Оксиды алюминия — C30B 29/20 — МПК (original) (raw)
Аппарат для получения корунда и т. п. искусственных камней
Номер патента: 28905
Опубликовано: 31.01.1933
Авторы: Ильин, Кнапский, Федоров
МПК: C30B 11/10, C30B 29/20
Метки: аппарат, искусственных, камней, корунда
...обойма 1 б для проводки светильного газа к горелке, состоящая из двух кольцевых упоров, куда в ставлены восемь латунных трубок и ., снаружи их надета еще одна латунная трубка, на которую надета рубашка 77 с наконечником-колпачком 79, Кожух в зависимости от требуемого объема светильного газа для горения или опускается книзу или поднимается кверху посредством кольца с нарезкой 17 а. Наверху обоймы установлен приемник 12 светильного газа с укрепляющей гайкой 15, имеющей асбестовый сальник и штуцер 13; для подводки светильного газа посред. ством шланга в приемнике 12 имеется предохранительный шарик 14.Весь аппарат на специальном каркасе или доске, покрытой асбестом, вешается на стену на кронштейнах 20 и 21.Для равномерной подачи...
273176
Номер патента: 273176
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Багдасаров, Говорков, Ильин, Институт, Неклюдова, Седанов, Специальное, Федоров
МПК: C30B 11/02, C30B 29/20
Метки: 273176
...введения примесей, изменения дислокационной структуры,Основным недостатком известного способаявляется недостаточно высокая прочность монокристаллов корунда.Для устранения этого предложено в процессе кристаллизации в монокристалл вращивать высокопрочную и более тугоплавкую арматуру со скоростью кристаллизации 4 - 1516 мм/час при температуре расплава 2050 -2150 С с последующим охлаждением до комнатной температуры в течение 3 - 5 час.П р и м е р. В кристаллизационный сосуд (например, лодочку, изготовленную из молибдена) помещают затравочный кристалл, за которым располагают арматуру, температураплавления которой выше точки, плавленияА 1,0 з. Свободное пространство в объеме лодочки заполняют шихтой и производят направ ленную...
Способ повышения прочности механически обработанных изделий из кристаллов корунда
Номер патента: 284981
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Акуленок, Багдасаров, Байков, Говорков, Ильин, Институт, Классен, Лобачев, Рогов, Специальное, Федоров, Хаимов, Чернышева, Яшин
МПК: C30B 29/20, C30B 33/00
Метки: корунда, кристаллов, механически, обработанных, повышения, прочности
...из них изделий.Однако во время дальнейшего иапользования полученных изделий, например в качестве часовых камней, наблюдается большой покол их вследствие образования на поверхности при механической обработке аморфного наклепанного,слоя, содержащего царапины и микротрещины, которые значительно снижают ,прочность изделий из кристаллов корунда.Для повышения выхода качественньох механически обработанных изделий из кристаллсв корунда предлагается термообработку последних проводить в замкнутом объеме жаростойкого контейнера, например из лейкосапфира при 1200 - 1300 С в течение 0,5 - 1 час со скоростью нагрева и охлаждения 400 - 500 град/час при вакууме приблизительно 5 10 з мм рт. ст.П р и м е р. Механически обработанные изделия из...
Способ получения нитевидных кристаллов а-окиси
Номер патента: 404502
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: C01F 7/02, C30B 25/00, C30B 29/20, C30B 29/62 ...
Метки: а-окиси, кристаллов, нитевидных
...вырастают нитевидные кристаллы окиси алюминия. 15 едмет из ения 1. Сполов а-ок0 тем вдальнейштем, что,сталловпроцесса5 зуют алю2. Спопроцесспаом теричсм0 2200 С. Изобретение относится к способу получеия нитевидных кристаллов а-окиси алюминия, которые могут быть применены для армирования металлических, полимерных и керамических материалов.Известен способ получения нитсвидных кристаллов и-окиси алюминия в атмосфере водорода путем восстановления окиси алюминия с дальсйшим охлаждеисм.Характерной особенностью этого способа является низкая производитсльность.и невысокое качество получаемых кристаллов,С целью повышения качества кристаллов и производительности процесса в качестве восстановителя используют алюминий, Процесс проводят в...
