Диодов — Метка (original) (raw)
Патенты с меткой «диодов»
Способ охлаждения полупроводниковых диодов
Номер патента: 108625
Опубликовано: 01.01.1957
Авторы: Джерихов, Иорданишвили
МПК: H01L 23/52
Метки: диодов, охлаждения, полупроводниковых
...проходит другая электрическая цепь. Эта необходимость уменьшает отвод тепла от выпрямителя. Недостатками с посо оа также являются потребность в отдельной электрической установке для питания термоэлсмецта ц удаленность термоэлемента от вьшрямитсльного контакта. Последнее вызывает тепловую инерционность прибора.Предлагается способ охлаждения Выптямите,1 ьного контатстат, тсоторьттт состоит в то 1, что, в конструкцию полупроводникового диода включается тсрхтоэттсмснт. котопьш служит деталью для подвода электрического тока к выпрямительном контакт. Татттм Образом, ток вь".прямительцого диода, и роходятций в прямом направлении, одновременно является рабочим током термоэлемента, т. е. отпадает необходимость в специальном источнике энергии...
Способ изготовления матриц из пленочных диодов
Номер патента: 123351
Опубликовано: 01.01.1959
МПК: G11C 11/14, G11C 11/36, G11C 5/02 ...
Метки: диодов, матриц, пленочных
...алюминий. Выпрямляющая же ячейка-диод составляется нз двух тонких мсталлнческих электро дов, разделенных тонким слоем кристаллического селена. Материалом для контактного электрода может служить золото или платина, а для выпрямляющего электрода - алюминий илн магний. Нанесение электродов и 15 селена производится в вакууме порядка10 - 4 - 10-з лтм рт. ст, через соответствующие трафареты. В случае нанесения первыми элек тродных полосок 2 из золота или платины (фиг.2) полоски 8 селена наносятся вдоль по лосок 2. Когда первыми наносятся электродные полоски 4 из алюминия, селен наносится поперечными полосками 3 (фнг. 3).Во время напыления селена температураподложки поддерживается в пределах 60 - 25 70-"С. После напыления селена...
Способ повышения пробивного напряжения плоскостных кремниевых диодов
Номер патента: 129259
Опубликовано: 01.01.1960
Авторы: Бедов, Лубашевский, Лукасевич, Маннов, Петров, Смолянский
МПК: H01L 21/447
Метки: диодов, кремниевых, плоскостных, повышения, пробивного
...упрощения технологцц оминий вводят около 10 о золота, из полученного Ольгу толщпной 0,05 - 1 л 1 л 1, зажимают ее меж 1,; и р-типа, помещают заготовку в вакуум и прои:- тиц при температуре порядка 900 - 1200. щения и чаю в ал 1 ют ф ция и е плас Известные способы повышсния пробивного напряжения плоскостных диодОВ ОсноВаны на создании многоступенчатых полупрОВОдцикОВых структур. Эти способы достаточно сложнь 1 по своей технологии и не обеспечивают высокого пробивного напряжения.Предлагаемый способ упрощает технологию изготовления полупроводниковых диодов и позволяет повысить пробивное напряжение их. Это достигается тем, что в диоде применен р - г - г переход, для получен:1 я которого использована диффузия золота в кремний.Способ...
Устройство для формовки точечных полупроводниковых диодов
Номер патента: 129260
Опубликовано: 01.01.1960
Автор: Грика
МПК: H01L 23/522
Метки: диодов, полупроводниковых, точечных, формовки
...из цегп коммутирующих блоков.Ь.1 ок слежениясостоит из схемы слежения за изменением обратцого напряжения и схемы еле;ке 1 гия за изменением прямого тока, В схему слежения зя обратным напряжением входят: стабилизатор б ста 11- дартного тока; катодцый повторитель 7; ячейка памяти 8, запоминаю 1 цая максимальное зцачецис обратного цапряжепия; дифференциальный , СИ.1 ИТЕЛЬ 9, СраццццяЮШий ВЕЛсиНу;ХПЛ 11 туд 1 ОбратНОГО НяПряжеция с величиной напряжения, соряцясмого запоминакццей ячейкой; селективный импульсцый усилитель 10, пропускающий импульсы определенной полярности. В схему замера напряжения входит устройство 11, срабатывя 1 ощсе от импульса больше определенной величины, которое отрабатывает импульс при значении обратного...
