С помощью полупроводниковых детекторов — G01T 1/24 — МПК (original) (raw)
Способ счета отдельных заряженных частиц полупроводниковым счетчиком
Номер патента: 117428
Опубликовано: 01.01.1958
Авторы: Витовский, Коган, Малеев, Рейнов, Рыбкин, Соколов
МПК: G01T 1/24
Метки: заряженных, отдельных, полупроводниковым, счета, счетчиком, частиц
...применения прибора в ряде исследований.Отличительная особенность описываемого способа зи отсутствии источников питания. В качестве детектора испольтодиод, который включается в схему в режиме вентильного фотНа чертеже приведена блок-схема способа счета отдельных заряженных частиц.Схема содержит полупроводниковый фотодиод 1, нагрузочное сопротивление 2, усилитель 3, регистрирующий прибор 4, например, осциллограф. (Б - направление излучения заряженных частиц).Возможность счета отдельных заряженных частиц фотодиодами без применения источников питания детектора следует из рассмотрения их вольт-амперных характеристик, которое показывает, что амплитуда импульсов должна увеличиваться с понижением температуры. Понижение температуры...
Датчик ионизирующих излучений
Номер патента: 124553
Опубликовано: 01.01.1959
Автор: Брейдо
МПК: G01T 1/24, H01J 47/00
Метки: датчик, излучений, ионизирующих
...но и изменить его проводимость, а следовательно, и ток, проходящий через прибор. При этом, поскольку кинетическая энергия электрона при его соударении с веществом анода затрачивается на освобождение нескольких вторичных электронов (точнее на их переход в зону проводимости), в предлагаемой системе имеет место усиление импульсного и среднего тока.Аноды счетчиков предлагаемой системы могут изготовляться вытягиванием нити из соответствующего полупроводникового материала путем нанесения на нить изоляционного материала (стекла, кварца)124553 Предмет изобретения 1, Датчик ионизирующих излучений, содержащий анод и катод, заключенные в вакуумированную или газонаполненную колбу и подключенные к источнику постоянного напряжения, о т л и ч а ю щ и...
Дозиметр для измерения реитгеновского и гамма-излучения
Номер патента: 267765
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Глезин, Кронгауз, Московский, Титов
МПК: G01T 1/20, G01T 1/24, H01L 31/115 ...
Метки: гамма-излучения, дозиметр, реитгеновского
...имеющих наклон кривой хода с жесткостью, зеркально противоположный наклону кривой хода с жесткостью сцинтиллятора и установленных в светонепроницаемом корпусе со стороны падающего излучения. Это способствует расширению энергетического диапазона дозиметра, повышению его чувствите,тьности и одновременному получению информации о качественном составе и мощности дозы излучения.На фиг. 1 и 2 представлена принципиальная схема предлагаемого дозиметра.Он состоит из полупроводниковых фотопреобразователей 1, 2, 3, сцинтиллирующего кристалла 4, светонепроницаемого корпуса б, светонепроницаемой перегородки б, ограждающей преобразователи 1 и 2 от света сцинтиллятора, электроизмерительного прибора 7, регистрирующего сигналы, поступа тектора,...
Криостат для детекторов ядерного излучения
Номер патента: 280692
Опубликовано: 01.01.1970
Автор: Говоров
МПК: G01T 1/24
Метки: детекторов, излучения, криостат, ядерного
...сорбента от детекторной части криостата, причем хладопровод снабжен резьбовым приводом и соединен с вакуумной оболочкой с помощью сильфона, а между хладопроводом и вакуумной оболочкой установлен центрирующий тепловой мост в виде двух скрепленных между собой ступенчатых тонкостенных цилиндров с прорезями для откачки.На чертеже изображена схема устройства, Криостат содержит блок германиевого детектора 1, укрепленный под тонкостенной крышкой 2 корпуса камеры 3 криостата на державке 4. Державка выполняет функции запирающего элемента и плотно прижимает к хладопроводу 5 тепловой мост б, центрирующий верхнюю часть хладопровода относительно тонкостенной экранирующей трубки 7. Охлаждаемый конец хладопровода 5 вакуум- но-плотно соединен с...
