключает поВреждение подзатворного диэлектрика прц контактировании и ооеопечивает неразрушаощий контроль.На чертеже показаны элементы интеральной схемы с подключенными источчиками питания и индикатором тока, поясняощие использование способа обнаружения пробоя подзатворного диэлектрика транзистора в МДП ИС согласно данному изобретению.МР)кду Выводасми легрова нцсй Ооластп стока (истока) 1 и тОдлоикп 2 исслелуемого МДП транзистора включен,пе;)вь:й цсточцитс питания 3, Затвор 4...

Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика

Номер патента: 1147205

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Плотников, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/316

Метки: диэлектрика, подзатворного, создания, тонкого

Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика, включающий формирование слоя двуокиси кремния толщиной менее 50 нм путем термического окисления монокристаллической пластины кремния n-типа проводимости ориентации (100) при температуре 900-1100°С и отжиг в атмосфере инертного газа при температуре окисления, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов, слой двуокиси кремния формируют толщиной 20-40 нм, а отжиг проводят в атмосфере аргона с добавлением 0,5-10 об.% кислорода.

Способ создания подзатворного диэлектрика

Номер патента: 1282767

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Плотников, Румак, Хатько, Ясников

МПК: H01L 21/316

Метки: диэлектрика, подзатворного, создания

Способ создания подзатворного диэлектрика, включающий нагрев кремниевых пластин от контактной температуры до температуры окисления, формирование подслоя двуокиси кремния толщиной (7-12) нм термическим окислением пластин кремния при 900-1100°С и доокисления в атмосфере Ar-O2-HCl, содержащей (10-50) об.% кислорода при соотношении расходуемых объемов HCl/O 2 = 0,01-0,04, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов за счет повышения качества подзатворного диэлектрика, подслой двуокиси кремния формируют в атмосфере Ar-O 2-HCl, содержащей (10-50) об.% кислорода и HCl не более 0,6 об.%.

Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика

Номер патента: 1233731

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Плотников, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/316

Метки: диэлектрика, подзатворного, создания, тонкого

Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика, заключающийся в формировании слоя двуокиси кремния толщиной менее 50 нм путем термического окисления монокристаллического кремния в атмосфере аргона, содержащей кислород, отличающийся тем, что, с целью увеличения коэффициента выхода годных МОП-структур путем улучшения их зарядовых свойств за счет повышения качества структуры окисла, окисление проводят до получения электронографически аморфного окисного слоя толщиной, определяемой из соотношений для подложек кремния n-типа проводимости с ориентацией (100)и(2+0,25)·

Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика

Номер патента: 1225430

Опубликовано: 27.06.2012

Авторы: Плотников, Румак, Хатько, Ясников

МПК: H01L 21/316

Метки: диэлектрика, подзатворного, создания, тонкого

Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика, включающий нагрев кремниевых пластин от комнатной температуры до температуры окисления, формирование подслоя двуокиси кремния термическим окислением пластин кремния при 900-1100°С в атмосфере Ar-O2 и доокисления в атмосфере, содержащей хлористый водород, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных приборов за счет повышения качества окисла, подслой двуокиси кремния толщиной 7-12 нм формируют последовательным повышением температуры до температуры окисления в течение 20-50 мин в атмосфере, содержащей 0,5-10 об.% кислорода и выдержкой в течение 3-45 мин в атмосфере, содержащей 10-50 об.% кислорода, а доокисление...

Способ изготовления подзатворного диэлектрика моп-приборов

Номер патента: 1345967

Опубликовано: 27.06.2012

Авторы: Беневоленский, Канищев, Костюченко, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/316

Метки: диэлектрика, моп-приборов, подзатворного

Способ изготовления подзатворного диэлектрика МОП-приборов, включающий формирование на поверхности полупроводниковой подложки слоя диоксида кремния методом термического окисления, нанесение слоя фосфорно-силикатного стекла, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических характеристик приборов путем уменьшения сквозной микропористости слоя диоксида кремния, слой диоксида кремния формируют толщиной (0,08-0,15)·10-6 м, на его поверхность наносят методом физического осаждения слой молибдена толщиной (0,07-0,3)·10-6 м и перед нанесением слоя фосфорно-силикатного стекла указанный слой молибдена стравливают.