Способ обратимого изменения обратного сопротивления кремниевых диодов
Номер патента: 133492
Опубликовано: 01.01.1960
МПК: G01R 31/26
Метки: диодов, изменения, кремниевых, обратимого, обратного, сопротивления
...напряжения Сl - меняется яркость свечения электролюминесцентного элемента.Заведенная информация сохраняется до тех пор, пока импульсный сигнал стирания через диод Д 2 не разрядит конденсатор С дАналогичным образом проходит запись и стирание информации в запоминающем устройстве на конденсаторах с диодами.При применении предлагаемого способа в указанных схемах (и аналогичных им) для введения разнополярных импульсных сигналов достаточно иметь один диод с изменяемым обратным сопротивлением. В качестве диодов могут быть использованы кремниевые диоды типа Д- ;Д, которые в импульсном режиме обеспечивают восстановимое изменение обратного сопротивления.М 133492 Экспериментальным исследованием было установлено, что режим восстановимого изменения...
Способ электрической формовки полупроводниковых диодов
Номер патента: 133953
Опубликовано: 01.01.1960
Автор: Улановский
МПК: H01L 21/479, H01L 23/00
Метки: диодов, полупроводниковых, формовки, электрической
...снимается ссопротивления 34. Сопротивление 33 значительно больше остальныхэлементов цепи. Поэтому оно определяет ток в цепи диода при постоянной величине напряжения, снимаемого с сопротивления 34.Синхронный переключатель 16 замыкается одним из кулачков,установленных на валу 8. Реле 21 и 22, включенные через магнигныеусилители, подключаются параллельно диоду 30. Эти реле,- имеющиеразличную чувствительность, срабатывают в зависимости от величинынапряжения на диоде. Сопротивление 35 значительно больше сопротивления диода. Поэтому напряжение на диоде определяется, главным образом, его собственным сопротивлением. От реле 21 и 22 срабатывают реле 25 и 26, осуществляющие запоминание величины напряжения на диоде и коммутацию напряжения...
Способ получения p-n перехода для кремниевых диодов
Номер патента: 136476
Опубликовано: 01.01.1961
Авторы: Варданян, Дробышев, Зеликман, Лукашева, Соловьева, Тодорова, Шкуропат
МПК: H01L 21/225
Метки: диодов, кремниевых, перехода
...упрощения технологии и исключения необходимости применения кремния двух типов проводимости предлагается перед испарением в вакууме нагревать пластинку из кремния до 700 - 800".Для получения р-п перехода при применении предлагаемого способа предварительно протравленная кремниевая пластинка толщиной 0,35 - 0,45 ям покрывается с одной стороны слоем никеля и помещается в вакуумную печь, где нагревается до температуры 700 - 800. Затем, не прекращая нагрева, на пластинку наносят испарением в вакууме слой алюминия толщиной 1 - 3 мк и пластинка охлаждается до комнатной температуры, после чего на нее наносится тем же методом второй слой алюминия толщиной 5 - 7 лк. Пластинка вновь нагревается до температуры 700 - 800, выдерживается при этой...