Полупроводниковый счетчик ядерных излучений
Номер патента: 281663
Опубликовано: 01.01.1970
МПК: G01T 1/24, H01L 31/00
Метки: излучений, полупроводниковый, счетчик, ядерных
...распределения заряженных частиц из ядерных реакций мишень находится внутри полого кристалла кремния, на внутренней поверхности которого расположены поверхностно-барьерные переходы, выполненные в виде соосно расположенных колец,На чертеже представлена конструкция предлагаемого полупроводникового счетчика ядерных излучений,Пучок 1 заряженных частиц проходит через "истему 2 - 3 и попадает на тонкую твердую мишень 4, а далее - на ловушку б тока, соединенную с интегратором б тока, Перед мишенью 4 установлена диафрагма, на которую подается задерживающий потенциал 7. На 5 внутреннюю поверхность стакана 8, изготовленного из монокристалла кремния, нанес ны кольца 9 из золота, образующие вместе с кремнием р - и-переходы. Эти кольцевые...
Полупроводниковый детектор ядерных излучений
Номер патента: 281664
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Долгов, Попов, Портман, Сычков
МПК: G01T 1/24
Метки: детектор, излучений, полупроводниковый, ядерных
...поступающих в него ионизирующих частиц,изображена конструкповерхностно-барьерног На чертеже ция предлагаемого о детек 15 тора,Устройство представляет собой шар, вырезанный из полупроводникового кристалла 1,содержащий металлический нижний токосборник 2, нижний токоотвод 3, металлический20 верхний токосъемник 4, р - и- или и - р-переход б, токоотводящее кольцо верхнего токосъемника б, эпоксидную изоляцию 7, верхнийпроволочный токоотвод 8,Спектрометр с полупроводниковым датчи 2 ком сферической формы дает возможностьизмерить спектральный состав космическогоизлучения в кабине космического корабля ивнутри фантома-манекена, что необходимодля определения биологической дозы, полу 30 ченной космонавтом. ым недостатком полупроводниров,...
322094
Номер патента: 322094
Опубликовано: 01.01.1971
МПК: G01T 1/24, H01L 31/00
Метки: 322094
...и продиффундирован литий, в результате чего образовался и-слой 1; в результате дрейфа ионов лития в электрическом поле,сформирована -область 2; р-область образована исходным германием 3. Кольцевые канавки 4 на цилиндрической поверхности детектора разделяют и-слой на три области кристалла 5, б и 7, образуя три тора.При включении предлагаемого детектора для работы в области средних и высокихэнергий тамма-излучения поток гамма-излучения5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 последовательно пронизывает кристаллы 5, б и 7 (фиг. 2). Схема отбирает только те события, которые соответствуют одновременному выделению сигналов в кристаллах 5 и б, при отсугствии сигнала в кристалле 7; последнее обстоятельство позволяет подавить ту часть...
Устройство для обнаружения внеземной жизни
Номер патента: 307371
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Козлов, Мухин, Федорова
МПК: G01T 1/24
Метки: внеземной, жизни, обнаружения
...исследуемой почвой с питательной средой - субстратом,. Б корпус вмонтирован держатель 4, предназпаченнып для крепления алмазного детектора 5 нпзкоэнергетических ионизирующих излучений и служащий резервуаром для поглотителя 6, Алмазный детектор б снабжен инжектирующим контактом 7 и запорным контактом 8, Поскольку для увеличе ия чувствительности целесообразно обеспечить непосредственное соприкосновение алмазного детектора с тонким слоем поглотителя б, например щелочи, налитой в держатель 4 на его запорный контакт 8, этот контакт 8 должен быть стойким к действию агрессивных сред. Такой контакт образуется поверхностным слоем пластины кристалла алмаза при карбидизации, легировании или графитизации, Кроме того, поверхностный слой...
Годоскоп детекторов для регистрации
Номер патента: 386361
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: G01T 1/24
Метки: годоскоп, детекторов, регистрации
...сдвинуты один относительно другого так, что 10 детекторы, расположенные на внешней стороне, попадают в промежутки между детекторами, расположенными на внутренней стороне.На внешней и внутренней сторонах цилиндрических трубок 3 образованы р - и переходы 4 15 в виде полос, расположенных вдоль образую.щей цилиндра. Линейные детекторы, находящиеся навнешней стороне цилиндра, находятся в про межутках между детекторами, расположенными на внутренней стороне.Детектирующие элементы с кольцевыми илинейными детекторами чередуются. Такая система образует координатную сетку годо скопа и позволяет определить траекториювторичных заряженных частиц в случае средних энергий или часть траектории в случае большой энергии.В промежутки между трубчатыми...
