Способ получения p-n перехода для кремниевых диодов — SU 136476 (original) (raw)

Текст

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ р-п ПЕРЕХОДА ДЛЯ КРЕМНИЕВЫХ ДИОДОВЗаявлено 19 мая 1960 г. за Ле 667130/24 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Опубликовано в Бюллетене изобретений ЛЪ 5 за 1961 г.Один из наиболее распространенных способов получения р-и перехода для кремниевых диодов с использованием диффузии алюминия в кремний заключается в том, что на поверхности кремния создается слой, содержащий значительное количество донорной примеси, который затем сплавляется с кремнием. Удобной донорной примесью с помощью которой на кремнии и-типа можно получить р-п переход, является алюминий, наносимый на пластину из кремния испарением в ваккуме с последующей диффузией его в кремний при температуре 1200. При применении такого способа вследствие возможности реакции алюминия с кварцем трудно добиться однозначных результатов. Поэтому для получения р-п перехода с использованием диффузии алюминия в кремний сплавляются пластины кремния и- и р-типов и только после этого производится диффузионный нагрев. Таким образом достигается однозначность результатов, но усложняется технологический процесс получения р-и перехода.Для упрощения технологии и исключения необходимости применения кремния двух типов проводимости предлагается перед испарением в вакууме нагревать пластинку из кремния до 700 - 800".Для получения р-п перехода при применении предлагаемого способа предварительно протравленная кремниевая пластинка толщиной 0,35 - 0,45 ям покрывается с одной стороны слоем никеля и помещается в вакуумную печь, где нагревается до температуры 700 - 800. Затем, не прекращая нагрева, на пластинку наносят испарением в вакууме слой алюминия толщиной 1 - 3 мк и пластинка охлаждается до комнатной температуры, после чего на нее наносится тем же методом второй слой алюминия толщиной 5 - 7 лк. Пластинка вновь нагревается до температуры 700 - 800, выдерживается при этой температуре в течение 1 час и затем охлаждается до комнатной температуры. После этого пластинка- 2 М 136476 извлекается из вакуумной печи и производится ее диффузионный нагревв течение 6 - 8 час в атмосфере воздуха при температуре 1200 - 1300 ислой сплава кремния с алюминием удаляется путем шлифовки, Затемна поверхность наносится никель и производится золочение,Предмет изобретения Редактор В. М, Парнес. Техред А. А. Кудрявицкая, Корректор С. Ю. Цверина. Поди. к печ. 2 О/17-6)1 г. формат бум. 7 О Х 108/16 Зак, 899/26. Тираж 11 ОО. ЦБТИ при Комитете по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Центр, М. Черкасский пер., д. 2/6Типография, пр. Сапунова 2,Способ получения р-и перехода для кремниевых диодов, заключающийся в том, что на пластинку кремния и-типа испарением в вакууме наносят алюминиевый слой, из которого затем при температуре 1200" производится диффузия алюминия в кремний, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью упрощения технологии и исключения необходимости применения кремния двух типов проводимости, перед испарением в вакууме пластинку из кремния предварительно нагревают до 700 - 800,

Смотреть

Заявка

667130, 19.05.1960

Варданян В. И, Дробышев Е. П, Зеликман Г. А, Лукашева И. П, Соловьева Р. Г, Тодорова Г. И, Шкуропат И. Г

МПК / Метки

МПК: H01L 21/225

Метки: диодов, кремниевых, перехода

Опубликовано: 01.01.1961

Код ссылки

Способ получения p-n перехода для кремниевых диодов