Магазин для малогабаритных полупроводниковых диодов
Номер патента: 138980
Опубликовано: 01.01.1961
Автор: Тафеев
МПК: H05K 11/02
Метки: диодов, магазин, малогабаритных, полупроводниковых
...прикреплен к корпусу 3 магазина, а другой - к втулке 4. Вращение дисков 2 осуществляется с помощью привода 5.В процессе загрузки диод б укладывается корпусом на спираль 1, а его выводы проходят в радиальные пазы дисков 2. После этого с по мощью привода 5 диски 2 одновременно поворачиваются по часовой стрелке на такой угол, чтобы около загрузочного отверстия магазина оказались очередные пазы дисков 2. Загружается следующий диод и диски 2 опять поворачиваются на такой же угол.При загрузке магазина сначала заполняется диодами наружный виток спирали 1, а затем все последующие внутренние витки. Выгрузка диодов из магазина производится в обратной последовательности пу. тем вращения дисков 2 против часовой стрелки.138980 Описанный...
Способ изготовления кремниевых диффузионных диодов
Номер патента: 140499
Опубликовано: 01.01.1961
Авторы: Брук, Недобейко, Ратенберг, Сущик, Фронк
МПК: H01L 21/329
Метки: диодов, диффузионных, кремниевых
...14.Высушенные пластины помещают в печь, где в течение нескольких часов при высокой температуре порядка 1300" производится окисление поверхности пластин кремния. После охлаждения пластин на их по. верхность наносятся соединения, содержащие необходимые легирующие элементы, которые при высокой температуре образуют совместно с двуокисью кремния стекловидные слои, Для создания выпрямляющих переходов на кремнии р-типа используется водный раствор ортофосфорной кислоты, а на кремнии г-типа - водный раствор буры.Пластины с нанесенными на окисную пленку составами вносятся для проведения диффузии в печь, температура которой должна быть не ниже точки образования жидкого стекловидного слоя на поверхности кремния.Во время этого процесса на пластинах...
Полуавтомат для припайки полупроводниковых кристаллов и переходов к держателям стержневого типа полупроводниковых диодов
Номер патента: 143445
Опубликовано: 01.01.1961
Авторы: Блинова, Ермолаев, Матвеева, Сандеров, Хайт
МПК: H05K 13/00
Метки: держателям, диодов, кристаллов, переходов, полуавтомат, полупроводниковых, припайки, стержневого, типа
...тем, что для повышения точности установки кристалла на торце держателя по его оси и улучшения качества пайки в нем применен слабо подпружиненный вакуумный присос, установленный на сильно подпружиненном подвижном стакане, снабженном конусным пояском, служащим для вдавливания кристалла в штифт, а вращающаяся печь выполнена в виде дюралевой гильзы с конусным каналом, заканчивающимся призмой с прижимной пластинкой, снабженной в верхней части нагревательной обмоткой,На фиг. 1 показано конструктивное выполнение механизма захвага кристалла предлагаемого полуавтомата; на фиг. 2 - конструктивное выполнение печи предлагаемого полуавтомата.Полуавтомат для припайки полупроводниковых кристаллов конструктивно выполнен в виде трех синхронно...
Способ включения линий спаренных телефонных аппаратов с блокираторами без диодов в смешанные группы декадно-шаговых атс
Номер патента: 146789
Опубликовано: 01.01.1962
Автор: Лаврухин
МПК: H04M 3/16
Метки: аппаратов, атс, блокираторами, включения, группы, декадно-шаговых, диодов, линий, смешанные, спаренных, телефонных
...блокираторов, в схеачных групп 1 ГИ и 1 ГИУ включается диодный мостик в ровода таким образом, чтобы направление тока в сторону инии не менялось при переплюсовке проводов в 1 ГИУ, а ируется при исходящей связи до конца соединения. Известны схемы включения спаренных телефонных аппаратов в 1 ГИУ АТС, например, блокиратор Бс диодной приставкой. Известны гакже блокираторы без диодных приставок, Недостаток таких блокираторов состоит в том, что при переполюсовке проводов линии в момент ответа вызванного абонента возможен перехват соединения другим абонентом.Описываемый способ включения линий спаренных телефонных аппаратов с блокираторами без диодов отличается от известных тем, что в разговорные провода 1 ПИ включен диодный мостик, содержащий...
