273176 — SU 273176 (original) (raw)
Текст
223126 Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваКл. 12 д 17/00 Заявлено 03,11,1969 ( 1302576/23-26с присоединением заявкиПриоритет Комитет по делам зобретениИ и открытиИ при Совете Министров СССРМПК В ОЦ 17/00УДК 548,55(088.8) оллетень20 19 икован ата опубликования описания 17.1 Х.1970 Авторыизобретения аков, М. В, НеклюдА. Федоров и Н, П. Икадемии наук СССРкристаллографии Ак ва-Классенльин Заявит и Специально демин наук СС РУ СПОСОБ УПРОЧНЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛ 2 немет изобрете Х. С. Багдасаров, Н. И. СВ, Г. Говорков, Е нститут кристаллографии рукторское бюро институт Изобретение относится к спосооам получения армированных монокристаллов корунда,которые могут быть использованы, например,для изготовления жаростойких и жаропрочныхсиловых элементов. 5Известен способ упрочнения монокристаллов корунда,путем введения примесей, изменения дислокационной структуры,Основным недостатком известного способаявляется недостаточно высокая прочность монокристаллов корунда.Для устранения этого предложено в процессе кристаллизации в монокристалл вращивать высокопрочную и более тугоплавкую арматуру со скоростью кристаллизации 4 - 1516 мм/час при температуре расплава 2050 -2150 С с последующим охлаждением до комнатной температуры в течение 3 - 5 час.П р и м е р. В кристаллизационный сосуд (например, лодочку, изготовленную из молибдена) помещают затравочный кристалл, за которым располагают арматуру, температураплавления которой выше точки, плавленияА 1,0 з. Свободное пространство в объеме лодочки заполняют шихтой и производят направ ленную кристаллизацию в вакууме 10 - д лтм рт. ст. или среде инертного газа с избыточным давлением0,1 атм при нагреве расплава до температуры 2050 - 2150 С. При размерах лодочки, например, 60)(150(10 мм, скорость роста армированного вольфрамовой сетксй кристалла корунда составляет 4 - 16 мм(час,При испытании на изгиб при температуре 1500 - 1700 С предел текучести армированных вольфрамовой сеткой кристаллов корунда в полтора-два раза выше предела текучести армированных кристаллов. Способ упроччения монокристаллов корунда, отличающийся тем, что, с целью повышения прочности монокрисгаллов корунда, в процессе кристаллизации в монокристалл вращивают высокопрочную и более тугоплавкую арматуру со скоростью кристаллизации 4 - 16 мм(чпс при температуре расплава 2050 - 2150 С с последующим охлаждением до комнатной температуры в течение 3 - 5 час,
Заявка
1302576
С. Багдасаров, Н. И. Седанов, М. В. Неклюдова Классбн, В. Г. Говорков, Е. А. Федоров, Н. П. Ильин, Институт кристаллографии Академии наук СССР, Специальное конструкторское бюро института кристаллографии Академии наук СССР
МПК / Метки
МПК: C30B 11/02, C30B 29/20
Метки: 273176
Опубликовано: 01.01.1970