184103
Номер патента: 184103
Опубликовано: 25.10.1974
Автор: Рыжков
МПК: B23P 15/28, C30B 29/20
Метки: 184103
...или фильер и тому подобного инструмента, например из твердого сплава, широко применяемые в машиностроении.Предлагаемые пластинки для режущего инструмента или фильер и тому подобного инструмента отличаются тем, что они выполнены из искусственного, предварительно отожженного, монокристалла корунда, например рубина (сапфира и лейкосапфира), и вырезаны по направлениям, определяемым кристаллической решеткой, для придания им наибольшей твердости. Это позволяет использовать их в режущем инструменте вместо алмазов.Слитки из рубина, сапфира и лейкосапфира разрезают на пластинки по направлениям, определяемым ориентированной кристаллической решеткой, вследствие явления эпизотропии твердости относительно оптической оси кристалла, имеющего место...
Способ загрузки шихты окиси алюминия и устройство для его осуществления
Номер патента: 1147774
Опубликовано: 30.03.1985
Авторы: Алешкин, Епифанов, Зименкова, Масляков, Стрельников, Суздаль, Цуранов
МПК: C30B 11/10, C30B 29/20
Метки: алюминия, загрузки, окиси, шихты
...последнего питателя сигнал с элемента контроля обеспечивает прекращение подачи шихты в пневмопровод, выгрузку шихты иэ питателей в кристаллизационные аппараты и подачу избытка шихты в исходную емкость, 1 ОНедостатком способа и устройства для его осуществления является его сложность из-за наличия дополнительного питателя для каждого кристаллизационного аппарата и специального механизма (например,вибратора) для равномерного заполнения стакана крис таллизационного аппарата, причем при выгрузке из питателя она попадает в кристаллизационный аппарат в уплот ненном состоянии, что затрудняет ее дальнейшую подачу на затравку кристалла, а последовательное заполнение бункеров снижает производительность труда за счет значительного увеличе...
Способ обработки монокристаллов корунда
Номер патента: 1111515
Опубликовано: 30.04.1985
Авторы: Атабекян, Винецкий, Геворкян, Езоян, Ерицян
МПК: C30B 29/20, C30B 33/00
Метки: корунда, монокристаллов
...эл/см температура 1073 К) зачастую приводят к возникновению дефектов в виде дислокационных петель из междоузельных катионов.Целью изобретения является повышение прозрачности монокристаллов вультрафиолетовой области спектра.Поставленная цель достигается тем,что в известном способе обработкимонокриста лов корунда, К -А 1 п 03включающем облучение их потокомэлектронов, обработку ведут потокомэлектронов с энергией 2 ф 10б5 10 эВ дозой 10 - 10 эл/см .Повышение прозрачности достигается благодаря тому, что при облучениикристалла малыми дозами высокоэнергетичных электронов происходит разрушение или изменение зарядового состояния структурных дефектов. Структурные дефекты, например вакансиии междоуэельные ионы, возникают впроцессе выращивания...
Способ удаления налета с поверхности профилированных кристаллов сапфира
Номер патента: 1172946
Опубликовано: 15.08.1985
Авторы: Багдасаров, Затуловский, Мунчаев, Цивинский
МПК: C30B 29/20, C30B 33/00
Метки: кристаллов, налета, поверхности, профилированных, сапфира, удаления
...- 0,2 ч приводит к растворению осевших из пара металлов, 20основных и атмосферных окислов,Прополаскивание в концентрированном растворе ИНОН при комнатнойтемпературе 0,5 - 0,7 ч способствуетрастворению кислотных и атмосферныхокисловОтжиг на воздухе при 800-1000 С соответственно в течение 1,5-0,5 ч приво"дит к возгонке летучих соединений,которые, в частности, могут образоваться при взаимодействии налетас воздухом.Химический состав налета практически не исследован, однозначно определить химические и физические про- З 5цессы, происходящие при этих обработках, в наст.вящее время не представляется возможным.Вне указанных режимов обработкане приводит к получению поверхности 40нужного качества, Увеличение темпе 6 гратуры травления выше 80 С,...