Устройство для защиты полупроводниковых диодов от коротких замыканий
Номер патента: 147663
Опубликовано: 01.01.1962
МПК: H02H 7/125
Метки: диодов, замыканий, защиты, коротких, полупроводниковых
...в первичной обмотке (при коротком замыкании).Напряжение с лампового генератора Л, подается на управляющую сетку усилителя Л 2, нагрузкой которого является повышающий авто- трансформатор АТр, через который поджигающие импульсы подаются на иглу разрядника ПР, экранная сетка лампы Л 2 присоединена к вторичной обмотке трансформатора Тр 1 Трансформатор Трз и лампа Л; служат для питания собственных нужд устройства.В момент возникновения короткого замыкания в защищаемой цепи во вторичной обмотке трансформатора То, появляется значительная147663 э,д,с которая вызывает полное открытие лампы Л,. В результате под действием анодного тока лампы Л во вторичной цепи автотрансформатора АТр индуктируется высокое напряжение, которое подается на иглу...
Способ уменьшения емкости туннельных диодов, основанный на уменьшении площади p-n перехода
Номер патента: 148143
Опубликовано: 01.01.1962
Автор: Логунов
МПК: H01L 29/88
Метки: диодов, емкости, основанный, перехода, площади, туннельных, уменьшении, уменьшения
...в том, что рабочую плошадьр - п перехода туннельного диода уменьшают за счет изменения электрической структуры исходного материала, для чего на полупроводникнаносят тонкий слой материала того же типа, но с меньшим удельнымсопротивлением.Во время вплавления выпрямляющего контакта происходит проплавление поверхностной пленки и образование надежного р - и перехода как с пленкой, так и с основной массой полупроводникового кристалла.Применяя тонкие поверхностные слои низкоомного материала, можно получить туннельные диоды с очень малой емкостью. На полупроводниковый кристалл поверхностный слой наносят, например, при помощидиффузии примесей или осаждением низкоомного материала из газовойфазы и т. д.Государственный комитет...
Схема дублирования управляемых диодов;
Номер патента: 151715
Опубликовано: 01.01.1962
Автор: Лаптев
МПК: H02M 1/10, H02M 7/162
Метки: диодов, дублирования, схема, управляемых
...чертеже изображена предложенная схема дублирования.Схема выполнена на четырех элементах УД 1, УД 2, УД, и УД 4, соединенных по два последовательно и параллельно. Управление Осу 1 ЦЕСТВЛЯЕТСЯ ОТ. ОДНОГО ИСТОЧНИКа Уупр.сигн., ДЛЯ ЧЕГО ПОЛожИТЕЛЬНЫй полюс источника присоединен к общей точке 1 выравнивающих сопротивлений Рбь И 2, РЬН 4, которые через блокирующие диоды ДДД Д 4 включены на управляющие электроды диодов УД УД:, УДУД 4, минус источника подключен к общей точке 2 катодов и внешней цепи, содержащей источник питания Уилл. и сопротивление нагрузки Р. До подачи управляющего сигнала все УД закрыты. При поступлении управляющего сигнала на аноды диодов УД 2 и УД 4 подается напряжение сигнала, а на управляющие электроды диодов УД 2 и...
Устройство для автоматического измерения нараметров туннельных диодов
Номер патента: 171449
Опубликовано: 01.01.1965
Авторы: Андрианов, Виньш, Вычислительной, Институт
МПК: G01R 31/26
Метки: диодов, нараметров, туннельных
...4 блока 1, Прп достижении протекающим через диод 2 током значения 1 пах происходит переключение туннельного диода в состояние высокого напря. жения. Перепад напряжений подается на блок 9 формирования и усиления импульсов. Сфор. мированный импульс поступает на блок 10 управления, включающий реле времени 11, через которое сигнал подается на блок 8, и останавливающий источник входного напряженияблока б. Одновременно постоянное напряжение через коммутатор 12 подается на электронный цифровой вольтметр 13, который снабжен печатающей приставкой 14, регистрирующей значение токов 1 х. Для контроля работы вольтметра 13 служит прецезионный вольтметр 15.Аналогично измеряется значение 1;,; только в этом случае напряжение, подаваемое на зажимы...