Детектор рентгеновского излучения
Номер патента: 391507
Опубликовано: 01.01.1973
Автор: Горбачев
МПК: G01T 1/24
Метки: детектор, излучения, рентгеновского
...1, в канавках которого ц иа повсрхцостп помсщецы фотополупроводпцковые элсмопты 2, состоящие из диэлектрической обложки 3, фотополупроводицкопого сопротивления 4 и токоподводящих контактов 5.Фотополупроводииковыс элементы, имеющие сопротивления гь г 2, г,1, 1., ц г находятся в капавках различной глубины ц включены в одно цз плеч моста Уцтстоца через переключатель.Фотополупроводииковые элементы, имеющие сопротивление Р 1, Л. Яз цаходятся ца повсрхЦОСт:1 ЭтаЛОНа ЧУВСтВИтЕЛЬНОСтИ и ВКЛЮЧЕНЫ в остальцыс плс 1 ц моста. В схеме имсстся цсточцик пцтацпя и гальванометр. В исходцом состоянии мост Уцтстоца сбалансирован.Предлагаемый детектор работаст следующим образом.391507 4 Составитель Н. Гончаров Техрсд А. Камышникова Морозов ректор...
Способ детектирования ионов в вакууме
Номер патента: 392772
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: G01T 1/24
Метки: вакууме, детектирования, ионов
...газов, попадаясть тонкого окислительногоческого слоя, изменяют концлей тока в этом слое, что обуесение их примесного сопроти пленккн в- 10Ио на по- поликринтрацию ловливаления. верхно сталли носите ет нан бретения дм ет в вакууме, повышения роцесса деа используго поликрина кварцеСпособ детектировотличающийся тем, ччувствительности и утектирования, в качеют полупроводник всталлического слоя,вую подложку. ания ионовто, с цельюпрощениястве детектовиде окиснонанесенного лагаемого способа среднем 10 - 10 е, прилегающем к поон ОСОБ ДЕ 1 ЕК 1 ИРОВАН Известен масс-спектрометрический способ детектирования ионов.Цель изобретения - повышение чувствительности н упрощение процесса детектирования ионов в вакууме.Это достигается тем, что в качестве...
401942
Номер патента: 401942
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: G01T 1/24
Метки: 401942
...проходятчерез детектор дважды и оставляют в нем25 значительно большую часть своей энергии,чем частицы, однократно прошедшие через детектор и не рассеянные обратно от материала.В предлагаемом устройстве устранены факторы, снижающие точность измерений на м30 лых площадях контролируемого материал401942 Предмет изобретения 20 Составитель Г. Солодухов Техред Л. Грачева Корректор А. Васильева Редактор Т. Орловская Заказ 267/11 Изд,128 Тираж 755 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская набд. 4/5Типография, пр, Сапунова, 2 Во-первых, в предлагаемом устройстве нет рассеяния от диафрагмы, поскольку она отсутствует, а размеры контролируемого участка материала...
Амн ссср
Номер патента: 374966
Опубликовано: 01.01.1973
Автор: Ткаченко
МПК: G01T 1/161, G01T 1/24
...дефференцирующей ЯС-цепи;К - постоянная, зависящая от свойствфильтра,Для ограничения полосы пропускания усилителя и улучшения отношения сигнал/шумдобавлен активный фильтр нижних частот,Средняя частота полосы пропускания усилителя оо --- . Фильтр нижних частот не влияет1т,на чувствительность к положению, но определяет момент пересечения нулевой линии 1 биполярным импульсом, соответствующим скачку напряжения на его входе1, = (о + 1) Тгде и - эквивалентное число интегрирующихЯС-цепей фильтра нижних частот.Для дважды дифференцированных сигналовширокополосного и быстрого усилителей, имеющих двойную полярность, момент пересечения нулевого уровня не зависит от амплитудысигнала.Чтобы фиксировать момент прохождения нулевой линии импульсом...