Способ приготовления пудры окиси алюминия для выращивания монокристаллов корунда методом вернейля
Номер патента: 324781
Опубликовано: 23.09.1985
Авторы: Дербенева, Зверев, Зубкова, Цейтлин
МПК: C30B 11/10, C30B 29/20
Метки: алюминия, вернейля, выращивания, корунда, методом, монокристаллов, окиси, приготовления, пудры
...пудры окиси алюминия для выращивания монокристаллов корунда, которые могут быть использованы в ювелирной и,часовой промышлен ности, а также в других областях, где требуются окрашенные качественные кристаллы корунда.Известен способ приготовления пудры окиси алюминия для выращивания 1 О монокристаллов корунда и рубина методди Вернейля путем совместного осакд 4 ния исходных компонентов с последующим отжигом полученного продукта при высокой температуре. 15Недостатками известного способа являются низкие концентрации легирующих добавок, низкие .скорость выращивания и выход качественных кристаллов, а также сложность получения рО различных оттенков монокристаллов.По предлагаемому способу в исходную шихту вводят фторид алюминия в...
Способ выращивания монокристаллов тугоплавких окислов
Номер патента: 1599447
Опубликовано: 15.10.1990
Авторы: Бодячевский, Бойко, Данько, Катрич, Самсонов
МПК: C30B 11/02, C30B 29/20
Метки: выращивания, монокристаллов, окислов, тугоплавких
...включают механизм, и контейнер перемещается со скоростьюпротяжки 8 мм/ч, В течение всего процЕсса уровень концентрат.и примесейпОддерживается на уровне, не превышающем уровень концентраций, достигнутый в ходе нагрева шихты. Процесскристаллизации проводится при постоянных значениях мощности нагрева и скорости перемещения контейнера, После 15окончания кристаллизации проводитсяотжиг путем снижения мощности от еезиачения в процессе кристаллизации(12,5 кВт) до нуля в течение 16 ч 20Полученный кристалл характеризуется отсутствием тиндалевского рассеяния и луче гелий-неонового лазера,Способ выращивания монокристаллов тугоплавки окислов, включающий нагрев и расплавление шихты в молибденовом контейнере в тепловом узле из углеграфитовых...
Способ обработки шихты из алюмоаммонийных квасцов для выращивания кристаллов корунда
Номер патента: 1604872
Опубликовано: 07.11.1990
Авторы: Епифанов, Суздаль, Цуранов, Шевченко
МПК: C30B 29/20
Метки: алюмоаммонийных, выращивания, квасцов, корунда, кристаллов, шихты
...степени ее загрязнения, вкачестве неконденсированной среды используют водяной пар, нагретый до 95 - 120 С,давление поднимают до 150 - 200 кПа, а и роцесс проводят в течение 5-10 мин. аемыйть сте- тепени ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯПРИ ГКНТ СССР(56) Авторское свидетельство СССРМ 1189831, кл, С 04 В 7/00, 1984,Авторское свидетельство СССРМ 1024563, кл. Е 02 Р 5/30, 1981,(54) СПОСОБ ОБРАБОТКИ ШИХТЫ ИЗАЛЮМОАММОНИЙНЫХ КВАСЦОВ ДЛЯВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ КОРУНДА Изобретение относится к области выращивания кристаллов, в частности к способам обработки алюмоаммонийных квасцов при приготовлении шихты для выращивания монокристаллов корунда.Целью изобретения является повышение степени измельчения шихты при снижении степени ее...
Способ выращивания монокристаллов корунда методом киропулоса
Номер патента: 768052
Опубликовано: 23.02.1991
Авторы: Ломов, Мусатов, Папков, Суровиков
МПК: C30B 17/00, C30B 29/20
Метки: выращивания, киропулоса, корунда, методом, монокристаллов
...процесса. По мере ростакристалла расплав постепенно втягивается снизу внутрь обечайки силамиповерхностного натяжения, При определенных условиях уровень расплава между стенкой тигля и обечайкой можетравномерно распределяться по периметру и к моменту завершения процессакристаллизации понижаться до дна тигля, т,е, полностью переходить внутрьобечайки. Наличие расплава вокругобечайки способствует уменьшению температурного градиента на фронте кристаллизации, а равномерный уровеньрасплава благоприятствует выравниваниютеплового поля и уменьшению градиентаскорости кристаллизации по периметру,Тем самым устраняются условия захватакристаллом пузырей. Благодаря капиллярному эффекту малейшие зазоры между стенкой обечайки и поверхностьюрастущего...