Устройство для определения пробивного напряжения полупроводниковых диодовв известных устройствах для определения пробивного напряжения мощных полупроводниковых диодов, содержащих блок ступенчатой регулировки по
Номер патента: 172374
Опубликовано: 01.01.1965
Авторы: Вайварс, Карп, Францис, Якубайтис
МПК: G01R 31/26
Метки: блок, диодов, диодовв, известных, мощных, полупроводниковых, пробивного, регулировки, содержащих, ступенчатой, устройствах
...напряжении. г пзоор едм тенпя 20 Устройство для определения пробивного напряжения полупроводниковых диодов, содержащее подключенные к диоду блок ступенчатой регулировки подаваемого на диод напряже нпя, снабкенный набором коммутируемыхсопротивлений, и блок измерений величины производной обратного тока, от,ггчаощееся тем, что, с целью предотвращения выхода диода из строя в процессе измерений, последовательно 30 с каждым из сопротивлений блока ступенчатой регулировки напряжения включен стабил п трон. дпасная грпаа Л" 89 В известных устройствах для определенияпробивного напряжения мощных полупроводниковых диодов, содержащих олок ступенчатой регулироьки подаваемого на диод напряжения и блок измерения величины производной обратного тока, при...
Устройство для установки диодов в гнезда
Номер патента: 218246
Опубликовано: 01.01.1968
Автор: Гамаюнов
МПК: H05K 13/02
Метки: гнезда, диодов, установки
...10 мет изобретен р 5и( и.чво дволноводной сдиодов на грудачи диодов кфиксации диод30 ел тем, что, с Известное устроиство для уста 1 овкп диодов в гнезда волноводной секции автомата для сортировки диодов на группы, содеркащее механизм подачи диодов к волноводиой секции и механизм фиксации диодов в гнезде секции, нс обеспечивает постоянства контакного давлспия мсхкду контактами гнезд и диодов в процессе измерения, что приводит к снижсншо точности сортировки.В редложенном устро 1 стве повышение точнос".и сортировки достигнуго темто механизм подачи диодов вьиолнсн в виде пслзуна, перемещающегося по шариовым нп 1 авляощчм. Ползун снабжен 1 эизхзт 11 еской глебкой и подпружинепым поижимом, и механи: м фиксаии;иодов содерх(1 г воздушный деъ 1...
Устройство для измерения потерь преобразования смесительных свч диодов
Номер патента: 231632
Опубликовано: 01.01.1968
Автор: Васильев
МПК: G01R 31/26
Метки: диодов, потерь, преобразования, свч, смесительных
...1 б и модулятор 17.Так как в измерительном усилителе установлен квадратичный детектор, то можно счи тать, напряжения в различных точках схемыпропорциональными мощности.Источник сигнала импульсно модулируетсячастотойсов модуляторе 17. Мощность источника сигнала через ответвитель 2 подво дится к опорному б и испытуемому 8 диодам.К этим же диодам через ответвители 4 и 5 подводится мощность гетеродина 8. Преобразованные диодами сигналы усиливаются предварительными усилителями 9 и 10 соответ.20 ственно и поступают на входы синхронногопереключателя 11, который поочередно с частотой со, подает эти сигналы на вход главното усилителя 12.Усиленные сигналы поступают,на вход син хронного переключателя 14 и разделяютсятаким образом, что сигнал,...