414555
Номер патента: 414555
Опубликовано: 05.02.1974
МПК: G01T 1/24, G01T 1/36
Метки: 414555
...ПТ через диод 4 соединен со входом усилителя 5, с выхода 1 которого снимаются аналоговые импульсы. Конденсатор 6 обеспечивает зарядочувствительность схемы, охватывая ее отрицательной обратной связью. Усилитель стабилизируется по постоянному току с помощью отрицательной обратной связи, осуществляемой через фазоинвертор и резистор. Схема формирования разрядногостоит из триггера 9, блока задлючевых схем 11, 12.Работает спектрометр следующим образовВ процессе регистрации излучения на ППД выделяется электрический заряд, который накапливается на затворе ПТ, так как в большинстве случаев скорость накопления заряда выше, чем скорость его утечки через обратно смещенный р-и-переход ПТ. Изменение потенциала на затворе ПТ (в данном случае...
Полупроводниковый датчик дозиметра ионизирующих излучений
Номер патента: 175574
Опубликовано: 25.03.1974
Авторы: Кронгауз, Мандельцвайг
МПК: G01T 1/24
Метки: датчик, дозиметра, излучений, ионизирующих, полупроводниковый
...в непосредственной близости от полупроводникового детектора излучения помещен стандартный источник видимого света. Такое устройство датчика позволяет применять видимый свет для контроля и регулировки чувствительности полупроводникового детектора излучения.На чертеже изображен датчик в разрезе.В корпус 1 датчика, выполненный из органического стекла и покрытый отражателем и черным лаком, помещены полупроводниковый монокристалл (детектор) 2 в сменной кассете 3 и стандартный источник видимого света 4, например эндоскопическая лампочка, Электроды 5 детектконтактов 6 свниками 7.Работа устройствалупроводниковых денять свою чувствитету пропорциональности к ионизирующеголяет путем проверк0 проводникового детеконтролировать и рность детектора...
Устройство для регистрации неоднородностей в исследуемой жидкости
Номер патента: 432438
Опубликовано: 15.06.1974
Авторы: Вигант, Лойко, Пахомов, Пахомова, Рижский, Рудик
МПК: G01T 1/24
Метки: жидкости, исследуемой, неоднородностей, регистрации
...для исследования криогенных жидкостей. На чертеже приведено устройство для регистрации неоднородностец в исследуемой жидкости.Устройство состоит из капсул5 тичного корпуса 2 и источниканых излучении 3.Внутри капсулы в непосредственной близости от тонкого входного окна укреплен полугроводниковый детектор 4, а внутренняя по лость капсулы заполнена нейтральным наполнителем 5. Капсула 1 своим фланцем крепится к нижнему фланцу 6 корпуса 2, которой, в свою очередь, крепится на баке или трубе 8 с исследуемой жидкостью при помощи флан ца 7. В нижний фланец 6 и в верхнюю крышку 9 герметичного корпуса впаяны изолированные тоководы 10, к которым присоединены токопроводы 11 и 12 для подачи напряжения смещения на полупроводниковый детектор...
Погружной поверхностно-барьерный альфа-детектор
Номер патента: 434351
Опубликовано: 30.06.1974
Авторы: Крапивин, Малафеев, Юдина, Якобсон
МПК: G01T 1/24
Метки: альфа-детектор, поверхностно-барьерный, погружной
...при этом практически находится в нерабочем состоянии).Для нормальной работы погружных детек торов в режиме программного смещения необходимо, чтобы они были изготовлены из особо чистого кремния и с удельным сопротивлением не менее 2000 ом см.Предлагаемый альфа-детектор отличается 30 от известного тем, что для его изготовления434351 г.7 используют низкоомный и-типа кремний с удельным сопротивлением 100 в 5 ом см.Это позволяет обеспечить непрерывность измерений активности растворов, увеличить чувствительность и повысить точность измерений,Детектор работает стабильно при постоянном обратном смещении 1 - 4 в и не требует подачи прямого смещения с помощью специального коммутирующего устройства для восстановления величины сигнала. Кроме того,...