Способ получения монокристаллических лент сапфира
Номер патента: 1345682
Опубликовано: 15.04.1991
Авторы: Алябьев, Артемов, Буланов, Папков, Перов
МПК: C30B 15/34, C30B 29/20
Метки: лент, монокристаллических, сапфира
...Выход основной Фракции составляет 52%, а трудоемкость измельчения1 кг исходного материала составляетО, 1 Н/ч.Повторный нагрев отделенной хруп" ной фракции с последующим сбросом ее в воду, измельчением и просеиванием через набор сит увеличивает суммарный выход годного до 80%.После операции измельчения исходный материал загружают в тигель, при этом возможно испольэовать фракцию любого размера, а основную Фракцию загружают в подпиточный бункер. Камеру установки "Спектр с реэистивным нагревом вакуумируют приблизительно до 1 10мм рт.ст. и лоднимавт мощность до расплавления корунда в тигле. Предварительно, при достижении температуры в камере 1200 С в камерунапускают инертный газ Ат до давленияО,О атм. После расплавления корунда производят...
Способ контроля качества профилированных монокристаллов корунда
Номер патента: 1641901
Опубликовано: 15.04.1991
Авторы: Коневский, Кривоносов, Литвинов
МПК: C30B 29/20, C30B 33/02
Метки: качества, корунда, монокристаллов, профилированных
...в таблице данные имеют следующие обозначения: Т - температура отжига; Р - парциальное давление кислорода в зоне отжига; т 1 - время разогрева печи; х - время изотермической выдержки; тз - время снижения температуры; х 4 - время инерционного охлаждения; М - энергетические затраты по сравнению с прототипом; К - коэффициент скрытого брака.Печь нагревают в течение времени т 1 до температуры Т и выдерживают при этой температуре в течение времени г 2, после чего выключают нагрев, и печь инерционно остывает до комнатной температуры в течение времени гз . Затем извлекают из печи отожжейные образцы и визаульно контролируют наличие инородной фазы (помутнение кристаллов),При сравнении результатов отжига основными показателями...
Устройство для выращивания монокристаллических лент сапфира
Номер патента: 1213781
Опубликовано: 23.04.1991
Авторы: Алябьев, Папков, Перов, Шевченко
МПК: C30B 15/34, C30B 29/20
Метки: выращивания, лент, монокристаллических, сапфира
...диаметру графитового нагревателя 5. Этот цилиндр вставляютвнутрь графитового нагревателя 5.Затем собирают устройство из графи"тоного нагревателя 5 с молибдено"ным цилиндром, пьедестала 4 и экранон 7. С помощью резистивиого нагрева графитового нагревателя 5 совставленным в него цилиндром подннмаот темйературу до2000 С и выдерживают в течение 0,5-1 ч. Приэтой температуре происходит интенсивная диффузия углерода в молибденовый цилиндр, взаимодействие егос молибденом с образованием слоя 6,карбида молибдена. При,этом давление паров углерода падает с 10 до.в1 0 " атм , т , е . уменьшается на три порядка .Спой 2 вольфрама на внешнюю поверхность молибденового тигля нано"сят при помощи плазменно-дуговойгорелки при 4 5000 С с использованием 3781...
Способ окраски лейкосапфира
Номер патента: 1686045
Опубликовано: 23.10.1991
Авторы: Заславская, Чижов
МПК: C30B 29/20, C30B 31/02, C30B 33/02 ...