Устройство для проверки дублирования диодов
Номер патента: 248045
Опубликовано: 01.01.1969
Авторы: Есенин, Кан, Старшинов
МПК: G01R 31/02, H02H 7/10
Метки: диодов, дублирования, проверки
...с повреждением диодов ток в соответствующей цепи ограничивается сопротивлением измерительного трансформатора.1-1 а чертеже лана схема устройства для проверки дублированных диодов в схемах вы. прямленпя на обрыв и короткое замыкатп е.н Устроиство состоит из силового питающего трансформатора Трс первичной обмоткой 1 - 2 и вторичными обмотками 3 - 4, 5 - 6,- 8, 9 - 10, выполненныии со середними выводами, измерительных трансформаторов Трав Тр;, с первичными обмотками 1 - 2, 3 - 4 и вторичными обмотками 5 - 6, выполненными со сродни ми выводами 0, двухполупериодных выпрямителей с диодами Дт - Да.Трансформатор Тр, служит для питания четырех групп проверяемых дублированных диодов, последовательно с которыми во вторичные обмотки этого...
Устройство для измерения входного сопротивления диодов
Номер патента: 263029
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Акустики, Всесоюзный, Приема
МПК: G01R 27/02
Метки: входного, диодов, сопротивления
...в схемах детектирования.1 Лзвестны устройства для измерения сопротивления полупроводниковых диодов, основанные на измерении тока, Эти устройства измеряют динамическое сопротивление диодов.Предлагаемое устройство позволяет измерять входное сопротивление диодов путем измерения первой гармоники тока, протекающего через диод, для чего последовательно к нагрузке диода подключено малое по сравнению с нагрузкой сопротивление, а к общей точке их соединения через конденсатор и фильтр стодсоединен индикатор. Отношение напряжения высокой частоты на диоде к напряжению ,первой гармоники тока является входным сопротивлением. Устройство позволяет упростить и автоматизировать процесс измерения,На чертеже изображена электрическая схема...
Автомат для упаковки полупроводниковых диодов
Номер патента: 264557
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Василевска, Филиппов, Штефан
МПК: H01L 21/00
Метки: автомат, диодов, полупроводниковых, упаковки
...30 и двуплечие рычаги 31. Под барабаном находится золотник 32, а рядом с барабаном золотник 33. Ресивер 34 является также стой кой станины автомата.Диоды по ручьям вибролотка 10 попадают в направляющие 11. Одновременно с катушки 2 упаковочным барабаном 1 сматывается упаковочная лента, при этом барабан поворачи вается на 90. При повороте барабана 1 упаковочная лента отжимает пару освобожденных кулачком-шестерней б и копиром 7 захватов 4 и ложится на барабан так, чтобы пробитые в ленте пневматическим устройст вом 3 гнезда специальной формы попали на грань барабана, После этого захваты возвращаются в исходное положение, но не прижимают ленту к барабану 1. В момент остановки барабана 1 золотник 32 подает воздух в 25 правую полость...
Устройство для подключения диодов таблеточного типа к блоку измерений
Номер патента: 266872
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Черг, Чечельницкий
МПК: G01R 31/26
Метки: блоку, диодов, измерений, подключения, таблеточного, типа
...фиг, 1 изображено предлагаемое устройство в разрезе; на фиг. 2 - его общий вид,Подвижный контакт 1, выполненный в виде 5 10 15 20 25 контактного ножа, закреплен наизолирующей втулки 3, может смещаться в указанном пазу ипружиной 4,Неподвижные контакты 5 и б закреплены во втулке 3 с помощью гаек 7 и установлены симметрично относительно контакта 1.На наружную цилиндрическую поверхность втулки 3 свободно надета ручка 8, снабженная профильным участком 9 и пазом 10, в который входит штифт 11, закрепленный во втулке 3. Перемещение ручки 8 вдоль оси втулки 3 ограничено с одной стороны буртом 12, а с другой - врезной шайбой 13. Устройство крепится к панели прибора накидной крышкой 14 и двумя гайками 15, навинченными на резьбовые...
