Способ детектирования ионов в вакууме — SU 392772 (original) (raw)
Текст
АЙ И Е ЗФ 2РЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических РеспубиикКДЕТЕЛЬС АВТОРСКОМ Зависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 12 ЛЧ,1971 ( 1645592/26-2с присоединением заявки.Ч, Ь,л, 6 011 1;24 оритет осударствениый комитеСовета Милистрае СССРво делам иэооретенийи открытий Опубликовано 27.1 Х.1973. БюллетеньДата опубликования описания 28,1.194 Авторы зобрете Панеш и И А Мяснико аявител ОНОВ В ВАКУУМ минимальнаяотношении повер,ионов(см,ы благородных газов, попадаясть тонкого окислительногоческого слоя, изменяют концлей тока в этом слое, что обуесение их примесного сопроти пленккн в- 10Ио на по- поликринтрацию ловливаления. верхно сталли носите ет нан бретения дм ет в вакууме, повышения роцесса деа используго поликрина кварцеСпособ детектировотличающийся тем, ччувствительности и утектирования, в качеют полупроводник всталлического слоя,вую подложку. ания ионовто, с цельюпрощениястве детектовиде окиснонанесенного лагаемого способа среднем 10 - 10 е, прилегающем к поон ОСОБ ДЕ 1 ЕК 1 ИРОВАН Известен масс-спектрометрический способ детектирования ионов.Цель изобретения - повышение чувствительности н упрощение процесса детектирования ионов в вакууме.Это достигается тем, что в качестве детектора используют полупроводник,в виде окисного поликристаллического слоя, нанесенного на кварцевую подложку,Новый способ основан на принципе изменения электрофизических свойств (электропроводности, сопротивления) тонких полупроводниковых пленок под влиянием взаимодействия (адсорбции) ионов с поверхностью пленок.Чувствительность предионам составляет вов/смо в простр анств УДК 539,1.074,55(088 8) чувствительность плен хностной концентрации
Заявка
1645592
А. М. Панеш, И. А. сников
МПК / Метки
МПК: G01T 1/24
Метки: вакууме, детектирования, ионов
Опубликовано: 01.01.1973