Метки: лейкосапфира, окраски
...оксид никеля, для получения синей окраски - оксид кобальта, для получения оранжевой окраски - оксид стронция, 3 з,п,ф-лы,части спектра с координатами цвеХ=0,238; У=0,278. П р и м е р 2. Образец аналогичен образцу предыдущего примера; условия эксперимента и используемое оборудование - те же, но нагрев производят до 1400 С, а выдержку уменьшают до 2 ч. Полученный (окрашенный) образец имеет окраску в пределах голубой части спектра с координатами цвета Х= 0,200; У.=0,241,П р и м е р 3, Образец аналогичен образцам предыдущих примеров, но помещен в порошок окиси кобальта, Нагрев до 1150 С, а выдержка - 8 ч. Окрашенный образец имеет окраску в пределах синей части спектра с координатами цвета Х= =0,201; У= 0,165,П р и м е р 4. Образец...
Травитель для выявления структуры в оксиде алюминия
Номер патента: 1733517
Опубликовано: 15.05.1992
МПК: C30B 29/20, C30B 33/10
Метки: алюминия, выявления, оксиде, структуры, травитель
...железо.Происходила бурная реакция взаимодействия компонентов, Травление проводили вфарфоровой. емкости, которую нагревали наплитке вместе с травителем при 40 С в течение 1-2 мин. Образец из оксида алюминия в это время травился, после травленияпромывали тщательно от продуктов травле; ния водой, спиртом, Структура изучается наэлектронном микроскопе в зависимости от 50размеров элементов структуры, выявляемых травителем.Приведенные в таблице данные показывают, что по сравнению с аналогом (примеры 1 и 2) предлагаемый способ выявляет 55микроструктуру оксида алюминия, а не ямкитравления в плоскости (ОООЦ и т.д, при 4050 С вместо 680 С,В сравнении с прототипом (пример 3)предлагаемый способ значительно, увеличивает скорость травления (в 15...
Способ получения оптических линз
Номер патента: 1773956
Опубликовано: 07.11.1992
Авторы: Андрианова, Афанасьев, Ветров, Игнатенков, Рыжиков
МПК: C30B 29/12, C30B 29/20, C30B 33/00 ...
Метки: линз, оптических
...при изготовлении иэ них элементов Линзовой оптики. В оптически одноосных кристаллах, однако, существует единственное направление, при распространении вдоль которого луч света не разлагается на вышеуказанные компоненты. Это направление является осью кристалла, а заготовка оптической детали, плоскопараллельнэч пластинка, перпендикулярная этой оси, часто именуемая пластинкой 7.среза. Недостатком таких пластинок является то, что после придания поверхности пластины вогнуто-выпуклой формы лучи будут проходить вдоль направлений, отличных от оптической оси кристалла, что приведет к их разложению на компоненты и образованию двулучепреломления, тем большего, чем больше кривизна изготовляемых поверхностей, т.е, угол между направлением нормали к...
Способ обработки изделий из монокристаллов корунда
Номер патента: 1603863
Опубликовано: 30.11.1992
Авторы: Добровинская, Звягинцева, Литвинов, Пищик
МПК: C30B 29/20, C30B 33/02
Метки: корунда, монокристаллов
...После начала плавления изделия под действием грузов 7 начинают линейно перемещать нагреватель сквозь изделие со скоростью, определяемой весом грузов 7. Благодаря этому происходит пооплавление эоны, содержащей напряжения. При этом нагреватель последовательно занимает позиции А, В и С (фиг. 1 и 3). Одновременно с проплавлением (фиг. 4 поз, 9 - расплав) в зоне 8, в 3 - 5 раэ превышающей толщину нагревателя 5, происходит пластическое течение, После пройлавления и пластического деформирования в зоне с напряжениями резко понижается плотность пор уменьшается протяженность границ блоков. После прохождения этой зоны снижают температуру нагревателя и упрочняемого изделия до комнатной.Сапфировый стоматологический имплантант ИС - 105 (фиг, 2)....
Способ термообработки изделий из лейкосапфира
Номер патента: 1649859
Опубликовано: 23.04.1993
Авторы: Иванына, Коневский, Кривоносов, Литвинов
МПК: C30B 29/20, C30B 33/00
Метки: лейкосапфира, термообработки
...специальных требований к оборудов 4 нию, работающему при повышенных давлениях.П р и м е р. Полированные пластины (окна для деФекторов) из сапФира (диаметром 25 мм, высотой 50 мм) помещают в открытый молибденовый контейнер и загружают в печь с граФитовым нагревателем. Рабочее пространство печи откачивают до давления 1.10 Па и затем заполняют природным газом до давления 7.10 Па. Печь нагревают со скоростью 700 град/ч до температуры Т, В процессе подъема температуры давление в печи увеличи49859 6ционному упрочнению отжигаемого иэделия, Применение длительности изотермической выдержки больше предлагаемой(пример 1) малоэффективно и сопровождается увеличением изменениямассы отжигаемого кристалла (3),Уменьшение давления срсы отжига до2 10 ф...