Устройство для установки диодов в гнезда
Номер патента: 270844
Опубликовано: 01.01.1970
МПК: G01R 31/26
Метки: гнезда, диодов, установки
...на верхней части которогоустановлен кулачок 7, жестко связанный с толкателем 8 с воздеиствующеи на него пружиной 9 и связанные с губками 10 рычаги 11 с роликами 12.У основания ползуна перемещается язычок 13 с цилиндрической пружиной 14 и плоской пружиной 15, Винт 1 б, предназначенный для управления язычком, размещен в кронштейне 17, на котором закреплены кулачки 18 и 19. В кассету загружают диоды 20, при ее опускании кулачок 5 отодвигает ползун, а выступ язычка захватывает проверенный диод за буртик, и он подает на распределитель ту или иную тару. Когда ползун прижат к волноводной секции, язычок находится в крайнем правом положении, зубчик плоской пружины 15 западает и удерживает язычок, позволяя диоду свободно падать. При перемещении...
Линия сборки полупроводниковых диодов
Номер патента: 270898
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Аксененков, Бовыкин, Бородулина, Колесников, Крупко, Кузнецов, Сафонов, Свергунов, Тулинов, Филимонов, Царенко, Цыков, Чупрнков, Шейнов
МПК: H01L 21/50
Метки: диодов, линия, полупроводниковых, сборки
...и шлюзами для выполнения некоторых ручных операций соорки диодов.Устройство для присоединения к ленте в зоне оформленного кристаллодержателя баллона диода выполнено также в виде двух линейно расположенных механизмов, обслуживаемых оператором. Оно содержит направляющую 38 для ориентированного перемещения ленты, механизм 39 контактной конденсаторной сварки с двумя подвижно смонтированными в вертикальной плоскости электродами, один из которых выполнен регулируемым, а также комплект сменных кассет 40 с установочными штифтами и съемными электродами 41.Устройство для обжима и проварки трубки45 50 55 60 65 5баллона выполнено в виде пресса и механизма контактной конденсаторной сварки, которые приводятся в действие посредством...
Способ измерения электрических параметров тупнельных диодов
Номер патента: 280681
Опубликовано: 01.01.1970
Автор: Осипов
МПК: G01R 31/26
Метки: диодов, параметров, тупнельных, электрических
...и ниже точки перегиба вольтамперной характеристики. Затем измеряют соотношение низкочастотных дифференциальных сопротивлений диода в установленных 5 точках смещения (Р,о, И ) и в точке перегиба вольтамперной характеристики Яп ) После этого находят предельную частоту туннельного диода/ пр = г пр. ср2 Наиоолее точное значение предельной час тоты соответст 1 вУет ее опРеделению как 1 пр,ср (погрешность не превышает нескольких процентов).Кроме предельной частоты, предложенным способом можно определить соотношение ем костей р - п-перехода в точках в и н, не прибегая к непосредственному измерению емкостей, с,ничтожно малой погрешностью, не превышающей десятых долей процента.Из найденного предложенным способом 15 соотношения емкостей и...
Источник питания измерителя надежности диодов
Номер патента: 286001
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Белинский, Гуревич, Окунев, Плт, Смирнов
МПК: G01R 31/26
Метки: диодов, измерителя, источник, надежности, питания
...катодного повторителя 5, токозадающего элемента б. За 2даютций блокинг-генератор 1 подключен также к ждущему блокинг-генератору 7 через линию задержки 8.Блокинг-генератор 7 работает на цепь генс ратора напряжения, состоящую из катодногоповторителя 9, усилителя-формирователя 10, катодного повторителя 11, инверсного каскаВыходы токозадающего элемента б и ин 10 версного каскада 12 подключены к коммутирующему устройству 13 и к,схеме сигнализации. Коммутирующее устройство 13 соединепос измерителем и испытуемым диодом 14.Источник питания работает следующим об 15 р азом.Блокинг-генератор 1 вырабатывает короткие (0,1 мксек,) прямоугольные положительные импульсы с частотой следования 1 кгттЭтими импульсами запускаются блокинг-гене 20 ратор 2, в...