Полупроводниковый материал для детектора частиц
Номер патента: 436306
Опубликовано: 15.07.1974
Авторы: Завадский, Институт, Калашников, Карпова, Корнилов, Электроники
МПК: G01T 1/24, H01J 49/00
Метки: детектора, материал, полупроводниковый, частиц
...т - времена жизни соотвепственно долгоживущих и короткоживущих носителей. Кроме того, дрейфовая длинна неосновных носителей должны быть больше их диффузионной длины.Примером такого материала может служить кремний а-типа приводимости, компенсированный циником таким образом, что между концентрациями цинка (Уу) и фосфора (Лгр) сущеспвует соотношениеМ 7 п (Жр ( 2 МкпВ таком материале вследствие сильной асимметрии сечений захвата. дырки и электрона на верхний уровень цинка (Е, - 0,51 эв) усР пловие - ) 1 выполняется. Величинаи -.рудельного сопротивления в таком материале должна быть, как это можно показать, больше, чем (1 - 2) 104 ом см. Если образец из такого материала включить в цепь постоянного тока и приложить к,нему поле, превосходящее...
Способ управления временными характеристиками радиоизотопных реле
Номер патента: 446010
Опубликовано: 05.10.1974
МПК: G01T 1/24
Метки: временными, радиоизотопных, реле, характеристиками
...от величины информации, навопленной на нем.Кроме того, после достижения порога срабатывания реле уменьшаютпостоянную интегрирования до нуля.Сущность изобретения сводитсяв тому, что накопительный вонтур(вонтур интегрирования) выполняется с переменной постоянной интегрирования, фунвционально зависящей от величины напряжения наинтегрирующей емкости, и с ограничением мавсимального значения навапливаемого напряжения, При этомизменение постоянной интегрирования пооизволится по завон 7 .41 инт- Р унт)(где синт - постоянная интенсиметра, а Оиит - напряжение на выходе с интегратора), и существенное влияние величины Оиит начинает свазываться после достижения напряжения на интеграторе порога срабатывания.Составитеаь 3 а ЧЕЛЫОКОВаРезак горйекреи...
Криостат для полупроводниковых детекторов ионизирующего излучения
Номер патента: 454518
Опубликовано: 25.12.1974
МПК: G01T 1/24
Метки: детекторов, излучения, ионизирующего, криостат, полупроводниковых
...криостата погружного Крностат имеет вакуумную камеру 1, накоторой установлены разъем 2 для подачи напряжения и снятия сигнала с детектора 3 и вентиль 4 для присоединения криостата к 5 вакуумной системе. Хладопровод 5 со столиком 6 для детектора 3 через тепловой мост 7 соединен с вакуумной камерой 1, которая герметично закрыта колпаком 8. Сифонная трубка 9 с регулирующим предохранительным кла паном 10 смонтирована коаксиально с хладотроводом; в кольцсвоз( зазоре между трубкой и хладопроводом па высоте, определяемой необходимым уровнем хладагента, установлен разделитель фазового состояния 11 (газ-жпд кость) хладагснта 12, выполненный пз пористого материала. Криостат герметично с помощью сальникового уплотнения (прокладка 13, втулка...
Детектор ядерного излучения
Номер патента: 445366
Опубликовано: 05.03.1976
Автор: Ткачев
МПК: G01T 1/24
Метки: детектор, излучения, ядерного
...вкладу диффузионной компоненть 1 в выходной сигнал.В таких детекторах геометрически точно определена граница чувствительной области, которая определяется координатой потенциальной ямы.На фиг. 1 схематически изображена структура известного поверхностно-барьерного детектора; на фнг. 2 - структура предлагаемого МДП-детектора; на фцг. 3 приведены энергетические зонные диаграммы приповерхностной области предлагаемого МДП-детектора; на фиг. 4 показана конструкция предлагаемого МДП-детектора.Г 1 редлагаемый (и известный) детектор изготовлян 1 т из кристалла кремния 1 п-типы проводимости, на поверхности после технологической обработки которого образуется инверсный слой 2 р-типа; на последний напыляют в вакууме золотой электрод 3; на другую...