Способ термообработки изделий из монокристаллов корунда
Номер патента: 1476982
Опубликовано: 30.10.1993
Авторы: Коневский, Кривоносов, Литвинов, Сирота
МПК: C30B 29/20, C30B 33/02
Метки: корунда, монокристаллов, термообработки
...металлической струны в рабочем пространстве электроэрозионного станка, Возникающее придвижении струны трение приводит к износутела направляющей вставки и из-за ее разрушения к поломке станка, Условия работынаправляющей вставки напонимают шлифование корунда закрепленным абразивом.Целью изобретения является увеличение срока службы изделий иэ монокристаллов корунда,П р и м е р. Корундовые направляющиевставки помещают в закрытый молибденовый контейнер и загружают в печь СШВЛ1:3,2/25. Рабочее пространство печи откачивают до давления 5 105 мм рт.ст, Печьнагревают со скоростью 500 град/ч до температуры Т 1 (см.табл.), выдерживают приэтой температуре в течение времени т 1,снижают температуру со скоростью 500 25град/ч до температуры Т 2,...
Способ затравливания при выращивании профилированных монокристаллов
Номер патента: 1048859
Опубликовано: 15.12.1993
Авторы: Андреев, Литвинов, Пищик
МПК: C30B 15/34, C30B 29/20
Метки: выращивании, затравливания, монокристаллов, профилированных
...АИГ. Данные для. ная ( . 0,5 мм). Поэтому коэффициент расчета шаблонов приведены:в табл.З.уменьшения зазора выбран в данном сЛучае. 20: Расчетные. шаблоны .равным 0,75. Первичные операции выполне- й 1 = 4;41 мм., Ь 2 =. 2,1 мм, Ьз - 1 О 0,51 мм.ны как в примере 1 Данные для расчета. В табл.4 приведены сопоставительныешаблонов приведены в табл,2. данные способов затравливания при выраДалее процесс ведут. аналогично приме- щивании сапфироаых труб диаметром 8,8ру 1. Данйый пример отличается от пред мм,ыдущего величиной коэффициентаДанные табл,4 показьгвают, что предлолинейного расширения затравочного кри-:женный способ обеспечивает упрощениесталла и характером егожбработки; йрбцесса затравливания и повышает выходПоскольку элементы...
Способ затравления при выращивании профилированных монокристаллов корунда методом степанова
Номер патента: 1503355
Опубликовано: 30.03.1994
МПК: C30B 15/34, C30B 29/20
Метки: выращивании, затравления, корунда, методом, монокристаллов, профилированных, степанова
СПОСОБ ЗАТРАВЛЕНИЯ ПРИ ВЫРАЩИВАНИИ ПРОФИЛИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ КОРУНДА МЕТОДОМ СТЕПАНОВА , включающий нагpев pасплава в тигле с фоpмообpазованием, пpиведение установленной над ним на кpисталлодеpжателе затpавки в контакт с pасплавом на тоpце фоpмообpазователя и последующее выpащивание кpисталлов, отличающийся тем, что, с целью повышения стpуктуpного совеpшенства кpисталлов и снижения тpудозатpат, затpавочный кpисталл беpут в виде плоского элемента, а кpисталлодеpжатель - из того же матеpиала и той же оpиентации, что и затpавка, и пеpед затpавлением пpоводят их соединение путем пpиложения сжимающей осевой нагpузки к кpисталлодеpжателю, контактиpующему с затpавкой, pазмещенной на тоpце фоpмообpазователя, пpи 1500 - 1950oС,...