Машина для сборки, нагрева, окисления, прессовки и спекания баллонов полупроводниковых диодов и аналогичных изделии
Номер патента: 286084
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Горшков, Зажигин, Кошкин, Розенгауз, Хоменко
МПК: B23P 21/00
Метки: аналогичных, баллонов, диодов, изделии, нагрева, окисления, полупроводниковых, прессовки, сборки, спекания
...ход каретки - ходсопровождения.Разогретое стекло с трубкой и окисленныйкорпус в юпинделях ароходят через роторпрессования 19, где стекло щрессуется рабочиминструментом ротора от подпружиненного копира. Далее, изделия в шпинделях поступают взону 20 опекания изделий, где в результате Интенсивного нагрева изделий и коронок эжекционными газовыми горелками, смонтированными в шесть двухрядных кассет (по 12 горелок к,кассете) на каретке спекания 21, происходит вакуумно-плотное соединение стеклас металлическими деталями баллона - корпусом и трубкой,Каретка спекания 21 работает аналогичнокаретке разогрева 14, Спекание баллонов осущоо 11 вляется ва 18 сек, т.,е. ва шесть рабочихходов каретки. Обратный ход каретка совершает за 0,6 сек.Пройдя...
Устройство для автоматического измерения сопротивления потерь туннельных диодов
Номер патента: 288155
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Пиль, Терпигорьеи, Федорков
МПК: G01R 31/26
Метки: диодов, потерь, сопротивления, туннельных
...выходу усилителя подключены последовательно сое дцненные детектор-фильтр высокой частоты 8,.сцнхронцыи .1 Стектор 9 и измерительный прибор 10.В первый полуперцод цзшульсов синхронизатора 7 кл 1 оч б воздействует на источник 15 тока смещения так, что через измеряемыц диод 1 течет постоянный ток Уь Тогда на диоде благодаря протеканию через него тока малой амплитуды от генератора синусоидального тока возникает переменное напряжение частоты генератора, амплитуда которого пропорциональна динамическому сопротивлению диода, . Это напряжение усиливается усилителем 4. В этот же полупериод работы синхронизатора ключ б воздецствует на усилитель так, что его коэффициент усиления равен г,. Таким образом, в первьш полуперцод на выходе усилителя...
Устройство для формовки выводов диодов
Номер патента: 291388
Опубликовано: 01.01.1971
Автор: Кашелевский
МПК: H05K 13/06
Метки: выводов, диодов, формовки
...Вращение валику передается через колено 17, снабженное пальцем 18, который входит в фигурную прорезь а планки 19, установленной на подвияной,планке.Прижим соединен с рычагом упругим элементом 20. Регулируемые упоры 21 и 22 определяют исходное положение планки б и зубчато-реечной пары.Диод укладывается на ложемент так, чтобы левьш вывод попал в щель, образованную2 ЯЗВВ ь ф фигвыступом 8 и штифтом. Праховый вывод опирается при этом на стержень 1 б.При включении приводного механизма рычаг стремится повернуться против часовой стрелки. При этом начинает опускаться прижим, который выступами 23 и 24 опирается на выводы диода, В этот момент элемент 20 несколько деформируется, и его палец 25 входит в паз б, удерживая прижим в поджатом...
Устройство для установки в волновод нлоских бескорпусных диодов
Номер патента: 295188
Опубликовано: 01.01.1971
МПК: H03H 3/007
Метки: бескорпусных, волновод, диодов, нлоских, установки
...не дает прежних параметров усилителя.Цель изобретения заключается в обеспечении более надежного контакта между широкой стенкой отрезка волновода и диодами.Эта цель в предлагаемом устройстве для установки диода достигается тем, что между диодом и прижимным узлом, дающим нормированное усилие на диод, закладываются диск из тонкой токопроводящей фольги и резиновый диск, которые имеют диаметры, большие диаметра контакта диода, а при установке прижимного узла легко деформируются ц плотно прилегают как к диоду, так и к корпусу СВЧ- прибора, обеспечивая надежный контакт между ними. Такой способ крепления конструктивно проще, резко снижает требования к разбросу размеров диодов ц к точности изготовления СВЧ-прцоора, так как каждый диОд по...