Устройство для ищмерения ионизиру-ющих излучения
Номер патента: 326903
Опубликовано: 23.03.1981
Авторы: Глезин, Кронгауз, Ляпидевский, Титов
МПК: G01T 1/24
Метки: излучения, ионизиру-ющих, ищмерения
...расстоянии один от другого и от продольной оси цилиндра. Расположены они в плоскостях, проходящих через основания цилиндра по касательной к проведенным в основаниях окружностям, радиусы которых г 4 и г находятся с радиусом й основания цилиндра итолщиной д детектора в следующем соотношении:г 0,4 й 2,254; г, 0,7 й 4 д.На фиг. 1 изображено предлагаемое устройство, общий вид; на фнг.2расположение прорезей в корпуседетектора, предназначенных для размещения Фотопреобразователей. о Пластинчатые полупроводниковыедетекторы 1, соединенные между собойпроводниками, расположены в пазах 2цилиндра радиусом к и высотой 3 к наодинаковых расстояниях от его про дольной оси и под одинаковым длявсех пластин углом к ней. Длинныеграни пластин по отношению к...
Способ охлаждения германиевого детектора гамма-квантов
Номер патента: 380180
Опубликовано: 07.09.1981
Автор: Котельников
МПК: G01T 1/24
Метки: гамма-квантов, германиевого, детектора, охлаждения
...достижениеядерной спектроскопии где сущест- рабочей температуры германийлитиевогоФ. овует необходимость измерения гамма- детектора 160-180 К без примененияспектра радиоактивных ядер с высоким жидкого азота.,энергетическим разрешением (3-5 кэЩ . . Цель достигается тем, что горячийУпотребляемые при этих измерениях спай термобатареи охлаждают до темпе,полупроводниковые детекторы наратуша около -40 С, например, термоокристаллах германия требуЮт охлажде- динамическим путем.ния их до температуры 160-180 оК. Применение криостатов с жидким азотомпозволяет достичь нужной температу- . фбрмула изобретенияры, но исключает возможность применения таких детекторов в полевых усло Способ охлаждения германиевого детектора гамма-квантов беэ...
Устройство для измерения корреляций заряженных частиц
Номер патента: 730111
Опубликовано: 15.12.1981
Авторы: Ганжа, Ковшевный, Кунстман, Солякин
МПК: G01T 1/24
Метки: заряженных, корреляций, частиц
...перпендикулярных оси пучка. Мозаики 6 вместе с подвижными стойками 7 имеют возможность радиального установочного перемещения вдоль верхних направляющих поворотных рычагов 3 и вместе с рычагами - возможность непрерывного дистанционно управляемого перемещения (без нарушения вакуума) вокруг оси держателей 2 и мишеней 1 за счет продольного движения ползуна 10 с рычажными пальцами 12, входящими в нижнюю часть прорези рычагов 3. Оптимальный угол поворота рычагов 3 й 45 от нулевого положения. Движение ползуна10 осуществляется с помощью закрепленной на нем рейки 13, реечной шестерни 16 :и привода 14 с вакуумным уплотнением, приводного валика 15 и отсчетного устройства 17. Концевые выключатели к ползуну 10 (на фиг. не показаны)...
Способ определения толщин мертвого слоя спектрометрического детектора ионов
Номер патента: 935845
Опубликовано: 15.06.1982
МПК: G01T 1/24
Метки: детектора, ионов, мертвого, слоя, спектрометрического, толщин
...конкретного иона, например ионов гелия (двух- зарядных, т.е. ОЬ-частиц) и сравнения этих амппитуд при нормальном и наклонном падении этих ионов не лицевую поверхность ППД 1 2 1.Этот способ позволяет измерять толщины а пределах 1-0,0 мкм с точ- Зф , ностью 7-14%, однако позволяет при его доступности определить толщину мертвого слоя только для с(,-частиц.Цель изобретения - расширение диапазона определяемых толщин мертво" го слоя в сторону их меньший значений (измерения толщины производят для множества конкретных ионов в.энергетических единицах).4Поставленная цель достигается тем, что согласно способу определе" ния толщин мертвого слоя спектрометрического детектора ионов в энергетических единицах путем измерения амплитуд сигналов...
Детектор ядерных излучений
Номер патента: 1044205
Опубликовано: 15.04.1985
Авторы: Афанасьева, Пашук
МПК: G01T 1/24, H01L 31/02
Метки: детектор, излучений, ядерных
...и созданная1-область определяет рабочую областьприборов. Создание столь протяженных областей обеспечивает, во-первых возможность регистрации и спектрометрии длиннопробежных частиц (элек -троны, протоны больших энергий) и Ф-квантов эа счет полного энерговыделения в 1-области и, во-вторых,воэможность. работы на созданномслое нужной глубины при значительноменьших рабочих напряжениях, чем вслучае детекторов с и- переходом.Обладая большим чувствительным объе"мом и изотропныии свойствами, этидетекторы имеют достаточно высокоеразрешение по энергии, если уровеньшумов мал и качество исходногополупроводникового материала обеспечивает условие однородного собираниязаряда, В ряде случаев для коакеиальных литий-.дрейфовых детекторовусловие получения...