Способ термообработки активированных монокристаллов корунда и изделий из них
Номер патента: 1736214
Опубликовано: 30.03.1994
Авторы: Квятковский, Коневский, Кривоносов, Литвинов, Шкадаревич
МПК: C30B 29/20, C30B 33/00
Метки: активированных, корунда, монокристаллов, них, термообработки
1. СПОСОБ ТЕРМООБРАБОТКИ АКТИВИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ КОРУНДА И ИЗДЕЛИЙ ИЗ НИХ путем отжига пpи темпеpатуpе не менее 1750oС в атмосфеpе кислоpода и водоpода, отличающийся тем, что, с целью повышения лучевой пpочности монокpисталлов и изделий из лейкосапфиpа, pубина и тикоpа, отжигают монокpисталлы с концентpацией активатоpа не более 0,2 вес. % сначала в окислительной атмосфеpе с паpциальным давлением кислоpода 103 - 105 Па, а затем в водоpоде.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что отжиг в окислительной сpеде пpоводят в течение вpемени t1 = x2/8D(с), а в водоpоде в течение не менее 5 ч, где X - минимальный pазмеp монокpисталлов (см), D = 2
Способ залечивания трещин в монокристаллических образцах
Номер патента: 1805706
Опубликовано: 27.11.1995
Авторы: Добровинская, Занятнов, Звягинцева, Литвинов, Пищик
МПК: C30B 29/20, C30B 33/00
Метки: залечивания, монокристаллических, образцах, трещин
...перемещения - прямолинейного. Движение нагревателей с обеих сторон трещины обеспечивает создание деформационного усилия для осуществления пластического течения непосредственно в зоне трещины,Скорость перемещения нагревателей определяет величину деформирующих усилий, возникающих в области пластической деформации между нагревателями, при этом нагреватели в материале передвигаются с "натягом", приводящим к деформации материала вокруг нагревателей. При скоро-.сти меньшей 10 мм/ч не обеспечивается пластическое течение между расплавленными зонами, и трещина не залечивается, а при скорости большей 80 мм/ч резко падают прочностные характеристики нагревателей. Нагреватель разрушается, и процесс эалечивания трещины прекращается, а...
Способ обработки оксида алюминия
Номер патента: 1550953
Опубликовано: 27.03.1999
Авторы: Барышников, Колесникова, Мартынович, Щепина
МПК: C30B 29/20, C30B 31/20
Способ обработки оксида алюминия для электронно-оптического излучателя, включающий нейтронное облучение и последующую термообработку, отличающийся тем, что, с целью расширения спектра малоинерционного излучения при длительности импульсов свечения под действием электронного облучения < 5 нс, флюенс нейтронов выбирают в интервале 1 1019 - 1 1020 н/см2, а термообработку проводят при 1300 - 2200 К.
Способ получения лазерной среды на основе кристаллов al2o 3
Номер патента: 1322728
Опубликовано: 27.03.1999
Автор: Мартынович
МПК: C30B 29/20, C30B 31/20
Метки: кристаллов, лазерной, основе, среды
Способ получения лазерной среды на основе кристаллов Al2O3 с центрами окраски путем облучения выращенного кристалла потоком быстрых нейтронов с последующей дезактивацией, отличающийся тем, что, с целью увеличения концентрации центров окраски с полосой оптического поглощения в области длин волн 0,74 - 0,95 мкм и снижения оптических потерь в спектральной области генерации 0,92 - 1,15 мкм облучение ведут при плотности потока 1 1018 - 4 1024 нейтрон/см2 и после дезактивации кристалл нагревают до 600 - 830 К с...
Способ получения монокристаллов на основе хризоберилла
Номер патента: 1469918
Опубликовано: 27.03.2000
МПК: C30B 15/02, C30B 29/20
Метки: монокристаллов, основе, хризоберилла
1. Способ получения монокристаллов на основе хризоберилла, включающий расплавление при нагреве исходной шихты, введение в расплав ориентированной затравки и рост кристалла, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода монокристаллов -модификации, после расплавления нагрев продолжают до 1950 - 1960oC, затем проводят охлаждение и рост осуществляют при температуре расплава 1840 - 1847oC.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что охлаждение ведут до 1875 - 1880oC, после чего в расплав вводят затравку, нагретую до 1670 - 1770oC.