Устройство для регистрации ядерных излучений
Номер патента: 1107668
Опубликовано: 07.12.1985
МПК: G01T 1/24
Метки: излучений, регистрации, ядерных
...вместе со входом дифференцирующей цепочки, подключенной выходом к входу вы.ходной секции, выход которой является выходом устройства. Кроме того,дополнительно введен источник питания зарядочувствительной секции, выходная секция выполнена в виде неинвертируемого усилителя-интегратора,причем анод полупроводникового детектора подключен к затвору входного полевого транзистора зарядочувствительной секции, выводы подачи положительного и отрицательного питания которойподключены к соответствующим выводам источника питания зарядочувствительной секции, отрицательный вывод которого соединен с отрицательным выводом1107668 4ра через вывод подачи отрицательного литания эарядочувствительной секции 2, а затем через сопротивление4 обратной связи,...
Усилитель со стабилизацией нулевого уровня
Номер патента: 1181406
Опубликовано: 23.02.1986
МПК: G01T 1/24
Метки: нулевого, стабилизацией, уровня, усилитель
...- с неинвертирующим входом усилителя 1, параллельно резистору 2 включен конденсатор 7, общая незаземленная точка диодов 3 и 4 соединена через резистор З,с инвертирующим входом операционного усилителя 5, к которому подключен также резистор 9, другой вывод которого соединен с выходом операционного усилителя 5, а параллельно резистору 9 включена цепь, состоящая из последовательно соединенных резистора 12 и диодов 10 и 11,. соединенных друг с другом противоположными электродами./Устройство работает следующимобразом.Если нет сигнала, компенсация флуктуаций базовой линии на выходе усилителя происходит точно так, как в прототипе. Влияние конденсатора 7 при этом ничтожно, так как флукту,ации низкочастотные, а диоды 3 и 4 для колебаний...
Устройство для анализа радиационного выхода рентгеновского аппарата
Номер патента: 1225050
Опубликовано: 15.04.1986
Авторы: Блинов, Глиберман, Ковалев, Лейченко, Четверикова
МПК: G01T 1/24, H05G 1/26
Метки: анализа, аппарата, выхода, радиационного, рентгеновского
...25В обоих вариантах длины элементов 1 внаправлении распространения излучениявыбраны не меньшими длины полного поглощения излучения максимальной энергии.Устройство работает следующим образам, 30Рентгеновское излучение попадая на стопку элементов 1, полностью поглощается вних и вызывает появление фото-ЭДС. Засчет последовательного соединения элементов1 (ее дополнительного элемента 3) фото-ЭДС35с этих элементов суммируется О =;0что обуславливает увеличение чувствительностиустройства, При этом емкости элементов1 соединены также последовательно, в ре 1зультате чего - =2 - т, е. при одиС С; 40иаковой емкости отдельных элементов 1 общая емкость чувствительной части устройСства равна С = в, где й - число элементов 1, З.а счет уменьшения...
Устройство для регистрации ядерных излучений (его варианты)
Номер патента: 1242869
Опубликовано: 07.07.1986
Авторы: Банифатов, Калинин, Тюпиков
МПК: G01T 1/24
Метки: варианты, его, излучений, регистрации, ядерных
...на 55затворе и конденсаторе обратной связив предусилителе происходит следующимобразом,Импульс восстановления после прохождения кабеля и импульсного трансформатора поступает в исток, имея отрицательную полярность. При этом переход затвор-исток полевого транзистора открывается, и в течение длительности импульса восстановленияпроисходит частичный перезаряд емкости детектора, причем изменение потенциала на емкости детектора соответствует амплитуде импульса восстановления, за вычетом падения напряжения на самом переходе затвор-исток. Такимобразом, чтобы осуществитьперезаряд емкости детектора трубуется податьв исток отрицательный импульс (на низкоомном сопротивлении) порядка одноговольта, Длительность импульса определяется временем...